公开(公告)号：WO2014027759A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：PCT/KR2013/006335

申请日：2013-07-16

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 한철구 ,  노정현 ,  이준호 ,  하민우 ,  이정호

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/872

Abstract: 질화물 반도체 다이오드가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 다이오드는 질화물 반도체 기판과, 질화물 반도체 기판 위에 서로 이격 배치된 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하는 질화물 반도체 다이오드에 있어서, 질화물 반도체 기판 및 캐소드 전극 사이에 형성되고 n형으로 도핑된 제1 질화물 반도체층을 더 포함하고, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 애노드 전극 방향으로 연장되어 형성되는 연장부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体二极管。 根据本发明的一个实施例的氮化物半导体二极管包括：氮化物半导体衬底; 以及在所述氮化物半导体衬底上彼此间隔开的阳极电极和阴极电极，其中，所述氮化物半导体二极管还包括形成在所述氮化物半导体衬底和所述阴极电极之间并掺杂在n 并且第一氮化物半导体层包括朝向阳极电极延伸的延伸部分。

公开(公告)号：KR101339762B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120089924

申请日：2012-08-17

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 한철구 ,  노정현 ,  이준호 ,  하민우 ,  이정호

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/872

Abstract: A nitride semiconductor diode is disclosed. The nitride semiconductor diode according to one embodiment of the present invention includes: a nitride semiconductor substrate; and anode and cathode electrodes which are separately arranged on the nitride semiconductor substrate. The nitride semiconductor diode more includes a first nitride semiconductor layer formed between the nitride semiconductor substrate and the cathode electrode and doped in an n-type. The first nitride semiconductor layer includes an extended part which is formed by being extended in the anode electrode direction.

Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体二极管。 根据本发明的一个实施例的氮化物半导体二极管包括：氮化物半导体衬底; 以及分别布置在氮化物半导体衬底上的阳极和阴极电极。 氮化物半导体二极管还包括形成在氮化物半导体衬底和阴极之间并以n型掺杂的第一氮化物半导体层。 第一氮化物半导体层包括通过在阳极电极方向延伸而形成的延伸部分。