公开(公告)号：KR1020160013768A

公开(公告)日：2016-02-05

申请号：KR1020140096028

申请日：2014-07-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  이석 ,  장근혁 ,  장현준 ,  전민홍 ,  조원주

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/50 ,  C12Q1/00

CPC classification number: G01N27/414 ,  C12Q1/00 ,  G01N33/50

Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서가제공되고, 본발명의일 실시예에따른이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서는하부게이트전극, 하부게이트전극위에위치하는하부절연막, 하부절연막위에위치하고서로이격되어있는소스및 드레인, 하부절연막위에위치하고소스및 상기드레인사이에위치하는채널층, 소스, 드레인, 그리고채널층위에위치하는상부절연막, 그리고상부절연막위에위치하는상부게이트전극을포함하고, 채널층의두께는 10 nm 이하이고, 초정전결합을이용한것일수 있다.

Abstract translation: 提供了双栅离子敏感场效应晶体管（ISFET）传感器。 根据本发明的实施例，ISFET传感器包括：下栅电极; 下绝缘膜放置在下栅电极上; 放置在下绝缘膜上以彼此远离的源极和漏极; 放置在下绝缘膜上并位于源极和漏极之间的沟道层; 放置在源极，漏极和沟道层上的上绝缘膜; 以及放置在上绝缘膜上的上栅电极。 通道层厚度为10nm或更薄，并且可以使用超电容耦合。

公开(公告)号：KR1020160087709A

公开(公告)日：2016-07-22

申请号：KR1020150007017

申请日：2015-01-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  이석 ,  전민홍 ,  이인규 ,  박정훈 ,  조원주 ,  장현준

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N2800/7028

Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서의감지시스템은제1 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서, 그리고제2 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를포함하며, 제1 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를통해제1 바이오신호를감지하고, 제2 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를통해제2 바이오신호를감지하고, 그리고제1 바이오신호와제2 바이오신호는서로다른종류이다.

Abstract translation: 具有双门图标感测场效应的晶体管生物传感器的传感器系统包括：双栅离子感测场效应的第一晶体管生物传感器; 以及双栅离子感测场效应的第二晶体管生物传感器。 通过第一晶体管生物传感器感测第一生物信号的双栅离子感测场效应，通过第二晶体管生物传感器感测到第二生物信号的双栅离子感测场效应，以及第一生物信号的类型 生物信号和第二生物信号的类型彼此不同。