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公开(公告)号：KR102236190B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020200071568A
申请日：2020-06-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/448 , H01L51/0001 , H01L51/0097
Abstract: 본 발명은 고분자기판의 양면 상에 SiN
x , SiO
x N
y , SiO
x 가 순차적으로 적층된 3중층 구조의 박막을 2회 반복 적층시키고, SiN
x 와 SiO
x 의 계면에 형성되는 SiO
x N
y 의 물리적 특성을 강화시킴으로써 2x10
-6 g/m
2 /day 이하의 매우 우수한 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)를 갖는 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기광전자소자의 봉지필름은 플렉서블 기판; 및 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 형성된 3중층 구조의 박막 적층체;를 포함하여 이루어지며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체는 SiN
x 박막, SiO
x N
y 박막, SiO
x 박막이 순차적으로 적층된 형태이며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체가 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 2번 반복하여 적층되며, 첫번째 박막 적층체의 SiO
x 박막과 두번째 박막 적층체의 SiN
x 박막 사이에 SiO
x N
y 박막이 더 구비되며, 봉지필름의 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10
-6 g/m
2 /day 이하인 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR102236190B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020200071568
申请日：2020-06-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은고분자기판의양면상에 SiNx, SiOxNy, SiOx가순차적으로적층된 3중층구조의박막을 2회반복적층시키고, SiNx와 SiOx의계면에형성되는 SiOxNy의물리적특성을강화시킴으로써 2x10-6g/m2/day 이하의매우우수한수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)를갖는유기광전자소자의봉지필름및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른유기광전자소자의봉지필름은플렉서블기판; 및상기플렉서블기판의양면각각에형성된 3중층구조의박막적층체;를포함하여이루어지며, 상기 3중층구조의박막적층체는 SiNx 박막, SiOxNy 박막, SiOx 박막이순차적으로적층된형태이며, 상기 3중층구조의박막적층체가상기플렉서블기판의양면각각에 2번반복하여적층되며, 첫번째박막적층체의 SiOx 박막과두번째박막적층체의 SiNx 박막사이에 SiOxNy 박막이더 구비되며, 봉지필름의수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10-6g/m2/day 이하인것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020160107556A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030450
申请日：2015-03-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/10 , C01B25/02 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/1025 , C01B25/02 , H01L29/41783 , H01L2924/05432
Abstract: 흑린을기반으로하는트랜지스터는, 기판; 상기기판상에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극; 상기기판상에상기소스전극과상기드레인전극을연결하며, 흑린(Black Phosphorus)을포함하는채널층; 및상기흑린을포함하는채널층상에산화알루미늄(Al2O3)을포함하는패시베이션층을포함하는포함한다. 이에따라, 흑린의반응속도를제어하여전기적특성이우수하고저주파잡음이감소한고성능의트랜지스터를제조할수 있다.
Abstract translation: 基于黑磷的晶体管包括：基板; 源极和漏极彼此分离形成在衬底上; 连接基板上的源电极和漏极的沟道层，并且包括黑磷; 以及在包含黑磷的沟道层上的包含氧化铝（Al_2O_3）的钝化层。 因此，可以制造通过控制黑磷的反应速度而具有优异的电性能和降低的低频噪声的高功能晶体管。
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5.发明公开다층 박막의 제조 방법, 이로 인해 형성된 다층 박막, 이를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 및 이를 통해 제조된 유기 박막 트랜지스터 无效制造多层薄膜，多层薄膜的方法，包括其的有机薄膜晶体管的制造方法和有机薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020160011244A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：KR1020140088232
申请日：2014-07-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0545 , H01L51/0566
Abstract: 다층박막의제조방법, 이로인해형성된다층박막, 이를포함하는유기박막트랜지스터제조방법및 이를통해제조된유기박막트랜지스터에관한것으로, 기판을준비하는단계; 유기반도체, 절연성고분자, 및용매를포함하는블렌드용액을상기기판위에인쇄하는단계; 및상기유기반도체및 상기절연성고분자의수직상분리현상을이용하여, 절연성고분자박막및 상기절연성고분자박막상에유기반도체박막이동시에형성되는단계; 를포함하고, 상기블렌드용액내 상기유기반도체및 상기절연성고분자의함량및/또는상기블렌드용액의인쇄속도에따라, 상기유기반도체박막의폭 및절연성고분자박막의두께가제어되는것인다층박막의제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造多层薄膜的方法，由此制造的多层薄膜，包括该多层薄膜的有机薄膜晶体管的制造方法和由此制造的有机薄膜晶体管。 制造多层薄膜的方法可以包括以下步骤：制备基材; 在基板上印刷有机半导体，绝缘聚合物，包括溶剂的共混溶液; 并且通过使用有机半导体和绝缘聚合物的垂直相分离现象，在绝缘聚合物薄膜和绝缘聚合物薄膜上同时形成有机半导体薄膜。 根据混合溶液的印刷速度或共混溶液中有机半导体和绝缘聚合物的含量，控制绝缘聚合物薄膜的厚度和有机半导体薄膜的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150072888A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020130160542
申请日：2013-12-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/42
