-
公开(公告)号：WO2015046876A2
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008895
申请日：2014-09-24
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/072 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/0352 , H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 상면에 배면전극이 코팅된 기판;상기 배면전극의 상면에 형성된 3 차원 다공성 구조이며, P형 반도체 물질의 결정립들로 구성되는 P형 반도체 박막; 상기 P형 반도체 박막의 결정립 표면에 코팅되어 형성되는 N형 버퍼층; 및 P형 반 도체 박막 상부로 상기 N형 버퍼층이 결정립 표면에 형성되는 투명전극;을 포함하 는 3차원 P-N 접합구조 태양전지를 제공한다. 본 발명의 태양전지는 3차원 구조의 광활성 박막을 포함하는 P-N 접합 태양전지로써, 3차원 구조의 P형 반도체 박막의 결정립 표면에 N형의 버퍼층을 형성시킴에 따라 종래의 P-N접합구조 태양전지보다 더욱 향상된 광전변환효율을 나타낼 수 있다.
Abstract translation:
本发明的背面电极被涂覆在基底的上表面上;形成在所述背面电极的上表面上的三维多孔结构，由P型半导体材料的晶粒的P型半导体薄膜; 在P型半导体薄膜的晶粒表面上形成的N型缓冲层; 并且在晶粒表面上具有透明电极，其中N型缓冲层形成在P-N结太阳能电池表面上的P型半导体薄膜上。 本发明不是根据锡金三维结构的晶表面上形成N型的缓冲层的太阳能电池的常规PN结结构的太阳能电池中，P型半导体薄膜作为PN结太阳能电池，其包括具有三维结构的光活性薄膜 并且可以进一步提高光电转换效率。
-
公开(公告)号：KR102042656B1
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：KR1020130099638
申请日：2013-08-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/072
-
公开(公告)号：KR102021571B1
公开(公告)日：2019-09-16
申请号：KR1020180054927
申请日：2018-05-14
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
-
公开(公告)号：KR101978110B1
公开(公告)日：2019-05-13
申请号：KR1020190013807
申请日：2019-02-01
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/0392
-
公开(公告)号：KR101906712B1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：KR1020170022885
申请日：2017-02-21
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: C09K11/88 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 광흡수층 조성물, 이를 포함하는 투명태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명의 실시예를 따르는 하기 [화학식 1]로 표시되는 투명태양전지 광흡수층 조성물을 제공하며, 상기 화학식 1에서, A는 Bi(비스무스), Cu(구리), Ag(은), Zn(아연) 및 Sn(주석) 중 적어도 하나를 포함하고, 0≤m≤ 0.5, 0
(A
m Sb
1-m )
x (O
n (S
z Se
1-z )
1-n )
y-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101873474B1
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：KR1020160122932
申请日：2016-09-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본발명은적층형투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 상세하게는제1 전도성고분자층; 제2 전도성고분자층; 및상기상부전도성고분자층및 하부전도성고분자층사이에배치된금속층;을포함하는적층형투명전극및 이의제조방법에관한것이다.
