公开(公告)号：KR1020160017952A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020140101686

申请日：2014-08-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  석현광 ,  이석 ,  장근혁 ,  전민홍

IPC: C12Q1/68 ,  G01N33/574

CPC classification number: G01N33/57434 ,  G01N33/56983 ,  G01N33/57411 ,  G01N33/57419 ,  G01N33/57438 ,  G01N2333/085 ,  G01N2333/09 ,  G01N2333/11 ,  G01N2333/16 ,  C12Q1/6813

Abstract: 본발명은각종질환의검출또는진단용으로사용할수 있는조성물또는키트에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及可用于检测或诊断各种疾病的组合物或试剂盒。 更具体地，本发明旨在提供一种用于以简单和简单的方式检测或诊断各种疾病的组合物或试剂盒。 根据本发明，本发明的组合物包含与导致疾病的基因结合的设计的转录激活物样效应子（dTALE）结构域。

公开(公告)号：KR1020160013768A

公开(公告)日：2016-02-05

申请号：KR1020140096028

申请日：2014-07-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  이석 ,  장근혁 ,  장현준 ,  전민홍 ,  조원주

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/50 ,  C12Q1/00

CPC classification number: G01N27/414 ,  C12Q1/00 ,  G01N33/50

Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서가제공되고, 본발명의일 실시예에따른이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서는하부게이트전극, 하부게이트전극위에위치하는하부절연막, 하부절연막위에위치하고서로이격되어있는소스및 드레인, 하부절연막위에위치하고소스및 상기드레인사이에위치하는채널층, 소스, 드레인, 그리고채널층위에위치하는상부절연막, 그리고상부절연막위에위치하는상부게이트전극을포함하고, 채널층의두께는 10 nm 이하이고, 초정전결합을이용한것일수 있다.

Abstract translation: 提供了双栅离子敏感场效应晶体管（ISFET）传感器。 根据本发明的实施例，ISFET传感器包括：下栅电极; 下绝缘膜放置在下栅电极上; 放置在下绝缘膜上以彼此远离的源极和漏极; 放置在下绝缘膜上并位于源极和漏极之间的沟道层; 放置在源极，漏极和沟道层上的上绝缘膜; 以及放置在上绝缘膜上的上栅电极。 通道层厚度为10nm或更薄，并且可以使用超电容耦合。

公开(公告)号：KR101755266B1

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020140101686

申请日：2014-08-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이관희 ,  석현광 ,  이석 ,  장근혁 ,  전민홍

IPC: C12Q1/68 ,  G01N33/574

CPC classification number: G01N33/57434 ,  G01N33/56983 ,  G01N33/57411 ,  G01N33/57419 ,  G01N33/57438 ,  G01N2333/085 ,  G01N2333/09 ,  G01N2333/11 ,  G01N2333/16

Abstract: 본발명은각종질환의검출또는진단용으로사용할수 있는조성물또는키트에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及可用于检测或诊断各种疾病的组合物或试剂盒。