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公开(公告)号：KR102238804B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190076892A
申请日：2019-06-27
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L51/00 , H01L31/0256 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0067 , H01L51/422 , H01L51/4266 , H01L2031/0344 , H01L2224/05893 , Y10S977/812
Abstract: 본 발명은 종횡비가 높은 핵산염기-반도체 복합체 나노선과 상기 나노선 층을 포함하여 전자수송층의 계면특성을 향상시키는 것에 의해 효율과 수명이 증가된 유기태양전지에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2020141850A1
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：PCT/KR2019/018783
申请日：2019-12-31
Applicant: 충남대학교산학협력단 , 울산과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/8234 , H01L29/10
Abstract: 고유전성을 바탕으로 SiO 2 박막은 물론 Hf 또는 Zr 기반의 산화물 박막보다도 유전상수가 현저히 높으면서도 박막의 균일성이 우수하고, 동시에 누설전류가 매우 낮고, 높은 유전강도 특성을 나타내어 10nm 노드 이하의 반도체 소자에 적용되어 우수한 성능을 구현할 수 있는 탄화수소 박막으로서, 비정질 구조를 갖고, 유전상수가 10 이상이며, 수소와 탄소의 이차이온 질량분석(SIMS: secondary-ion mass spectrometry) 상대 강도 비가 4 내지 30이고, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)의 탄소 1s 스펙트럼 상 280eV 내지 290eV 중에 존재하는 결합 에너지 피크(peak)가 1keV 세기의 아르곤(Ar+) 플라즈마 에칭으로 5초 내지 20초 중 어느 하나의 시간 조건 하에서 표면 처리한 전후의 결합 에너지(eV) 이동폭이 0.5eV 이하인 탄화수소 박막 및 이의 제조방법과 이를 적용한 반도체 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101284059B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020110008705
申请日：2011-01-28
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0676 , H01L29/267 , H01L29/47 , H01L29/6603 , H01L29/66037 , H01L29/872
Abstract: 본 발명은 기판상에 화학기상증착법을 사용하여 그라핀을 직접 성장시켜 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자 및 그라핀 개질(도핑)에 의한 그라핀(p-type)/산화물반도체(n-type) 또는 그라핀(n-type)/산화물반도체(n-type) 이종 pn 접합을 형성하는 반도체 소자 및 그 제조법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 다양한 산화물 또는 반도체 위에서 직접 그라핀을 성장시킬 수 있으므로 기계적 박리공정 또는 Cu 같은 금속기판 위에 성장 후 그라핀을 transferring 하는 복잡한 공정을 생략할 수 있어, 다양한 산화물 및 반도체와 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자나 그라핀(반도체)/산화물반도체의 이종접합 pn 반도체소자를 간편하고 경제적으로 제작할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020100092552A
公开(公告)日：2010-08-23
申请号：KR1020090011710
申请日：2009-02-13
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/02963 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CdS thin film with S vacancy defects by a chemical bath deposition and a solar cell using the thin film are provided to form a CdS thin film with high quality and photosensitivity by inducing S vacancy defects inside the thin film. CONSTITUTION: A semiconductor oxide thin film is formed on a transparent conductive substrate. The temperature is 40 to 80 degrees centigrade in manufacturing a semiconductor oxide thin film. The semiconductor oxide is TiO2. The CdS thin film is formed on the semiconductor oxide thin film as a photosensitive absorber. A transparent conductive substrate is a glass or flexible plastic substrate with an FTO conductive layer.
Abstract translation: 目的：通过化学浴沉积制造具有S空位缺陷的CdS薄膜和使用薄膜的太阳能电池的方法，通过在薄膜内引起S空位缺陷来形成具有高质量和光敏性的CdS薄膜。 构成：在透明导电性基板上形成半导体氧化物薄膜。 制造半导体氧化物薄膜时的温度为40至80摄氏度。 半导体氧化物是TiO 2。 CdS薄膜作为光敏吸收体形成在半导体氧化物薄膜上。 透明导电基板是具有FTO导电层的玻璃或柔性塑料基板。
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公开(公告)号：KR1020100086615A
公开(公告)日：2010-08-02
申请号：KR1020090005929
申请日：2009-01-23
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
IPC: B01J21/06 , C01G23/047
CPC classification number: B01J37/08 , B01J21/063 , B01J35/004 , C01G23/047
Abstract: PURPOSE: A production method of UV-visible light photocatalytic Tio2 is provided to allow a user to manufacture an tiO2 optical catalyst sensitive to ultraviolet ray and visible ray. CONSTITUTION: A production method of UV-visible light photocatalytic Tio2 is comprised of the steps: heat-treating titanium which is a thin film or powder under methane gas and oxygen atmosphere; and inputting methane gas and oxygen after removing air through a thermal process or purge. The volume ratio of the oxygen to the methane gas is 0.1~10%.