-
7.发明公开셀렌화 및 황화 열처리를 통한 셀렌 및 황의 조성이 조절된 박막 태양전지 광흡수층의 제조방법 및 상기 광흡수층을 함유한 박막 태양전지 有权具有受控硒和薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池光吸收体的制造方法
公开(公告)号：KR20180034285A
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR20170124487
申请日：2017-09-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은셀렌화및 황화열처리를통한셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지광흡수층의제조방법및 상기광흡수층을함유한박막태양전지에관한것이다. 구체적으로본 발명에따른광흡수층내 셀렌및 황의조성이조절된박막태양전지의광흡수층제조는, 후면전극층상에금속, 금속황 또는금속셀렌을포함하는금속화합물전구체를증착하는단계; 순수셀렌금속을이용하여셀렌(Se)화공정을진행하는단계; 셀렌화공정후 잔유셀렌물질및 기화가스를제거(purge) 하는단계; 및황화수소(H2S) 가스주입및 황화열처리를순차적으로진행하는단계를포함한다. 본발명에따른방법은흡수층내에서셀렌과황의비율을적절하게조정하여밴드갭조절이가능한고품질의화합물태양전지의제조에유용하게활용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过硒化和硫化热处理来控制硒和硫的组成的薄膜太阳能电池光吸收层的制造方法以及包含该光吸收层的薄膜太阳能电池。 具体而言，该方法包括沉积包含的光内的光吸收层吸收控制薄膜太阳能电池中的硫成分的层和硒制造的金属化合物前体中，金属背面电极层，在根据本发明的金属硫或硒金属; 使用纯硒金属进行硒化工艺; 添加硒后，清除残留的硒物质和蒸发气体; 以及依次注入硫化氢（H 2 S）气体和硫化热处理的步骤。 根据本发明的方法可以有效地用于制造能够通过适当调节吸收层中硒与硫的比率来调节带隙的高质量化合物太阳能电池。
-
公开(公告)号：KR101674399B1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020140097247
申请日：2014-07-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/072 , H01L31/0749 , H01L31/0445 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은상면에배면전극이코팅된기판; 상기배면전극의상면에형성된 3차원다공성구조의 P형반도체박막; 상기 3차원다공성 P형반도체박막표면에코팅되어형성된 N형버퍼층; 및상기 N형버퍼층이형성된 3차원다공성 P형반도체박막상부로형성되는투명전극;을포함하는 3차원 P-N 접합구조태양전지에관한것이다. 본발명의태양전지는 3차원구조의광활성박막을포함하는 P-N 접합태양전지로써, 3차원구조의 P형반도체박막의표면으로 N형의버퍼층을형성시킴에따라종래의 CZTS 태양전지보다더욱향상된광전변환효율을나타낼수 있다. 또한, 그제조방법에있어서도, 용액공정과같은저비용공정을통해간단히제조할수 있는바제조비용면에서도경제적인이득이있는장점이있다.
-
公开(公告)号：KR101632631B1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：KR1020150043102
申请日：2015-03-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는 Zn(O, S) 버퍼층을원자층증착법으로형성하여정확한비율의 Zn(O, S) 버퍼층의제조가가능한 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것이다. 본발명에따른 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법은 CZTS의광흡수층상에 Zn(O, S)의버퍼층을원자층증착법으로형성시켜, Zn(O, S)의버퍼층의산화아연(ZnS), 황화아연(ZnO)의비율을정확하게제어할수 있으며, 원자층증착법에의해 CZTS계의광흡수층과접촉되는계면의품질이향상되어계면에서전류와전압의손실이저하되는효과가있으며, 기존의버퍼층에서사용되는물질인 CdS를사용하지않아제조공정상의환경오염문제를해결할수 있다.
-
公开(公告)号：KR101602916B1
公开(公告)日：2016-03-14
申请号：KR1020140062942
申请日：2014-05-26
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H02J3/46
Abstract: 본발명은스마트마이크로그리드운영장치및 그방법에관한것이다. 본발명에따른스마트마이크로그리드운영장치는상기스마트마이크로그리드로부터해당구역의분산전원발전량, 전력사용량및 에너지저장량중에서하나이상을포함하는정보를수집하여저장하는정보수집부; 상기수집된정보를이용하여전력부족구역과전력잉여구역을판단하여연계장치를통해상기전력부족구역과상기전력잉여구역의스마트마이크로그리드를연계시키는연계제어부; 및상기연계될구역의변압기의 2차측전압이서로동일하도록제어하는전압제어부를포함한다. 이와같이본 발명에따르면, 구역스마트마이크로그리드상호간잉여전력을효율적으로관리할수 있으며전력거래도가능하다. 또한, 발전된전력을스마트마이크로그리드간에최적화할 수있어서국가전력수급에기여할수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
193
records
(took 0.025 seconds)
