금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법
    5.
    发明授权
    금속 산화물 막의 모폴로지 제어방법 有权
    金属氧化物膜形态的控制方法

    公开(公告)号:KR101714750B1

    公开(公告)日:2017-03-10

    申请号:KR1020150154086

    申请日:2015-11-03

    CPC classification number: H01L51/0032 H01L51/4226

    Abstract: 본발명은상대습도 0 % 내지 100 %로조절된분위기에서금속산화물전구체를포함하는전구체용액을도포하여습막(wet film)을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1에서형성된습막을상대습도 0 % 내지 100 %로조절된분위기에서저온열처리(soft baking)하는단계(단계 2); 및상기단계 2에서저온열처리된막을소결하는단계(단계 3);를포함하는금속산화물막의모폴로지제어방법을제공한다. 본발명에따른금속산화물막의모폴로지제어방법은가수분해및 축합반응이일어날수 있는습막(wet film)에외부에서부터물(HO)을공급함으로써졸-겔(sol-gel) 반응속도및 진행정도를제어하여원하는모폴로지를가지는금속산화물막을제조할수 있다. 또한, 습막을저온열처리하는공정을통해상대습도분위기에서발생하는가수분해를제어할수 있어모폴로지제어에더욱용이한효과가있다. 나아가, 본발명에따른모폴로지가제어된금속산화물막을태양전지광전극용으로사용할경우우수한성능의태양전지를제조할수 있는효과가있다.

    화합물 반도체 태양전지용 광흡수층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 화합물 반도체 태양전지용 광흡수층
    7.
    发明授权
    화합물 반도체 태양전지용 광흡수층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 화합물 반도체 태양전지용 광흡수층 有权
    用于化合物半导体太阳能电池的光吸收层的制备方法和由该方法制备的化合物半导体太阳能电池的光吸收层

    公开(公告)号:KR101706175B1

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:KR1020150154126

    申请日:2015-11-03

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명의해결하고자하는과제는광흡수층의코팅성이저하되는것을방지할수 있는스핀코팅방법을이용한화합물반도체태양전지용광흡수층의제조방법및 이에따라제조되는광흡수층, 상기제조방법을포함하는화합물반도체태양전지의제조방법및 이에따라제조되는태양전지를제공하는데있다. 상기과제를달성하기위하여본 발명은황(S) 또는셀렌(Se) 및안티몬(Sb) 을포함하는복수의전구체용액을제조하되, 상기복수의전구체용액은황 또는셀렌과안티몬의몰 농도비(S 또는 Se : Sb)가서로상이하도록제조하는단계(단계 1); 및상기제조된복수의전구체용액을차례로기판에스핀코팅하는단계(단계 2);를포함하는것을특징으로하는화합물반도체태양전지용광흡수층의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 스핀코팅방법으로광흡수층을형성함으로써반응시간이짧고공정이단순하며, 광흡수층을대면적으로제작하는데용이한장점이있으며, 나아가, 광흡수층의성분인황(S) 또는셀렌(Se)의함량을높이는경우에도광흡수층의표면모폴로지가조절되어코팅성저하가방지되는효과가있다.

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