公开(公告)号：WO2016085126A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/KR2015/011214

申请日：2015-10-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  이석 ,  전민홍 ,  박정훈 ,  조원주 ,  이인규

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/50

CPC classification number: G01N27/414 ,  G01N33/50

Abstract: 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서는 ISFET와 교체형 센서를 포함하고, 교체형 센서에는 나노프로브가 결합되어 있으며, ISFET에서 발생하는 정전 결합 현상과 나노프로브 기술을 결합시켜, PBS 버퍼 용액을 사용하는 기존의 바이오센서 플랫폼과는 달리, PBS 버퍼 용액을 사용하지 않고, 임상샘플을 직접 사용함으로써 간단한 진단이 가능한 바이오센서 플랫폼이 제공될 수 있다.

Abstract translation: 离子敏感场效应晶体管（ISFET）生物传感器包括ISFET和一次性传感器，其中一次性传感器具有耦合到其上的纳米探针，并且通过组合在ISFET中发生的电容耦合现象和纳米探针技术，提供了生物传感器平台 与使用PBS缓冲溶液的常规生物传感器平台不同，能够通过直接使用临床样品而不使用PBS缓冲溶液进行简单诊断。

公开(公告)号：KR1020160087709A

公开(公告)日：2016-07-22

申请号：KR1020150007017

申请日：2015-01-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  이석 ,  전민홍 ,  이인규 ,  박정훈 ,  조원주 ,  장현준

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N2800/7028

Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서의감지시스템은제1 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서, 그리고제2 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를포함하며, 제1 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를통해제1 바이오신호를감지하고, 제2 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를통해제2 바이오신호를감지하고, 그리고제1 바이오신호와제2 바이오신호는서로다른종류이다.

Abstract translation: 具有双门图标感测场效应的晶体管生物传感器的传感器系统包括：双栅离子感测场效应的第一晶体管生物传感器; 以及双栅离子感测场效应的第二晶体管生物传感器。 通过第一晶体管生物传感器感测第一生物信号的双栅离子感测场效应，通过第二晶体管生物传感器感测到第二生物信号的双栅离子感测场效应，以及第一生物信号的类型 生物信号和第二生物信号的类型彼此不同。

公开(公告)号：KR101616560B1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：KR1020140164134

申请日：2014-11-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  이석 ,  전민홍 ,  박정훈 ,  조원주 ,  이인규

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/50

CPC classification number: G01N27/414 ,  G01N33/50 ,  G01N27/327 ,  G01N27/4141 ,  G01N33/543

Abstract: 이온감지전계효과트랜지스터바이오센서는 ISFET와교체형센서를포함하고, 교체형센서에는나노프로브가결합되어있으며, ISFET에서발생하는정전결합현상과나노프로브기술을결합시켜, PBS 버퍼용액을사용하는기존의바이오센서플랫폼과는달리, PBS 버퍼용액을사용하지않고, 임상샘플을직접사용함으로써간단한진단이가능한바이오센서플랫폼이제공될수 있다.

Abstract translation: 离子敏感场效应晶体管生物传感器包括ISFET和可更换传感器。 纳米探针耦合到可更换传感器。 在ISFET中产生的静电耦合现象与纳米探针技术相结合。 与使用PBS缓冲溶液的现有生物传感器平台相比，提供了一种用于简单诊断的生物传感器平台，通过直接使用临床样品而不使用PBS缓冲液。

公开(公告)号：KR1020160013768A

公开(公告)日：2016-02-05

申请号：KR1020140096028

申请日：2014-07-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  이석 ,  장근혁 ,  장현준 ,  전민홍 ,  조원주

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/50 ,  C12Q1/00

CPC classification number: G01N27/414 ,  C12Q1/00 ,  G01N33/50

Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서가제공되고, 본발명의일 실시예에따른이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서는하부게이트전극, 하부게이트전극위에위치하는하부절연막, 하부절연막위에위치하고서로이격되어있는소스및 드레인, 하부절연막위에위치하고소스및 상기드레인사이에위치하는채널층, 소스, 드레인, 그리고채널층위에위치하는상부절연막, 그리고상부절연막위에위치하는상부게이트전극을포함하고, 채널층의두께는 10 nm 이하이고, 초정전결합을이용한것일수 있다.

Abstract translation: 提供了双栅离子敏感场效应晶体管（ISFET）传感器。 根据本发明的实施例，ISFET传感器包括：下栅电极; 下绝缘膜放置在下栅电极上; 放置在下绝缘膜上以彼此远离的源极和漏极; 放置在下绝缘膜上并位于源极和漏极之间的沟道层; 放置在源极，漏极和沟道层上的上绝缘膜; 以及放置在上绝缘膜上的上栅电极。 通道层厚度为10nm或更薄，并且可以使用超电容耦合。