公开(公告)号：KR1020170055159A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020150157988

申请日：2015-11-11

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 강현철 ,  이무성 ,  노도영 ,  이수용

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명은방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에관한것으로, 본발명에따른방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에따르면, 금전구체수용액에 NaHCO시약분말을혼합하여사용함에따라서 10-25 nm의작은크기분포를갖는금 나노입자를합성할수 있고, 또한금 전구체수용액에나노와이어기판을담그고고정한다음방사선에주사노출(scanning)하는방법을사용함에따라서나노와이어표면상에금 나노입자가더욱균일하게분포될수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用辐射制造与金纳米颗粒结合的纳米线单层的方法。根据本发明的用于制造用金纳米颗粒使用辐射键合的纳米线单层的方法，将NaHCO 3试剂 通过混合粉末，可以合成尺寸分布为10-25nm的金纳米颗粒，并且通过将纳米线基底浸入金前体的水溶液中并固定纳米线基底， 有一种效果是金纳米颗粒可以更均匀地分布在纳米线表面上。

公开(公告)号：KR101467118B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020130123566

申请日：2013-10-16

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 강현철 ,  박신영 ,  노도영 ,  이수용

IPC: B82B3/00 ,  C01G15/00

Abstract: 본 발명은 산화갈륨(β-Ga
2 O
3 ) 나노와이어의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스퍼터링 방법을 이용하여 자가-촉매 성장에 따른 산화갈륨 나노와이어의 대량 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스퍼터링 방법을 이용한 산화갈륨 나노와이어의 제조방법은 소결 처리하는 않은 산화갈륨 분말 자체를 스퍼터링 타겟으로 사용함으로써 고가의 비용이 드는 소결 처리 비용을 절감시킬 수 있고, 금속 씨드를 사용하지 않고, 종래 기술에 비하여 상대적으로 낮은 온도에서 산화갈륨 나노와이어를 제조할 수 있으므로 제조비용을 줄일 수 있으며, 분말로 인해 나노와이어의 성장 속도가 증가함으로써 생산효율을 증진시킬 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种氧化镓（β-Ga_2O_3）纳米线制造方法，更具体地说，涉及通过溅射法大量生产氧化镓纳米线的氧化镓纳米线制造方法。 使用根据本发明的溅射方法的氧化镓纳米线制造方法能够通过使用不作为溅射靶烧结的氧化镓粉末而不使用金属种子来降低烧结工艺成本，因为能够降低制造成本，因为氧化镓 与常规方法相比能够在相对低的温度下制造，并且通过增加粉末的纳米线的生长速度能够提高生产效率。

公开(公告)号：KR101749827B1

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：KR1020150157988

申请日：2015-11-11

Applicant: 조선대학교산학협력단

Inventor： 강현철 ,  이무성 ,  노도영 ,  이수용

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명은방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에관한것으로, 본발명에따른방사선을이용한금 나노입자가접합된나노와이어이종구조의제조방법에따르면, 금전구체수용액에 NaHCO시약분말을혼합하여사용함에따라서 10-25 nm의작은크기분포를갖는금 나노입자를합성할수 있고, 또한금 전구체수용액에나노와이어기판을담그고고정한다음방사선에주사노출(scanning)하는방법을사용함에따라서나노와이어표면상에금 나노입자가더욱균일하게분포될수 있는효과가있다.