Abstract: 본발명은양자점감응형산화물광감지트랜지스터와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는산화물반도체(IGZO) 박막트랜지스터에리간드치환반응시킨양자점광흡수층을산화물전하수송층으로형성시킴으로서전류점멸비가우수하고집적화가용이한트랜지스터를제조할수 있으며, 부가적인집적화공정없이도트랜지스터센서어레이를용이하게제작할수 있으므로유리또는플라스틱기판에도집적화가용이하여다양한평판디스플레이이미지센서로적용가능한새로운개념의양자점감응형산화물광감지트랜지스터에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种量子点敏化氧化物光敏晶体管及其制造方法，更具体地说，涉及一种新概念的量子点敏化氧化物光敏晶体管，其被应用于各种平板显示图像传感器， 玻璃或塑料基板，通过容易地制造晶体管传感器阵列而不需要额外的集成工艺，并制造能够容易地获得积分并通过形成量子光吸收层获得导通和截止电流比的晶体管，以在IGZO上进行配体交换过程 薄膜晶体管作为氧化物电荷传输层。
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公开(公告)号：KR101495764B1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020140033339
申请日：2014-03-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 반도체 양자점을 단일층으로 형성하여 전자수송층 및 광흡수를 증가시키는 태양전지 및 제조방법을 제공한다. 역구조 유기 태양전지는 기판상에 순차 적층된 제1 전극, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 제2 전극을 포함하고, 상기 전자수송층은 양자점을 갖는 반도체를 특징으로 하여 광전변환효율을 증가시켜 우수한 역구조 유기 태양전지를 제공할 수 있다
Abstract translation: 提供能够通过形成量子点单层来增加光吸收的有机太阳能电池和电子转移层及其制造方法。 倒置的有机太阳能电池包括依次形成在基板上的第一电极，电极转移层，光活性层，空穴传输层和第二电极。 电子转移层由具有量子点的半导体制成，从而提高光电转换效率并提供反向有机太阳能电池。
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8.发明授权그라핀이 결합된 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 튜너블 발광소자 및 그 제조 방법 有权可调谐发光二极管使用石墨烯共轭金属氧化物半导体 - 石墨烯核 - 壳量子点及其制造工艺
公开(公告)号：KR101357045B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020110112972
申请日：2011-11-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L33/06 , C09K11/54 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L51/0003 , H01L51/0045 , H01L51/502 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체에 전기적 특성이 우수한 그래핀을 화학적 방법으로 결합시켜서 산화물 반도체-그래핀 핵-껍질 양자점을 제조하고, 이를 이용하여 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이러한 새로운 양자점을 이용한 발광소자는 광전효율이 우수하고 재료 및 부대 공정 시설 비용이 저렴하며, 공정이 간단하고, 대량생산 및 대면적화가 가능한 효과가 있다. 또한 다양한 다성분계 금속 산화물 반도체를 이용하여 다양한 파장의 발광소자를 제조할 수 있는 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130106121A
公开(公告)日：2013-09-27
申请号：KR1020120027776
申请日：2012-03-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B01J21/06 , C23C16/22 , H01L31/042 , B82B3/00
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , B01J21/063 , B01J27/224 , B01J27/24 , B01J35/004 , B01J37/0238 , B82B3/00 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: A high light transmittance thin photocatalytic film having a multi layer nanostructure and a production method thereof are provided to maintain a photocatalytic effect without external light for a long time by having hydrophilicity and organic matter decomposition property. CONSTITUTION: A high light transmittance thin photocatalytic film having a multi layer nanostructure includes a substrate (100), a lower layer (200), an intermediate layer (300); and an upper layer (201). The lower layer is a first low refractive index thin film containing an oxide having the lower refractive index than the substrate. The intermediate layer is a titanium dioxide layer in a nanostructure containing IV group elements, V group elements, and their mixture. The upper layer has the same components with the lower layer, and is a second low refractive index thin film containing an oxide having the lower refractive index than the titanium dioxide layer.
Abstract translation: 目的：提供具有多层纳米结构的高透光率薄光催化膜及其制备方法，通过具有亲水性和有机物质分解性能，长时间保持光外部光的光催化效果。 构成：具有多层纳米结构的高透光率薄光催化剂膜包括基板（100），下层（200），中间层（300）; 和上层（201）。 下层是含有折射率低于衬底的氧化物的第一低折射率薄膜。 中间层是包含IV族元素，V族元素及其混合物的纳米结构中的二氧化钛层。 上层与下层具有相同的成分，并且是含有折射率低于二氧化钛层的氧化物的第二低折射率薄膜。
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公开(公告)号：KR101249262B1
公开(公告)日：2013-04-02
申请号：KR1020110015507
申请日：2011-02-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08
Abstract: 본 발명은 투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 하기 화학식의 조성을 포함하는 투명도전 조성물 및 박막용 타겟, 상기 타겟을 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 하기 화학식으로 표시되는 특정의 조성을 포함하여 우수한 도전성(낮은 저항률) 및 높은 광투과율을 갖는다. 특히, 상온에서 증착되었음에도 불구하고 10
-3 Ω·cm 이하의 낮은 저항률과 90% 이상의 높은 광투과율을 가져 미래의 핵심 디스플레이 산업이라고 할 수 있는 연성전자소자에도 매우 유용하게 적용될 수 있다.
[화학식]
Al
x Zn
1
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x O
위 화학식에서, x는 0.04 ≤ x ≤ 0.063이다.
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