公开(公告)号：KR101806024B1

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：KR1020160060629

申请日：2016-05-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  강장원 ,  고민지

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.

公开(公告)号：KR1020170130646A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020160060629

申请日：2016-05-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  강장원 ,  고민지

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/10 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.

Abstract translation: 提供了一种光电晶体管及其制造方法，该光电晶体管包括连接到源极的石墨烯层，连接到漏极的第一层以及包括连接石墨烯层和第一层的隧穿势垒的沟道。 光电晶体管具有场效应晶体管（FET）结构。

公开(公告)号：KR1020160110837A

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020150035096

申请日：2015-03-13

Applicant: 광주과학기술원 ,  재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 박성주 ,  송선혜 ,  홍상현 ,  이효주 ,  강장원 ,  조창희 ,  송보경

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L31/0224 ,  H01L51/5215 ,  H01B13/0026 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극이제공된다. 구체적으로, 상기다층투명전극은, 하부산화물층, 상기하부산화물층상에배치된금속나노홀패턴층및 상기금속나노홀패턴층상에배치된상부산화물층을포함할수 있다. 이에, 본발명은금속나노홀패턴층의패턴주기및 나노홀크기를조절함으로써, 상기금속나노홀패턴층에의해발생되는표면플라즈몬현상을통해특정파장영역에서의다층투명전극의투과도를향상시킬수 있다. 또한, 본발명의금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극은홀 크기를조절하여최적화된면저항을구현할수 있어, 이를적용한소자의전기적특성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 提供了包括金属纳米孔图案层的多层透明电极。 具体地，多层透明电极包括：低氧化物层; 安装在低氧化物层上的金属纳米孔图案层; 以及安装在金属纳米孔图案层上的上氧化层。 因此，多层透明电极可以通过由金属纳米孔图案层产生的表面等离子体现象来改善预定波长区域的透射率。 此外，包括金属纳米孔图案层的多层透明电极可以通过控制孔的尺寸来实现优化的表面电阻，从而提高施加多层透明电极的元件的电特性。