公开(公告)号：KR101467118B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020130123566

申请日：2013-10-16

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 강현철 ,  박신영 ,  노도영 ,  이수용

IPC: B82B3/00 ,  C01G15/00

Abstract: 본 발명은 산화갈륨(β-Ga
2 O
3 ) 나노와이어의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스퍼터링 방법을 이용하여 자가-촉매 성장에 따른 산화갈륨 나노와이어의 대량 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스퍼터링 방법을 이용한 산화갈륨 나노와이어의 제조방법은 소결 처리하는 않은 산화갈륨 분말 자체를 스퍼터링 타겟으로 사용함으로써 고가의 비용이 드는 소결 처리 비용을 절감시킬 수 있고, 금속 씨드를 사용하지 않고, 종래 기술에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서 산화갈륨 나노와이어를 제조할 수 있으므로 제조비용을 줄일 수 있으며, 분말로 인해 나노와이어의 성장 속도가 증가함으로써 생산효율을 증진시킬 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种氧化镓（β-Ga_2O_3）纳米线制造方法，更具体地说，涉及通过溅射法大量生产氧化镓纳米线的氧化镓纳米线制造方法。 使用根据本发明的溅射方法的氧化镓纳米线制造方法能够通过使用不作为溅射靶烧结的氧化镓粉末而不使用金属种子来降低烧结工艺成本，因为能够降低制造成本，因为氧化镓 与常规方法相比能够在相对低的温度下制造，并且通过增加粉末的纳米线的生长速度能够提高生产效率。