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公开(公告)号：KR1020140035478A
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020147000195
申请日：2012-06-29
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: B05D3/102 , B05D1/02 , B05D1/32 , C23C22/52 , C23F1/18 , H05K3/28 , H05K3/385 , Y10T428/265
Abstract: 본 발명은 구리 또는 구리 합금 표면에의 유기 레지스트 재료의 접착을 증가시키는 방법에 관한 것이다. 구리 또는 구리 합금 표면은 적어도 하나의 유기 산, 과산화물 화합물, 및 선택적으로는, 요소 (urea), 그의 유도체와 수용성 폴리머로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 수성 접착 촉진 용액과 접촉된다.
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公开(公告)号：KR101614169B1
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020107019893
申请日：2009-02-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C09J201/02 , C09J179/00 , C09J175/00 , H05K3/38
CPC classification number: H05K3/389 , C23C22/02 , C23C22/52 , C23F11/12 , C23F11/128 , C23F11/149 , C23F11/16 , C23F11/165 , C23F11/173 , H05K3/064 , H05K3/108 , H05K3/282 , H05K2203/12 , H05K2203/122 , H05K2203/124
Abstract: 매우얇은구리기재가손상되지않도록하면서, 상기구리기재에대한레지스트코팅물, 더욱특히감광성레지스트코팅물의양호한접착성을달성하기위해, i) 하나이상의티올부분을포함하는헤테로시클릭화합물및 ii) 하기화학식을갖는 4급암모늄중합체를포함하는군으로부터선택되는하나이상의접착제를포함하는, 구리기재처리용비에칭무레지스트조성물을제공한다:[식중, R, R,R, Y 및 X는청구항에정의된바와같음].
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公开(公告)号：KR101546999B1
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020117023654
申请日：2010-03-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/205 , H05K2203/124
Abstract: 회로의도전체라인들이유전체기판포면에대한양호한접착을갖는유전체기판상에고 밀도회로를제조할수 있도록, 다음의방법단계들: a) 두개의측면들을갖는보조기판을제공하는단계로서, 상기측면들중 적어도하나는도전성표면을갖는, 상기두개의측면들을갖는보조기판을제공하는단계; b) 적어도하나의도전성표면중 적어도하나의도전성표면을적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리하는단계로서, 상기릴리즈층 형성화합물은적어도하나의티올기를갖는헤테로사이클릭화합물인, 상기적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리하는단계; c) 적어도하나의릴리즈층 형성화합물로처리된적어도하나의도전성표면의적어도하나상에패턴화된레지스트코팅을형성하는단계로서, 패턴화된레지스트코팅은적어도하나의레지스트개구를가져서도전성표면을노출시키는, 패턴화된레지스트코팅을형성하는단계; d) 노출된도전성표면상에금속을전착하여적어도하나의레지스트개구에도전성패턴을형성하는단계; e) 보조기판의각각의측면상에각각의유전체재료층을형성하여유전체재료에각 도전성패턴을형성하는단계; 및 f) 각각의임베딩된도전성패턴을포함하는각 유전체재료와보조기판을서로분리시키는단계를포함하는방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR102203044B1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：KR1020167023874
申请日：2015-10-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본발명은구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한조성물로서, 하기를포함하는조성물에관한것이다: i) Fe3+ 이온의적어도하나의공급원, ii) Br- 이온의적어도하나의공급원, iii) 적어도하나의무기산, 및 iv) 식 I 에따른적어도하나의에치리파이너 JPEG112016084332427-pct00006.jpg37122 식중, R1 은수소, C1-C5-알킬또는치환된아릴또는알크아릴기로이루어지는군으로부터선택되고; R2 는수소, C1-C5-알킬또는 C1-C5-알콕시로이루어지는군으로부터선택되고; R3, R4 는수소및 C1-C5-알킬로이루어지는군으로부터선택되고; X- 는적합한음이온임. 또한, 본발명은그러한조성물을사용하는구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101847676B1
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：KR1020137024617
申请日：2012-02-09
