公开(公告)号：WO2012157853A2

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/KR2012/003037

申请日：2012-04-20

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 ,  백성호 ,  김재현 ,  김성빈

Inventor： 백성호 ,  김재현 ,  김성빈

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/50

Abstract: 상기의 기술적 과제를 이루기 위한 본 출원의 일 측면에 따른 실리콘 태양 전지의 제조 방법이 개시된다. 상기 실리콘 태양 전지의 제조 방법에 있어서, 먼저, 제1 도전형으로 도핑된 실리콘 기판을 준비한다. 상기 실리콘 기판 상에 상기 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 에미터층을 형성한다. 상기 에미터층을 가공하여 상기 에미터층의 광흡수 표면적을 증가시킨다. 상기 가공된 에미터층 상에 산화아연 시드층을 수열합성법에 의하여 형성한다. 상기 산화아연 시드층으로부터 나노막대 형태의 산화아연 반사방지층을 수열합성법에 의하여 성장시킨다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种根据本申请的一个方面的硅太阳能电池的制造方法。 在制造硅太阳能电池的方法中，首先，制备以第一导电类型掺杂的硅衬底。 在硅衬底上形成与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层。 通过处理发射极层来增加发射极层的光吸收表面积。 使用水热法在经处理的发射极层上形成氧化锌籽晶层。 使用水热法从氧化锌种子层生长具有纳米棒形状的氧化锌防反射层。

公开(公告)号：KR101080612B1

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：KR1020090126665

申请日：2009-12-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 장환수 ,  김재현 ,  우성호 ,  백성호 ,  최호진 ,  김성빈

IPC: H01L21/306

Abstract: 본발명에의하여, 보다단순화된공정으로전기화학적식각에사용될역피라미드모양의식각구멍(etch pit)을규칙적이면서주기적으로형성할수 있게된다.

公开(公告)号：KR101078812B1

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：KR1020100018980

申请日：2010-03-03

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 장환수 ,  김재현 ,  백성호 ,  최호진 ,  김성빈

IPC: B29C33/38 ,  B29D11/00 ,  H01L21/302

Abstract: 본명세서에서는비구면형태의실리콘몰드, 마이크로렌즈어레이및 상기실리콘몰드와마이크로렌즈어레이를제조하는방법을제공한다. 본명세서의일 실시예에따른비구면형태의실리콘몰드를제조하는방법은기판의일면에산화막을증착하고, 상기증착한산화막에포토레지스트를도포하는단계, 상기도포된포토레지스트에소정의간격을가지도록패터닝하여포토레지스트마스크를형성하는단계, 상기패터닝된포토레지스트마스크에대하여소정의전해질용액으로에칭하는단계, 및상기에칭이완료된기판의산화막을제거하는단계를포함하며, 상기전해질용액은 HF와 DMSO가포함되어있는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020110099948A

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：KR1020100018980

申请日：2010-03-03

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 장환수 ,  김재현 ,  백성호 ,  최호진 ,  김성빈

IPC: B29C33/38 ,  B29D11/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: B29C33/3842 ,  B29D11/00019 ,  B29D11/0048 ,  B29K2883/00 ,  H01L21/3063

Abstract: 본 명세서에서는 비구면 형태의 실리콘 몰드, 마이크로 렌즈 어레이 및 상기 실리콘 몰드와 마이크로 렌즈 어레이를 제조하는 방법을 제공한다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 비구면 형태의 실리콘 몰드를 제조하는 방법은 기판의 일면에 산화막을 증착하고, 상기 증착한 산화막에 포토 레지스트를 도포하는 단계, 상기 도포된 포토 레지스트에 소정의 간격을 가지도록 패터닝하여 포토 레지스트 마스크를 형성하는 단계, 상기 패터닝된 포토 레지스트 마스크에 대하여 소정의 전해질 용액으로 에칭하는 단계, 및 상기 에칭이 완료된 기판의 산화막을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 전해질 용액은 HF와 DMSO가 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101132273B1

公开(公告)日：2012-04-02

申请号：KR1020090131623

申请日：2009-12-28

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 우성호 ,  김재현 ,  백성호 ,  장환수 ,  최호진 ,  김성빈

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/072

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 하이브리드 태양전지 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 개시의 일 실시 예로서, 서로 대향하는 두 전극 사이에 N형 실리콘 계 나노 구조체 및 P형 유기반도체가 혼합된 층 또는 P형 실리콘 계 나노 구조체 및 N형 유기반도체가 혼합된 층을 적어도 한 층 이상 포함하고 있는 하이브리드 태양전지가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120015512A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：KR1020100077669

申请日：2010-08-12

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 최호진 ,  장환수 ,  김재현 ,  백성호 ,  김성빈 ,  오병윤

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01L31/02363

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon wire structure is provided to reduce a width of a silicon wire by forming a plurality of etch pits in a region of the same area. CONSTITUTION: A mask layer is patterned on a silicon wafer(S1). A part of the silicon wafer, which is not covered with the mask layer, is chemically etched with a metallic catalyst(S2). Residual metal is removed from the silicon wafer after chemical etching with the metallic catalyst(S3). The silicon wafer including an etch pit is formed by eliminating the mask layer(S4). A silicon wire array is formed by electrochemically etching silicon wafer including the etch pit(S5).

