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公开(公告)号：WO2021132799A1
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：PCT/KR2020/002160
申请日：2020-02-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/1455 , A61B5/00 , A61B5/1495
Abstract: 본 발명은 상시 혈당과 같은 혈액 상태를 확인해야 하는 환자들의 심리적 안정과 검사 소요시간 및 불편함 해소하기 위해서 비침습형으로 혈액 상태를 측정하는 데 있어서, 측정의 정확도 및 정밀도를 높히는 방식의 혈액측정 방법 및 장치을 제안한다. 혈액성분 측정을 위한 광학식 비침습 측정에서 있어서 측정 대상자, 측정 위치, 환경 등의 영향에 따라 측정하고자 하는 혈액성분과 관계없는 신호 변위를 제거하기 위한 기준점을 확립하기 위하여 측정대상자 개인별로 자가기준점(self-reference)을 설정하여 혈액성분을 측정하기 위하여, 1차원 선형 배열 이미지센서를 이용하여 각 측정대상자 개인의 피부표면에서 기준점을 인식 및 설정하고 이 기준점에서의 광 세기와 다른 지점에서 측정된 광 세기로부터 혈당 등 혈액성분의 농도를 산정한다.
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公开(公告)号：WO2020130571A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/KR2019/017876
申请日：2019-12-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00 , A61B5/1455 , A61B5/145
Abstract: 본 발명의 비침습형 혈액 검사 장치에서의 혈액 검사 방법은, 본 발명의 비침습형 혈액 검사 장치에 따르면, 혈액 성분에 따라서 투과형 검사 모드 및 반사형 검사 모드 중 어느 하나의 검사 모들의 선택이 가능하도록 듀얼 모드를 지원한다.
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公开(公告)号：WO2014027759A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/KR2013/006335
申请日：2013-07-16
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/2003 , H01L29/872
Abstract: 질화물 반도체 다이오드가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 다이오드는 질화물 반도체 기판과, 질화물 반도체 기판 위에 서로 이격 배치된 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하는 질화물 반도체 다이오드에 있어서, 질화물 반도체 기판 및 캐소드 전극 사이에 형성되고 n형으로 도핑된 제1 질화물 반도체층을 더 포함하고, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 애노드 전극 방향으로 연장되어 형성되는 연장부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体二极管。 根据本发明的一个实施例的氮化物半导体二极管包括：氮化物半导体衬底; 以及在所述氮化物半导体衬底上彼此间隔开的阳极电极和阴极电极，其中，所述氮化物半导体二极管还包括形成在所述氮化物半导体衬底和所述阴极电极之间并掺杂在n 并且第一氮化物半导体层包括朝向阳极电极延伸的延伸部分。
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公开(公告)号：KR1020120073865A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020100135767
申请日：2010-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/737 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/4236 , H01L29/7783
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor device including a fine gate contact hole and a manufacturing method thereof are provided to suppress the deformation of a gate electrode due to mechanical and thermal stress by securing a connection area between a filling part and an outer part of the gate contact hole. CONSTITUTION: Nitride based epitaxial layers(20,30,40) are formed on a base substrate(10). A source electrode(61) and a drain electrode(63) are formed on the epitaxial layer with a preset interval. A protection layer(70) is located between the source electrode and the drain electrode and includes a gate contact hole(76) of a narrow incline structure. A gate electrode(65) is formed on the protection layer of the upper side of the gate contact hole.
Abstract translation: 目的：提供包括精细栅极接触孔的氮化物半导体器件及其制造方法，以通过确保栅极接触的填充部分和外部之间的连接区域来抑制由于机械和热应力引起的栅电极的变形 孔。 构成：在基底（10）上形成氮化物基外延层（20,30,40）。 源极电极（61）和漏电极（63）以预设的间隔形成在外延层上。 保护层（70）位于源电极和漏电极之间，并且包括窄斜面结构的栅极接触孔（76）。 栅极电极（65）形成在栅极接触孔的上侧的保护层上。
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公开(公告)号：KR1020120069468A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66212 , H01L29/454 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high voltage GaN Schottky barrier diode is provided to reduce metal spike by dropping an annealing temperature of an ohmic contact. CONSTITUTION: An ohmic contact(50) is formed by annealing a doped GaN layer(40) at 700 to 800 degrees centigrade for 30 to 60 seconds. A recess(43) is formed on the doped GaN layer separated from the ohmic contact area. A Schottky contact(60) is formed in the recess. A protection layer(70) is formed on the upper side of the substrate to cover an exposed part. The protection layer exposes the ohmic contact and the Schottky contact.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造高电压GaN肖特基势垒二极管的方法，通过降低欧姆接触的退火温度来减少金属尖峰。 构成：通过在700至800摄氏度下对掺杂的GaN层（40）退火30至60秒形成欧姆接触（50）。 在与欧姆接触区域分离的掺杂GaN层上形成凹部（43）。 肖特基接触件（60）形成在凹部中。 保护层（70）形成在基板的上侧以覆盖露出部分。 保护层暴露了欧姆接触和肖特基接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110098579A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100018258
申请日：2010-02-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/318 , H01L21/02225 , H01L29/42312 , H01L29/778
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 표면 전처리를 통한 질화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 기판 상에 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층을 적층한다. 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층의 일부를 제거하여 버퍼층과 접촉되도록 소스, 드레인, 바디 및 게이트 전극을 형성한다. 장벽층의 표면에 플라즈마 처리를 수행한다. 그리고 장벽층 및 소스, 드레인, 바디 및 게이트 전극을 덮도록 보호층을 형성한다. 이와 같이 본 발명은 질화물 에피층 상에 보호층을 형성하기 전, 플라즈마를 이용하여 표면의 불순물을 제거한 후, 진공 상태에서 보호층을 증착함으로써, 계면 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101027970B1
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020080017334
申请日：2008-02-26
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 강유전체를 이용한 가변 커패시터를 이용하여 주변 환경에 따른 증폭기의 임피던스 변화에도 최적의 효율 및 선형성을 가질 수 있는 가변 정합회로를 포함하는 증폭기 및 그 패키지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 강유전체를 이용한 가변 내부 정합회로를 구비한 증폭기는, 기판에 형성된 강유전체의 유전율을 변화시켜 커패시터의 용량값을 변화할 수 있는 가변 커패시터 및 패드와 패드 사이의 거리, 와이어의 두께, 높이 및 재질 중 적어도 어느 하나를 변동함으로써 인덕턴스 값을 조정할 수 있는 세선용접(Bond Wire) 형태로 구성된 가변 인덕터를 포함하여 구성된다.
