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公开(公告)号：WO2014027759A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/KR2013/006335
申请日：2013-07-16
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/2003 , H01L29/872
Abstract: 질화물 반도체 다이오드가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 다이오드는 질화물 반도체 기판과, 질화물 반도체 기판 위에 서로 이격 배치된 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하는 질화물 반도체 다이오드에 있어서, 질화물 반도체 기판 및 캐소드 전극 사이에 형성되고 n형으로 도핑된 제1 질화물 반도체층을 더 포함하고, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 애노드 전극 방향으로 연장되어 형성되는 연장부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体二极管。 根据本发明的一个实施例的氮化物半导体二极管包括：氮化物半导体衬底; 以及在所述氮化物半导体衬底上彼此间隔开的阳极电极和阴极电极，其中，所述氮化物半导体二极管还包括形成在所述氮化物半导体衬底和所述阴极电极之间并掺杂在n 并且第一氮化物半导体层包括朝向阳极电极延伸的延伸部分。
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公开(公告)号：KR101471351B1
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020120155268
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
Abstract: 본발명은 N- 질화갈륨에피택시웨이퍼를 P+ 실리콘웨이퍼와금속솔더로접합하여구현한하이브리드수직형질화갈륨다이오드의구조및 그제조방법에관한것이다. 기판위에 N- 질화갈륨에피택시웨이퍼를성장시킨후, N- 질화갈륨에피택시웨이퍼의상단에금속패턴을결합하고, 금속패턴에의해 N- 질화갈륨에피택시웨이퍼를 P+ 실리콘웨이퍼와결합한다. 웨이퍼박판화공정을통해기판을제거한후, N- 질화갈륨에피택시웨이퍼의하부면에후면오믹컨택을형성하고, P+ 실리콘웨이퍼의상부면에액티브영역을결정하는전면오믹컨택을형성한다. P+ 실리콘웨이퍼를선택적으로식각하여에지터미네이션을위한플로팅 P+ 실리콘접합을형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140085082A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155268
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/454 , H01L29/458 , H01L29/66136
Abstract: The present invention relates to a structure of a hybrid vertical gallium nitride diode composed by joining an N- gallium nitride epitaxy wafer and a P+ silicon wafer with metallic solder and a method of fabricating the same. After the N- gallium nitride epitaxy wafer is grown on a substrate, a metal pattern is combined on the N- gallium nitride epitaxy wafer, and the N- gallium nitride epitaxy wafer and the P+ silicon wafer are combined with the metal pattern. After the substrate is removed through a wafer thinning process, a rear surface ohmic contact is formed on the lower surface of the N- gallium nitride epitaxy wafer, and a front surface ohmic contact which determines an active region is formed on the upper surface of the P+ silicon wafer. A floating P+ silicon wafer junction for an edge termination may be formed by selectively etching the P+ silicon wafer.
Abstract translation: 本发明涉及通过用氮化镓外延晶片和P +硅晶片与金属焊料接合而构成的混合垂直氮化镓二极管的结构及其制造方法。 在氮化镓外延晶片在基板上生长之后，在氮化镓外延晶片上组合金属图案，并且将氮化镓外延晶片和P +硅晶片与金属图案组合。 在通过晶片减薄处理去除衬底之后，在氮化镓外延晶片的下表面上形成后表面欧姆接触，并且确定有源区的前表面欧姆接触形成在 P +硅晶片。 可以通过选择性蚀刻P +硅晶片来形成用于边缘终止的浮动P +硅晶片结。
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公开(公告)号：KR101197174B1
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
Abstract: 본 발명은 고전압 질화물 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 오믹 접합의 어닐링 온도를 낮추어 질화물 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류의 원인인 금속 스파이크(metal spikes)를 줄이고, 쇼트키 접합 영역에 리세스 구조를 형성하여 높은 항복 전압을 확보하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 상부면에 전이층, 도핑되지 않은 GaN층 및 도핑된 GaN층이 순차적으로 적층된 기판을 준비한다. 도핑된 GaN층 위에 700 내지 800℃에서 30 내지 60초간 어닐링하여 오믹 접합을 형성한다. 오믹 접합이 형성된 영역에서 이격된 도핑된 GaN층에 리세스를 형성한다. 리세스 쇼트키 접합을 형성한다. 그리고 기판의 상부면으로 노출된 부분을 덮도록 보호층을 형성하되, 오믹 접합 및 쇼트키 접합 부분이 노출되게 보호층을 형성한다. 이때 쇼트키 접합은 도핑되지 않은 GaN층이 노출되게 도핑된 GaN층 부분을 식각하여 리세스를 형성하고, 리세스가 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 1차 어닐링한 후, 리세스에 쇼트키 금속을 형성하고, 쇼트키 금속이 형성된 기판을 400 내지 500℃에서 3 내지 10분간 2차 어닐링하여 형성한다.
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公开(公告)号：KR101067653B1
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020090091353
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0232
Abstract: 본 발명은 광학 기기를 구비한 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 발광하는 발광 소자와, 상기 발광 소자의 발광 축을 조절하여 대상체에 대향하도록 하는 광학 장치를 포함하는 발광 소자 모듈; 및 상기 발광에 따라 형광을 발산하는 대상체에 대향하여 상기 형광을 수광하는 수광 소자를 구비하며 상기 발광 소자 모듈과 일체로 형성되는 수광 소자 모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 기기를 구비한 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈을 제공한다.
