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公开(公告)号：KR1020170055159A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150157988
申请日：2015-11-11
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/263 , H01L21/268 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에관한것으로, 본발명에따른방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에따르면, 금전구체수용액에 NaHCO시약분말을혼합하여사용함에따라서 10-25 nm의작은크기분포를갖는금 나노입자를합성할수 있고, 또한금 전구체수용액에나노와이어기판을담그고고정한다음방사선에주사노출(scanning)하는방법을사용함에따라서나노와이어표면상에금 나노입자가더욱균일하게분포될수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用辐射制造与金纳米颗粒结合的纳米线单层的方法。根据本发明的用于制造用金纳米颗粒使用辐射键合的纳米线单层的方法，将NaHCO 3试剂 通过混合粉末，可以合成尺寸分布为10-25nm的金纳米颗粒，并且通过将纳米线基底浸入金前体的水溶液中并固定纳米线基底， 有一种效果是金纳米颗粒可以更均匀地分布在纳米线表面上。
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公开(公告)号：KR101467118B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130123566
申请日：2013-10-16
Applicant: 조선대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 산화갈륨(β-Ga
2 O
3 ) 나노와이어의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스퍼터링 방법을 이용하여 자가-촉매 성장에 따른 산화갈륨 나노와이어의 대량 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스퍼터링 방법을 이용한 산화갈륨 나노와이어의 제조방법은 소결 처리하는 않은 산화갈륨 분말 자체를 스퍼터링 타겟으로 사용함으로써 고가의 비용이 드는 소결 처리 비용을 절감시킬 수 있고, 금속 씨드를 사용하지 않고, 종래 기술에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서 산화갈륨 나노와이어를 제조할 수 있으므로 제조비용을 줄일 수 있으며, 분말로 인해 나노와이어의 성장 속도가 증가함으로써 생산효율을 증진시킬 수 있는 효과가 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种氧化镓（β-Ga_2O_3）纳米线制造方法，更具体地说，涉及通过溅射法大量生产氧化镓纳米线的氧化镓纳米线制造方法。 使用根据本发明的溅射方法的氧化镓纳米线制造方法能够通过使用不作为溅射靶烧结的氧化镓粉末而不使用金属种子来降低烧结工艺成本，因为能够降低制造成本，因为氧化镓 与常规方法相比能够在相对低的温度下制造，并且通过增加粉末的纳米线的生长速度能够提高生产效率。
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公开(公告)号：KR101749827B1
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020150157988
申请日：2015-11-11
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L29/41 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/263 , H01L21/268 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에관한것으로, 본발명에따른방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에따르면, 금전구체수용액에 NaHCO시약분말을혼합하여사용함에따라서 10-25 nm의작은크기분포를갖는금 나노입자를합성할수 있고, 또한금 전구체수용액에나노와이어기판을담그고고정한다음방사선에주사노출(scanning)하는방법을사용함에따라서나노와이어표면상에금 나노입자가더욱균일하게분포될수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020100095961A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020090015030
申请日：2009-02-23
Applicant: 조선대학교산학협력단
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/20 , B82Y40/00
CPC classification number: C23C14/3414 , B82Y40/00 , C23C14/086 , C23C14/541
Abstract: PURPOSE: An epitaxial thin film using a zinc oxide powder sputtering target and a method for manufacturing a nano structure are provided to manufacture the thin film and the nano structure with high quality by using zinc oxide power which is not sintered as a sputtering target. CONSTITUTION: A metal thin film is deposited on a substrate. The substrate deposited with the metal thin film is mounted on the sputtering chamber. The substrate mounted on the sputtering chamber is heated. The zinc oxide powder injected into the mold is used as the sputtering target. The mixture gas of argon and oxygen flows on the heated substrate and the sputtering is performed.
Abstract translation: 目的：提供使用氧化锌粉末溅射靶的外延薄膜和纳米结构体的制造方法，通过使用没有烧结的氧化锌作为溅射靶，制造高品质的薄膜和纳米结构体。 构成：金属薄膜沉积在基板上。 沉积有金属薄膜的基板安装在溅射室上。 安装在溅射室上的基板被加热。 将注入到模具中的氧化锌粉末用作溅射靶。 氩气和氧气的混合气体在加热的衬底上流动，进行溅射。
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