본 발명은 강유전체 소재를 사용한 가변 커패시터를 적용하여 커패시터 및 증폭기 패키지의 소형화를 이룰 수 있다. 또한 외부 환경이나 온도 변화 등의 변화에 따른 증폭기의 임피던스 변화를 보정하여 증폭기의 효율성 및 선형성을 유지할 수 있는 장점이 있다.
강유전체, Ferroelectrics, 정합회로, Matching Network, 전력증폭기, 가변 회로, Tunable Matching Network-
公开(公告)号：KR1020110033969A
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020090091353
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/12 , H01L31/02002 , H01L31/0232 , H01L31/052 , H01L33/62
Abstract: PURPOSE: A package module integrate with a light emitting device and a light receiving device is provided to reduce an integration volume by integrating the light emitting device and the light receiving device with one package. CONSTITUTION: A light emitting device module(200) includes a light emitting device(210) and an optical device which faces an object by controlling a light emitting axis of the light emitting device. A light receiving device module(100) includes a light receiving device(110) which receives fluorescence from the object and is integrated with the light emitting device module.
Abstract translation: 目的：提供与发光器件集成的封装模块和光接收器件，以通过将发光器件和光接收器件集成在一个封装中来减小积分体积。 构成：发光器件模块（200）包括通过控制发光器件的发光轴而面对物体的发光器件（210）和光学器件。 光接收装置模块（100）包括光接收装置（110），其接收来自物体的荧光并与发光装置模块集成。
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公开(公告)号：KR1020100034921A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094166
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/744
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003 , H01L29/66462
Abstract: PURPOSE: As to the nitride system high electron movement, transistor and manufacturing method thereof makes low the Al content of the lower region of the gate electrode of the barrier. The normal off property is embodied. CONSTITUTION: The nitride system high electron movement is transistor comprises the buffer layer(230), the first barrier(252), the second barrier(251), the gate electrode(280), the source electrode and drain electrode. The buffer layer comprises discontinuous 2DEG layer. The first barrier is included of AlyGa1-yN. The second barrier is formed on the top of the buffer layer except for the first barrier. The second barrier is included of AlxGa1-xN. The gate electrode is formed in upper part the first barrier.
Abstract translation: 目的：对于氮化物系高电子运动，晶体管及其制造方法使栅极栅电极的下部区域的Al含量降低。 正常的关闭属性是体现的。 构成：氮化物系高电子运动是晶体管，包括缓冲层（230），第一势垒（252），第二势垒（251），栅电极（280），源电极和漏电极。 缓冲层包括不连续的2DEG层。 第一个障碍包括AlyGa1-yN。 除了第一屏障之外，第二屏障形成在缓冲层的顶部。 第二个屏障包括AlxGa1-xN。 栅电极形成在第一屏障的上部。
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公开(公告)号：KR100799312B1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060094048
申请日：2006-09-27
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H03F3/45183 , H03F1/3205 , H03M1/12
Abstract: A current signal processing circuit and a method thereof are provided to widen a dynamic range of a whole system by performing a plurality of current-voltage conversion and analog-digital conversion for the current signal. A current signal processing circuit includes a transimpedance amplifier(20), a first Analog to Digital Converter(ADC)(30), an adjustment current generator(40), and a second ADC(50). The transimpedance amplifier receives and transforms a first current signal into a first voltage signal. The first ADC converts the first voltage signal into a first digital signal. The adjustment current generator generates a reference current, and generates an adjustment current for inputting a second current signal to the transimpedance amplifier by using the first digital signal from the reference signal. The second ADC converts the second current signal to a second digital signal.
Abstract translation: 提供一种电流信号处理电路及其方法，通过对当前信号执行多个电流 - 电压转换和模数转换，来扩大整个系统的动态范围。 电流信号处理电路包括跨阻抗放大器（20），第一模数转换器（ADC）（30），调整电流发生器（40）和第二ADC（50）。 跨阻放大器接收并将第一电流信号变换为第一电压信号。 第一ADC将第一电压信号转换成第一数字信号。 调节电流发生器产生参考电流，并且通过使用来自参考信号的第一数字信号产生用于将第二电流信号输入到跨阻抗放大器的调整电流。 第二ADC将第二电流信号转换成第二数字信号。
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