公开(公告)号：KR102203044B1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：KR1020167023874

申请日：2015-10-30

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 라거마르쿠 ,  클리퀴아르노 ,  테브스디르크

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/46 ,  H05K3/38

Abstract: 본발명은구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한조성물로서, 하기를포함하는조성물에관한것이다: i) Fe3+ 이온의적어도하나의공급원, ii) Br- 이온의적어도하나의공급원, iii) 적어도하나의무기산, 및 iv) 식 I 에따른적어도하나의에치리파이너 JPEG112016084332427-pct00006.jpg37122 식중, R1 은수소, C1-C5-알킬또는치환된아릴또는알크아릴기로이루어지는군으로부터선택되고; R2 는수소, C1-C5-알킬또는 C1-C5-알콕시로이루어지는군으로부터선택되고; R3, R4 는수소및 C1-C5-알킬로이루어지는군으로부터선택되고; X- 는적합한음이온임. 또한, 본발명은그러한조성물을사용하는구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR102130947B1

公开(公告)日：2020-07-08

申请号：KR1020147034195

申请日：2013-06-05

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 나루스케비키우스레오나스 ,  부딜로브스키스다나스 ,  기리에네오나 ,  타마사우스카이테타마시우나이테로레타

IPC: C23C18/20 ,  C23C18/30

公开(公告)号：KR102080952B1

公开(公告)日：2020-02-24

申请号：KR1020147033899

申请日：2013-05-30

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 킬리안아른트 ,  뇌트리히크리슈티안 ,  메츠거디터 ,  퀴네세바슈티안

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/52

公开(公告)号：KR102061921B1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：KR1020147020277

申请日：2012-11-27

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 미르코빅마르코 ,  클로부스마르친 ,  통테리 ,  천테드 ,  탕타이거 ,  모저크리슈토프

IPC: H05K3/42 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  H01L21/288 ,  C23C18/16

公开(公告)号：KR101979975B1

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：KR1020147022888

申请日：2012-11-27

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 크레치머슈테판 ,  하르트만필립 ,  뢸프스베른트

IPC: C25D5/10 ,  C25D3/38

公开(公告)号：KR101945555B1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：KR1020137030435

申请日：2012-04-17

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 브뤼닝프랑크 ,  벡비르기트 ,  도쎄베시 ,  에츠코른요하네스

IPC: C23C18/20 ,  C23C18/28 ,  C23C18/30 ,  C23C18/40

公开(公告)号：KR101943175B1

公开(公告)日：2019-01-28

申请号：KR1020167027333

申请日：2014-03-20

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 슐츠클라우스-디터 ,  하르트만닥터필립 ,  바흐터닥터필립 ,  브리제미케 ,  브루너닥터하이코 ,  리히터리하르트 ,  콜만라르스

IPC: C07D213/82 ,  C07D401/06 ,  C07D413/06 ,  C25D3/12 ,  C25D3/18 ,  C25D3/56

公开(公告)号：KR101931848B1

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：KR1020147028813

申请日：2013-03-15

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 미데케헤르만 ,  쿠마이저엔리코 ,  슈나이더슈테페

IPC: C23C18/22 ,  C23C18/31

Abstract: 본 발명은 6가 크롬을 포함하지 않는 에칭 용액을 사용하여 비전도성 플라스틱을 금속화하는 방법에 관한 것이다. 에칭 용액은 산성 퍼망가네이트 용액을 기반으로 한다. 에칭 용액에 의한 플라스틱의 처리 이후, 플라스틱을 공지된 방법에 의해 금속화하였다.

公开(公告)号：KR101872066B1

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：KR1020147028905

申请日：2013-03-15

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 미데케헤르만 ,  쿠마이저엔리코 ,  슈나이더슈테페

IPC: C23C18/22

CPC classification number: C23C18/24 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/166 ,  C23C18/2073 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/22 ,  C23C18/28 ,  C23C18/30 ,  C25D5/56

Abstract: 본발명은 6 가크롬이없는엣칭용액을이용한비전도성플라스틱의금속화방법에관한것이다. 엣칭용액은과망간산염용액을기재로한다. 플라스틱을엣칭용액으로처리한후, 플라스틱을공지된방법을수단으로하여금속화한다.

公开(公告)号：KR101847676B1

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：KR1020137024617

申请日：2012-02-09

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 우드닐 ,  테브스디르크

IPC: C23F1/40 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H05K3/00 ,  C23F1/44

CPC classification number: H05K3/26 ,  C23F1/40 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684 ,  H05K3/3473 ,  H05K2203/054 ,  H05K2203/0793

Abstract: 본발명은딤플들의형성을회피하는주석또는주석합금으로채워진리세스된구조들의평탄화를위한방법을개시한다. 이러한구조들은전자디바이스들에서안정적이고신뢰성있는솔더접합들을위한솔더성막물들로서작용할수 있다.