公开(公告)号：KR100275782B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019950011460

申请日：1995-05-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  김준한 ,  이동헌 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C14/088 ,  C23C14/024

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a ferroelectric thin film is provided to restrict a fine crack by using a sputtering method or a laser ablation method. CONSTITUTION: A ferroelectric thin film(120) of Pb(Zr1-xTix)O3 is formed by using one method selected from a pure sol-gel method such as a spin coating and a dip coating, MOCVD, LSCVD, and MOD. A buffering layer(110,130) including a component of Pb is inserted in the process for manufacturing the ferroelectric thin film(120). The buffering layer(110,130) has a thickness of 10-100nm. The buffering layer(110,130) is formed with one of Pb(Zr1-xTix))3, PbO, and PbTiO3 including Pb.

Abstract translation: 目的：提供一种制造铁电薄膜的方法，通过使用溅射法或激光烧蚀法来限制微细裂纹。 构成：通过使用选自旋涂法，浸涂法，MOCVD法，LSCVD法和MOD法等纯溶胶 - 凝胶法的一种方法形成Pb（Zr1-xTix）O3的铁电薄膜（120）。 在制造铁电薄膜（120）的过程中插入包括Pb成分的缓冲层（110,130）。 缓冲层（110,130）的厚度为10-100nm。 缓冲层（110,130）由包含Pb的Pb（Zr1-xTix）3，PbO和PbTiO3中的一种形成。

公开(公告)号：KR1019960042928A

公开(公告)日：1996-12-21

申请号：KR1019950011460

申请日：1995-05-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김태송 ,  김준한 ,  이동헌 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 강유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 스퍼터링 법이나 레이저 에블레이션법 등을 이용한 Pb(Zr
1-x Ti
x )O
3 (PZT) 강유전 박막 제조에 있어서, 잉여의 Pb성분을 함유한 완충층이 삽입되어 복합 증착되도록 강유전 박막을 형상하므로써, 1) 미세크랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 2)전극과 박막 계면 부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 3) 스퍼터 입자들의 에너지를 쉽게 흡수할 수 있어, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.