公开(公告)号：KR1019960009052A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940021213

申请日：1994-08-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이동헌 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어 이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의 감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO
2 의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR100239008B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970031340

申请日：1997-07-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이동헌 ,  김태송 ,  이전국 ,  정형진

IPC: C23C14/34

Abstract: 일정한 비율의 불활성 가스와 반응 가스의 플라즈마를 발생시켜서 목적하는 조성의 타겟으로부터 입자를 방출시키고 이 입자를 기판 상에서 성장시켜 증착시키는 것을 포함하는 강유전 산화물 박막의 제조 방법에 있어서, 반응 가스로서 N
2 O를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전 산화물 박막의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR100275782B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019950011460

申请日：1995-05-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  김준한 ,  이동헌 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C14/088 ,  C23C14/024

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a ferroelectric thin film is provided to restrict a fine crack by using a sputtering method or a laser ablation method. CONSTITUTION: A ferroelectric thin film(120) of Pb(Zr1-xTix)O3 is formed by using one method selected from a pure sol-gel method such as a spin coating and a dip coating, MOCVD, LSCVD, and MOD. A buffering layer(110,130) including a component of Pb is inserted in the process for manufacturing the ferroelectric thin film(120). The buffering layer(110,130) has a thickness of 10-100nm. The buffering layer(110,130) is formed with one of Pb(Zr1-xTix))3, PbO, and PbTiO3 including Pb.

Abstract translation: 目的：提供一种制造铁电薄膜的方法，通过使用溅射法或激光烧蚀法来限制微细裂纹。 构成：通过使用选自旋涂法，浸涂法，MOCVD法，LSCVD法和MOD法等纯溶胶 - 凝胶法的一种方法形成Pb（Zr1-xTix）O3的铁电薄膜（120）。 在制造铁电薄膜（120）的过程中插入包括Pb成分的缓冲层（110,130）。 缓冲层（110,130）的厚度为10-100nm。 缓冲层（110,130）由包含Pb的Pb（Zr1-xTix）3，PbO和PbTiO3中的一种形成。

公开(公告)号：KR1019960042928A

公开(公告)日：1996-12-21

申请号：KR1019950011460

申请日：1995-05-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  김준한 ,  이동헌 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 강유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 스퍼터링 법이나 레이저 에블레이션법 등을 이용한 Pb(Zr
1-x Ti
x )O
3 (PZT) 강유전 박막 제조에 있어서, 잉여의 Pb성분을 함유한 완충층이 삽입되어 복합 증착되도록 강유전 박막을 형상하므로써, 1) 미세크랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 2)전극과 박막 계면 부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 3) 스퍼터 입자들의 에너지를 쉽게 흡수할 수 있어, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019990009075A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970031340

申请日：1997-07-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이동헌 ,  김태송 ,  이전국 ,  정형진

IPC: C23C14/34

Abstract: 일정한 비율의 불활성 가스와 반응 가스의 플라즈마를 발생시켜서 목적하는 조성의 타겟으로부터 입자를 방출시키고 이 입자를 기판 상에서 성장시켜 증착시키는 것을 포함하는 강유전 산화물 박막의 제조방법에 있어서, 반응 가스로서 N
2 O를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전 산화물 박막의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR100134552B1

公开(公告)日：1998-04-20

申请号：KR1019940021213

申请日：1994-08-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이동헌 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어 이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의 감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO
2 의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.