발광 소자, 수광 소자. 광학 기기, 밴드패스 필터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101339762B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120089924
申请日：2012-08-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/475 , H01L29/2003 , H01L29/872
Abstract: A nitride semiconductor diode is disclosed. The nitride semiconductor diode according to one embodiment of the present invention includes: a nitride semiconductor substrate; and anode and cathode electrodes which are separately arranged on the nitride semiconductor substrate. The nitride semiconductor diode more includes a first nitride semiconductor layer formed between the nitride semiconductor substrate and the cathode electrode and doped in an n-type. The first nitride semiconductor layer includes an extended part which is formed by being extended in the anode electrode direction.
Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体二极管。 根据本发明的一个实施例的氮化物半导体二极管包括：氮化物半导体衬底; 以及分别布置在氮化物半导体衬底上的阳极和阴极电极。 氮化物半导体二极管还包括形成在氮化物半导体衬底和阴极之间并以n型掺杂的第一氮化物半导体层。 第一氮化物半导体层包括通过在阳极电极方向延伸而形成的延伸部分。
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公开(公告)号：KR101069197B1
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 대상체에 대향하여 발광하는 발광 소자; 상기 발광에 따라 형광을 발산하는 대상체에 대향하여 상기 발광하는 발광 소자 및 상기 형광을 수광하는 수광 소자; 상기 수광 소자를 포함하며, 상면의 일부를 개구하는 홀을 구비하는 판형의 수광 소자 모듈; 및 상기 발광 소자를 포함하며, 상기 수광 소자 모듈의 홀을 통해 상기 발광 소자가 발광하도록 상기 홀 내부에 설치되는 발광 소자 모듈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 및 수광 소자가 일체로 형성된 패키지 모듈을 제공한다.
발광 소자, 수광 소자, 패키지, 광디텍터, 레이저 다이오드-
公开(公告)号：KR1020110033744A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: An integrated luminous element and a photo-detector package module are provided to implement a light emitting operation and a light receiving operation by making a light emitting device and a light receiving device opposite to each other. CONSTITUTION: In an integrated luminous element and a photo-detector package module, a light emitting device(210) radiates light to a target. A light receiving device(110) receives fluorescent light from a target. A light receiving device module(100) includes an opening opens a part of the module. The light emitting device module(200) is installed in a hole to enable the light emitting device to radiate light through the hole of the light receiving device module. The light emitting device module includes a heat sink with holes on the top thereof.
Abstract translation: 目的：提供集成的发光元件和光电检测器封装模块，以通过使发光器件和光接收器件彼此相对地实现发光操作和光接收操作。 构成：在集成发光元件和光电检测器封装模块中，发光器件（210）将光辐射到目标。 光接收装置（110）从目标接收荧光。 光接收装置模块（100）包括开口部分的模块。 发光器件模块（200）安装在孔中以使得发光器件能够通过光接收器件模块的孔辐射光。 发光器件模块包括在其顶部具有孔的散热器。
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公开(公告)号：KR1020120069468A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66212 , H01L29/454 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high voltage GaN Schottky barrier diode is provided to reduce metal spike by dropping an annealing temperature of an ohmic contact. CONSTITUTION: An ohmic contact(50) is formed by annealing a doped GaN layer(40) at 700 to 800 degrees centigrade for 30 to 60 seconds. A recess(43) is formed on the doped GaN layer separated from the ohmic contact area. A Schottky contact(60) is formed in the recess. A protection layer(70) is formed on the upper side of the substrate to cover an exposed part. The protection layer exposes the ohmic contact and the Schottky contact.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造高电压GaN肖特基势垒二极管的方法，通过降低欧姆接触的退火温度来减少金属尖峰。 构成：通过在700至800摄氏度下对掺杂的GaN层（40）退火30至60秒形成欧姆接触（50）。 在与欧姆接触区域分离的掺杂GaN层上形成凹部（43）。 肖特基接触件（60）形成在凹部中。 保护层（70）形成在基板的上侧以覆盖露出部分。 保护层暴露了欧姆接触和肖特基接触。
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公开(公告)号：KR1020110033969A
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020090091353
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/12 , H01L31/02002 , H01L31/0232 , H01L31/052 , H01L33/62
Abstract: PURPOSE: A package module integrate with a light emitting device and a light receiving device is provided to reduce an integration volume by integrating the light emitting device and the light receiving device with one package. CONSTITUTION: A light emitting device module(200) includes a light emitting device(210) and an optical device which faces an object by controlling a light emitting axis of the light emitting device. A light receiving device module(100) includes a light receiving device(110) which receives fluorescence from the object and is integrated with the light emitting device module.
Abstract translation: 目的：提供与发光器件集成的封装模块和光接收器件，以通过将发光器件和光接收器件集成在一个封装中来减小积分体积。 构成：发光器件模块（200）包括通过控制发光器件的发光轴而面对物体的发光器件（210）和光学器件。 光接收装置模块（100）包括光接收装置（110），其接收来自物体的荧光并与发光装置模块集成。
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