公开(公告)号：KR100714974B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：KR1020060044936

申请日：2006-05-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  최지원 ,  박흥천 ,  송종한

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265

Abstract: 본 발명은 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법에 관한 것이다. 더 자세하게는 산화아연 박막에 주입된 코발트 클러스터에 수백 MeV의 고에너지를 가진 중(重)이온을 소정의 이온선량으로 조사하여 단시간 내에 상기 코발트 클러스터를 분해시킨 다음 산화아연의 격자 내에 고용시킴으로써 우수한 강자성 특성을 나타내는 코발트가 주입된 산화아연 박막을 상온에서 제작하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 산화아연 박막을 플라즈마 보조 분자선 증착법(plasma assisted molecular beam epitaxy, PA-MBE)으로 단결정 기판 위에 증착하는 단계와; 상기 증착된 산화아연 박막에 코발트 이온을 소정 이온선량으로 주입하는 단계와; 상기 코발트가 주입된 산화아연 박막에 상온에서 고에너지를 가진 중이온을 소정 이온선량으로 조사하는 단계를 포함하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법이 제시된다.
코발트 주입 산화아연 반도체, 은 이온 조사, 자화이력, 항전계, 강자성, DMS(diluted magnetic semiconductor)

Abstract translation: 本发明涉及一种在室温下制造铁磁氧化锌半导体薄膜的方法。 更特别是在以下的氧化锌的晶格优良铁磁通过就业照射（重）与几百MeV的高能量的离子与钴簇通过在短时间内分解钴簇注入到氧化锌薄膜具有预定的离子剂量的 本发明涉及一种在室温下制造掺杂有钴的氧化锌薄膜的方法。