Abstract translation: 目的：提供紫外可见光光催化剂Tio2的生产方法，使用户能够制造对紫外线和可见光敏感的tiO2光学催化剂。 构成：紫外可见光光催化剂Tio2的制备方法包括：在甲烷气和氧气氛下热处理薄膜或粉末的钛; 并在通过热处理或吹扫除去空气后输入甲烷气体和氧气。 氧与甲烷的体积比为0.1〜10％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100077481A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135430
申请日：2008-12-29
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
Abstract: PURPOSE: An LED and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a photonics device with low cost on a large sized Si wafer by achieving perfect compatibility with a Si CMOS process. CONSTITUTION: A nano-crystalline is coated in a p-type Si substrate. A surface active agent existing on the surface of the nano-crystalline is removed by processing the substrate with hydro plasma. A TiO2 thin film is deposited on the substrate. The deposition is executed at the temperature of 100~200°C. The nano-crystalline is one among CdSe/ZnS, CdS, and PbS nano-crystalline.
Abstract translation: 目的：提供一种LED及其制造方法，通过实现与Si CMOS工艺的完美兼容性，在大尺寸Si晶片上制造低成本的光子器件。 构成：将纳米晶体涂覆在p型Si衬底中。 存在于纳米晶体表面上的表面活性剂通过用氢等离子体处理衬底而被去除。 在衬底上沉积TiO 2薄膜。 沉积在100〜200℃的温度下进行。 纳米晶体是CdSe / ZnS，CdS和PbS纳米晶体之一。
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公开(公告)号：KR102238804B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020190076892
申请日：2019-06-27
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L51/00 , H01L51/42 , H01L31/0256
Abstract: 본발명은종횡비가높은핵산염기-반도체복합체나노선과상기나노선층을포함하여전자수송층의계면특성을향상시키는것에의해효율과수명이증가된유기태양전지에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020210001197A
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020190076892
申请日：2019-06-27
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L51/00 , H01L51/42 , H01L31/0256
Abstract: 본발명은종횡비가높은핵산염기-반도체복합체나노선과상기나노선층을포함하여전자수송층의계면특성을향상시키는것에의해효율과수명이증가된유기태양전지에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020120087486A
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：KR1020110008705
申请日：2011-01-28
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0676 , H01L29/267 , H01L29/47 , H01L29/6603 , H01L29/66037 , H01L29/872
Abstract: PURPOSE: A graphene-oxide semiconductor heterojunction device and a manufacturing method thereof are provided to omit a complex process of transferring grapheme by directly growing the graphene on various oxides or semiconductors. CONSTITUTION: A thin film, a nano wire, a nano rod, a nano tube, a nano belt, or a nano particle structure is grown up on a supporting plate. Graphene is grown up on the thin film, the nano wire, the nano rod, the nano tube, the nano belt, or the nano particle structure. A graphene surface is plasma-processed and activated. Doping is performed to change the graphene into a p-type or n- type semiconductor. A dopant for the doping can be either B(boron), Li(Lithium), Be(Beryllium), N(Nitrogen), O(Oxygen), F(Fluorine), Na(Natrium), Mg(Magnesium), Al(Aluminum), P(Phosphorus), S(Sulfur), or Cl(Chlorine).
Abstract translation: 目的：提供一种石墨烯氧化物半导体异质结装置及其制造方法，以省略通过在各种氧化物或半导体上直接生长石墨烯来转移图形的复杂工艺。 构成：在支撑板上生长薄膜，纳米线，纳米棒，纳米管，纳米带或纳米颗粒结构。 石墨烯生长在薄膜，纳米线，纳米棒，纳米管，纳米带或纳米颗粒结构上。 石墨烯表面经过等离子体处理和激活。 执行掺杂以将石墨烯改变为p型或n-型半导体。 用于掺杂的掺杂剂可以是B（硼），Li（锂），Be（铍），N（氮），O（氧），F（氟），Na（Natrium），Mg（镁） 铝），P（磷），S（硫）或Cl（氯）。
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公开(公告)号：KR101067280B1
公开(公告)日：2011-09-23
申请号：KR1020090014614
申请日：2009-02-23
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 기상-액상-고상(vapor-liquid-solid, VLS)법에 의한 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 있어서 금(Au) 박막이 형성된 기판 상에 Sb
2 Te
3 (ST)를 공급하여 VLS 법에 의해 SbTe 씨앗 나노선(seed 나노선)을 성장시키는 단계; 및 상기 씨앗 나노선에 GeTe(GT)와 Sb
2 Te
3 (ST)를 동시에 공급하여 VLS 법에 의해 GeSbTe 나노선을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, Si 웨이퍼 기판 위에서 GST가 뭉치는 현상 없이 GST 나노선을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 제조되는 GST 나노선의 지름을 사용한 Au 금속 박막의 두께에 따라 균일하게 제어할 수 있다. 또한 본 발명에 의한 GST 나노선의 제조방법을 상변이 메모리 소자의 제조에 적용하면, 나노선 개개를 응용한 소자들의 특성을 균일하게 제어할 수 있다.
GeSbTe, GeTe, Sb2Te3, 상변화메모리, PRAM, 비휘발성 메모리, 나노선, VLS
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