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公开(公告)号：KR100402200B1
公开(公告)日：2003-10-17
申请号：KR1020010003412
申请日：2001-01-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J37/30
Abstract: PURPOSE: A gas cluster ion accelerator is provided to generate gas cluster by using adiabatic expansion and readily adjust acceleration energy of gas cluster. CONSTITUTION: A gas cluster ion accelerator comprises a cluster generating unit, an ionizing unit(32), a lens unit(52), a cluster measuring unit(36), an accelerating unit(54) and scanning units(56,58). The cluster generating unit jets gas from high pressure to low pressure under adiabatic expansion condition to convert the gas to cluster state. The ionizing unit(32) ionizes the cluster from the cluster generating unit. The lens part(52) adjusts focus of the ionized cluster from the ionizing unit(32). The cluster measuring unit(36) measures size of the ionized cluster from the lens part(52). The accelerating unit accelerates the ionized cluster. The scanning units(56,58) scan the accelerated ionized cluster from the accelerating unit(54) onto a target(75).
Abstract translation: 用途：提供气体团簇离子加速器，利用绝热膨胀产生气体团簇，随时调整气体团簇的加速能量。 本发明公开了一种气体团簇离子加速器，包括团簇生成单元，电离单元32，透镜单元52，簇测量单元36，加速单元54和扫描单元56,58。 气体发生单元在绝热膨胀条件下将气体从高压喷射到低压，以将气体转化为团簇状态。 电离单元（32）使簇生成单元的簇离子化。 透镜部分（52）调整来自电离单元（32）的电离簇的焦点。 簇测量单元（36）测量来自透镜部分（52）的电离簇的尺寸。 加速单元加速电离簇。 扫描单元（56,58）将加速离子化簇从加速单元（54）扫描到目标（75）上。
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公开(公告)号：KR100376137B1
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020000077156
申请日：2000-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H02N2/163 , H02N2/0065
Abstract: The present invention relates to a ring-type piezoelectric ultrasonic motor that is different from the electro-magnetically driven conventional motors and that has applications in robots and automation equipments. More specifically, the present invention relates to a ring-type piezoelectric ultrasonic motor that is driven by a frictional force between rotor and stator, and stator is produced a mechanical displacement by a piezoelectric ceramics applying an alternate electric field with an ultrasonic frequency (above 16 kHz).
Abstract translation: 环形压电超声波马达技术领域本发明涉及与电磁驱动的传统马达不同的环形压电超声波马达，并且该环形压电超声波马达具有在机器人和自动化设备中的应用。 更具体地说，本发明涉及一种由转子和定子之间的摩擦力驱动的环形压电超声波马达，并且定子通过施加具有超声波频率的交变电场的压电陶瓷产生机械位移（超过16 千赫）。
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公开(公告)号：KR100356640B1
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020000001092
申请日：2000-01-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/491 , H01L41/187
Abstract: 본 발명은 Pb(Al
1/2 Nb
1/2 )O
3 -Pb(Zr,Ti)O
3 (PAN-PZT) 압전 세라믹 조성물에 첨가물인 Nb
2 O
5 가 첨가되어 있거나, 또는 Nb
2 O
5 와 MnO
2 가 첨가되어 있어 유전율 (K
33
T ), 전기기계 결합계수 (k
p ) 및 압전상수 (d
33 )가 높을 뿐만 아니라 기계적 품질계수 (Q
m )도 큰 압전재료용 산화물 조성물에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020020036125A
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：KR1020000066143
申请日：2000-11-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/02
Abstract: PURPOSE: A ZnO/Si heterojunction photodiode is provided to simply embody a photodiode through a single deposition process of a ZnO thin film by using the ZnO thin film as a visible ray transmission window, and to increase quantum efficiency by 50 percent through a thickness control of the ZnO thin film and crystallinity. CONSTITUTION: A heterojunction photodiode includes a silicon substrate and a zinc oxide layer formed on the silicon substrate. The silicon substrate is of a p-type conductivity type, and the zinc oxide layer is of an n-type conductivity type. The zinc oxide layer has an energy band gap of 3.1-3.2 electron-volt.
Abstract translation: 目的：提供ZnO / Si异质结光电二极管，通过使用ZnO薄膜作为可见光透射窗，通过ZnO薄膜的单次沉积工艺实现光电二极管，并通过厚度控制将量子效率提高了50％ 的ZnO薄膜和结晶度。 构成：异质结光电二极管包括形成在硅衬底上的硅衬底和氧化锌层。 硅衬底为p型导电型，氧化锌层为n型导电型。 氧化锌层的能带隙为3.1-3.2电子伏特。
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公开(公告)号：KR100329807B1
公开(公告)日：2002-03-25
申请号：KR1019990032789
申请日：1999-08-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/30
Abstract: 본발명은반도성을갖는세라믹물질의박·후막을이용한가스감지소자에관한것으로서, 특히전극의배열방법을변화시켜센싱특성을증진시킨박·후막형반도체식가스감지소자에관한것이다. 본발명의목적은가스센싱의정확도를향상시키고재현성있는전극을제공함과아울러회복속도및 응답특성을향상시키고자하는데있다. 본발명은기판(1)과, 상기기판상면에소정의패턴으로형성되는하부전극(2')과, 상기하부전극이형성된기판의상면에형성되는박·후막형반도성물질감지막(3)과, 상기감지막상면에소정의패턴으로형성되는상부전극(2')과, 상기기판하면에형성되는히터(4)와, 상기히터가형성된기판의하면에형성되는절연재(5)로이루어지는가스센서를제공한다. 본발명의바람직한실시예에따르면, 상기상·하부전극(2', 2')은 I자형태를가진다. 또한, 상기상·하부전극은박막또는후막형태로이루어지고, 상기상부전극(2')과하부전극(2')은다른재질로이루어질수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100316586B1
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：KR1019960011994
申请日：1996-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: Provided are a method for modifying a polymer surface, which decrease a contact angle of the polymer surface, or increase adhesiveness of the polymer surface, and a material having surface modified by the method. CONSTITUTION: The method comprises directly blowing a reactive gas selected from oxygen, nitrogen, hydrogen, ammonia, carbon monooxide, and a mixture thereof on the polymer surface, and then irradiating an ion particle having energy of 0.5-2.5 KeV to the polymer surface to decrease a contact angle or increase an adhesion in the polymer surface. The amount of blown gas is 1-8 ml/min. The polymer is selected from polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyimide, teflon, polyvinylidene fluoride, polyethylene terephthalate, polyethylene, and silicone rubber.
