-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101806024B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160060629
申请日：2016-05-18
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/10 , H01L31/09 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.
-
公开(公告)号：KR1020170130646A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020160060629
申请日：2016-05-18
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/10 , H01L31/09 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/10 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.
Abstract translation: 提供了一种光电晶体管及其制造方法，该光电晶体管包括连接到源极的石墨烯层，连接到漏极的第一层以及包括连接石墨烯层和第一层的隧穿势垒的沟道。 光电晶体管具有场效应晶体管（FET）结构。
-
公开(公告)号：KR101773578B1
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160029410
申请日：2016-03-11
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0216 , B82B1/00 , B82Y20/00 , H01L31/04 , H01L31/09
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은물결형태의외벽을포함하는반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것으로, 더욱상세하게는물결형태의오목부또는볼록부가주기적으로형성되고, 상기오목부또는볼록부에의한광대역파장에서광흡수특성이향상된반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种宽带光吸收体，包括半导体纳米线，并且其包括波形的外壁，并且更具体地，形成在凹部或周期性凸部，宽带的波形形状因凹部或凸部 更具体地说，涉及一种宽带光吸收器和包括其的半导体纳米线。
-
公开(公告)号：KR101702991B1
公开(公告)日：2017-02-10
申请号：KR1020150105724
申请日：2015-07-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/311 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体纳米壁结构的制造方法。 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：准备衬底（步骤1）; 通过在衬底上旋涂光刻胶来形成光刻胶层（步骤2）; 暴露一部分光敏剂层以形成多个孔阵列（步骤3）; 蚀刻多个孔的底部（步骤4）; 用聚合物材料涂覆蚀刻孔的表面和侧面（步骤5）; 在涂覆的孔下方蚀刻一部分基板（步骤6）; 重复步骤5的聚合物涂层和步骤6的意识以调整深度和深度方向的壁的形状（步骤7）; 除去光敏材料层，具有三维周期性，包括：制造通过使用干法氧化工艺和BOE执行湿蚀刻具有三维周期性的半导体纳米月结构的步骤的半导体纳米月结构（步骤8） ＆lt;
-
公开(公告)号：KR1020170013439A
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020150105724
申请日：2015-07-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/311 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.014 seconds)