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/40 , H01L21/306 , H01L21/3213 , H05K3/00 , C23F1/44
CPC classification number: H05K3/26 , C23F1/40 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/7684 , H05K3/3473 , H05K2203/054 , H05K2203/0793
Abstract: 본발명은딤플들의형성을회피하는주석또는주석합금으로채워진리세스된구조들의평탄화를위한방법을개시한다. 이러한구조들은전자디바이스들에서안정적이고신뢰성있는솔더접합들을위한솔더성막물들로서작용할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170095120A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020167023874
申请日：2015-10-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23F1/18 , C23C28/321 , C23F1/46 , C23G1/103 , H05K3/062 , H05K3/064 , H05K3/383 , H05K2203/124
Abstract: 본발명은구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한조성물로서, 하기를포함하는조성물에관한것이다: i) Fe이온의적어도하나의공급원, ii) Br이온의적어도하나의공급원, iii) 적어도하나의무기산, 및 iv) 식 I 에따른적어도하나의에치리파이너식중, R1 은수소, C-C-알킬또는치환된아릴또는알크아릴기로이루어지는군으로부터선택되고; R2 는수소, C-C-알킬또는 C-C-알콕시로이루어지는군으로부터선택되고; R3, R4 는수소및 C-C-알킬로이루어지는군으로부터선택되고; X는적합한음이온임. 또한, 본발명은그러한조성물을사용하는구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于微蚀铜或铜合金表面的组合物，其包含：i）至少一种Fe离子源，ii）至少一种Br离子源，iii）至少一种无机酸 和iv）至少一种根据式I的醚化基团，其中R 1选自氢，C 1 -C 20烷基或取代的芳基或烷芳基; R 2选自氢，C 1 -C 4烷基或C 1 -C 4烷氧基; R 3和R 4选自氢和C 1 -C 4烷基; X是合适的阴离子。 本发明还涉及使用这种组合物微蚀铜或铜合金表面的方法。
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公开(公告)号：KR1020130075729A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020127027382
申请日：2010-05-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 인쇄 회로판의 제조 과정에서 구리 또는 구리 합금의 마이크로 에칭을 위한 조성물 및 상기 조성물을 적용하는 방법을 개시한다. 상기 조성물은 구리 염, 할로겐화물 이온 공급원, 완충계 및 에칭 리파이너인 벤조티아졸 화합물을 포함한다. 본 발명의 조성물 및 방법은 특히
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公开(公告)号：KR102139843B1
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：KR1020157021872
申请日：2013-07-29
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/46 , H05K3/06 , H01L21/306
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公开(公告)号：KR101927679B1
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：KR1020147027285
申请日：2013-03-21
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은, 유기실란 조성물을 도포한 다음 산화 처리하는 유전체 기판 표면의 금속화를 위한 신규한 프로세스들에 관한 것이다. 그 방법은 금속 도금된 표면들이 기판과 도금된 금속 사이에 높은 접착을 나타내게 하는 한편 동시에 매끄러운 기판 표면을 온전한 상태로 둔다.
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公开(公告)号：KR1020150105465A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020157021872
申请日：2013-07-29
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/46 , H05K3/06 , H01L21/306
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/46 , H05K3/067 , H05K2203/0789
Abstract: 본 발명은 구리 및 구리 합금 식각을 위한 수성 조성물 및 상기 수성 조성물을 적용한 구리 및 구리 합금의 식각 방법에 관한 것이다. 수성 조성물은, Fe
3+ 이온들을 위한 소스, 적어도 하나의 산, 적어도 하나의 트리아졸 또는 테트라졸 유도체, 및 N-알킬화된 이미노디프로피온산, 이의 염, 개질된 폴리글리콜 에테르 및 4차 우레일렌 중합체로부터 선택된 적어도 하나의 식각 첨가물을 포함한다. 수성 조성물은 인쇄 회로판, IC 기판 등의 제조에서 미세 구조를 만드는데 특히 유용하다.
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