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公开(公告)号：KR100307806B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019980057666
申请日：1998-12-23
Applicant: 주식회사 삼양홀딩스 , 한국과학기술연구원
IPC: C08J7/00
Abstract: 본 발명은 이온빔을 이용하여 친수성으로 표면개질된 고분자 멤브레인 및 그 표면 개질방법에 관한 것으로, 고분자 멤브레인 표면으로, 반응성 기체를 유입시키면서 2000 eV 이하의 에너지를 가진 이온빔을 조사시킴으로써 상기 이온빔으로 고분자 멤브레인의 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 멤브레인의 표면과 상기 반응성 기체를 반응시켜 그 표면에 친수성기를 형성시키는 고분자 멤브레인의 표면개질 방법과 그에 의해 표면개질된 고분자 멤브레인을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020010068942A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000001092
申请日：2000-01-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/491 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1876 , C04B35/493
Abstract: PURPOSE: An oxide composition for piezo-electric material is provided for obtaining superior dielectric coefficient K33T, electrical-mechanical combination factor kp and piezo-electric constant d33 and excellent mechanical quality factor Qm of the composition by adding specific oxides such as Nb2O3 or Nb2O5 and MnO2. CONSTITUTION: The composition has the formula of 0.05(Al(1/2)Nb(1/2))O3 - 0.494PbZrO3 - 0.456PbTiO3 + mNb2O5 (wherein m represents 0.1 to 1.0 wt based on total weight of the composition) or the other formula of 0.05(Al(1/2)Nb(1/2))O3 - 0.494PbZrO3 - 0.456PbTiO3 + mNb2O5 + nMnO2 (wherein m represents 0.6 to 0.9 wt and n represents 0.3 to 0.8 wt. based on total weight of the composition). The composition is prepared by general combination procedure to add Nb2O5 or Nb2O5 and MnO2 into PZT three-base materials composition.
Abstract translation: 目的：提供一种用于压电材料的氧化物组合物，通过添加诸如Nb 2 O 3或Nb 2 O 5的特定氧化物，获得优异的介电系数K33T，机电组合因子kp和压电常数d33以及优异的机械品质因子Qm， 二氧化锰。 组成：该组合物具有0.05（Al（1/2）Nb（1/2））O3-0.494PbZrO3-0.456PbTiO3 + mNb2O5（其中m表示基于组合物的总重量为0.1至1.0wt）或式 0.05（Al（1/2）Nb（1/2））O3 - 0.494PbZrO3 - 0.456PbTiO3 + mNb2O5 + nMnO2（其中m表示0.6〜0.9重量％，n表示0.3〜0.8重量％ 组成）。 通过一般组合方法制备组合物，将Nb2O5或Nb2O5和MnO2添加到PZT三基材料组成中。
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公开(公告)号：KR100296741B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019990016770
申请日：1999-05-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M6/18
CPC classification number: H01M10/0585 , H01M2/1066 , H01M6/18 , H01M6/188 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M2004/025 , Y10T29/49115
Abstract: 본발명은박막형전지의단위면적당유효면적을증가시키기위하여트렌치구조를갖게한전지에관한것이다. 본발명에의한전지는기판을포함하는박막요소에트렌치를형성함으로써캐소드와전해질, 전해질과애노드간의접촉계면이커지고동시에단위면적당전극의양을증가시켜전류밀도및 총전류저장밀도가커지며또한방전후 충전속도가증가하게되는고성능전지를제공한다. 본발명에따른트렌치구조는박막형전지뿐아니라벌크형전지의제조에도적용될수 있다.
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公开(公告)号：KR100288501B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019980029926
申请日：1998-07-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 스트론튬 비스무쓰 탄탈륨 니오븀 산화물(strontium bismuth tantalum niobium; 이하 SBTN 이라 한다)층 사이에 소정 두께의 단일 비스무쓰 층을 삽입하여, SBTN/Bi
2 O
3 /SBTN 헤테로 구조를 형성하고, 저온 후열처리에 의하여, 삽입된 비스무쓰 산화물 층을 상하부에 있는 SBTN 층으로 확산시키는 방법을 이용하여 SBTN 박막을 제조한다.
이러한 제조방법에서는 SBTN 층 사이에 첨가하는 Bi
2 O
3 층의 두께를 조절함으로써 박막의 비스무쓰 양을 제어할 수 있고, Perino 법에 비해 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있고, 제조 온도를 625℃까지 낮출 수 있을 뿐 아니라, 간단한 제조공정에도 불구하고, 낮은 인가전압에서 비교적 높은 잔류분극값을 나타내며, 퍼티그 테스트 결과 긴 수명을 가지는 등 우수한 강유전체 특성을 가지는 SBTN 박막을 제공한다.
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