Abstract translation: 目的：提供一种制造硅线结构的方法，通过在相同区域的区域中形成多个蚀刻凹坑来减小硅线的宽度。 构成：在硅晶片上形成掩模层（S1）。 未被掩模层覆盖的硅晶片的一部分用金属催化剂进行化学蚀刻（S2）。 用金属催化剂进行化学蚀刻后，从硅晶片除去残余金属（S3）。 通过消除掩模层形成包括蚀刻坑的硅晶片（S4）。 通过电化学蚀刻包括蚀刻坑的硅晶片形成硅线阵列（S5）。

公开(公告)号：KR1020110075233A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：KR1020090131623

申请日：2009-12-28

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 우성호 ,  김재현 ,  백성호 ,  장환수 ,  최호진 ,  김성빈

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/072

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/42 ,  H01L31/072

Abstract: PURPOSE: A hybrid solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve low charge mobility and electrical conductivity of an organic semiconductor material by using an inorganic material. CONSTITUTION: A hybrid solar battery comprises a substrate(100), a transparent electrode(110), a buffer layer(120), a mixture layer(130A) including a silicon nano structure and an organic semiconductor, and an upper electrode(140). The transparent electrode is arranged on the substrate. The buffer layer can be formed on the transparent electrode(110). A mixed layer of an N type silicon-based nano structure and a P type organic semiconductor or a mixed layer of a P type silicon-based nano structure and an N type organic semiconductor is formed between the two facing electrodes.

Abstract translation: 目的：提供一种混合太阳能电池及其制造方法，以通过使用无机材料来改善有机半导体材料的低电荷迁移率和导电性。 构成：混合太阳能电池包括基板（100），透明电极（110），缓冲层（120），包括硅纳米结构和有机半导体的混合层（130A）和上电极（140） 。 透明电极配置在基板上。 缓冲层可以形成在透明电极（110）上。 在两个相对的电极之间形成N型硅基纳米结构和P型有机半导体的混合层或P型硅基纳米结构和N型有机半导体的混合层。

公开(公告)号：KR101264877B1

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：KR1020100077669

申请日：2010-08-12

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 최호진 ,  장환수 ,  김재현 ,  백성호 ,  김성빈 ,  오병윤

IPC: H01L21/306

Abstract: 실리콘웨이퍼위에마스크층을패터닝하는단계; 상기마스크층으로덮이지않은상기실리콘웨이퍼의일부를금속촉매화학적식각하는단계; 상기금속촉매화학적식각이후상기실리콘웨이퍼로부터잔존금속을제거하는단계; 상기잔존금속제거이후상기마스크층을제거하여에치피트가형성된실리콘웨이퍼를얻는단계; 및상기에치피트가형성된상기실리콘웨이퍼를전기화학적식각처리하여실리콘와이어어레이를형성하는단계를포함하는실리콘와이어구조체의제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020110070026A

公开(公告)日：2011-06-24

申请号：KR1020090126665

申请日：2009-12-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 장환수 ,  김재현 ,  우성호 ,  백성호 ,  최호진 ,  김성빈

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A method for forming an etching hole for electrochemical etching is provided to form an etching hole of a reverse pyramid shape, thereby shortening the number of manufacturing processes. CONSTITUTION: A polystyrene particle(402) is regularly and periodically formed on a semiconductor substrate. The semiconductor substrate is processed by heat. The semiconductor substrate is etched by reactive ions with the polystyrene particle as an etching mask until an etching hole of a reverse pyramid shape is formed on the semiconductor substrate. The polystyrene particle is eliminated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成用于电化学蚀刻的蚀刻孔的方法，以形成反锥形蚀刻孔，从而缩短了制造工艺的数量。 构成：在半导体衬底上规则地和周期地形成聚苯乙烯颗粒（402）。 半导体衬底被加热处理。 通过与聚苯乙烯粒子的反应离子蚀刻半导体衬底作为蚀刻掩模，直到在半导体衬底上形成反锥体形状的蚀刻孔。 消除聚苯乙烯颗粒。

公开(公告)号：KR1020130009997A

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：KR1020127027886

申请日：2012-04-20

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 백성호 ,  김재현 ,  김성빈

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce a refractive index in comparison with an antireflection layer of a thin film structure by applying zinc oxide of a nanorod structure with an air gap to an antireflection layer of a silicon solar cell. CONSTITUTION: A light absorption layer(210) includes silicon doped with a P type or N type. An emitter layer(220) includes silicon with opposite conductive type to the light absorption layer. A first electrode(230) is formed on the lower side of the light absorption layer. A second electrode is formed on a part of the emitter layer. An antireflection layer(250) includes a fine structure(221) of a microsize and an ultra fine structure(251) of a nanosize.

Abstract translation: 目的：提供硅太阳能电池及其制造方法，通过将具有气隙的纳米棒结构的氧化锌应用于硅太阳能电池的防反射层，与薄膜结构的抗反射层相比减小折射率 。 构成：光吸收层（210）包括掺杂有P型或N型的硅。 发射极层（220）包括与光吸收层相反的导电类型的硅。 第一电极（230）形成在光吸收层的下侧。 第二电极形成在发射极层的一部分上。 抗反射层（250）包括微尺寸的精细结构（221）和纳米尺寸的超细结构（251）。