고집적 필터형 위상 천이기
    1.
    发明申请
    고집적 필터형 위상 천이기 审中-公开
    高度集成的过滤器类型相变器

    公开(公告)号:WO2015037953A1

    公开(公告)日:2015-03-19

    申请号:PCT/KR2014/008549

    申请日:2014-09-15

    CPC classification number: H03H7/0161 H03H2240/00 H03H2250/00

    Abstract: 본 발명은 고역필터와 저역필터를 모두 하나의 칩에 집적한 위상 천이기에 있어서, 상기 저역필터를 구성하는 직렬 인덕터와 병렬 커패시터의 사이의 내부 공간에 상기 고역필터를 구성하는 직렬 커패시터와 병렬 인덕터를 배치하여 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다. 또한 본 발명은 고역필터와 저역필터를 선택적으로 동작시켜 위상을 천이시키는 위상 천이기에 있어서, 상기 고역필터와 상기 저역필터는 입력 신호를 선택적으로 전달받기 위한 스위칭부를 각 필터마다 적어도 하나씩을 구비하되, 상기 스위칭부는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 드레인단과 소스단 사이에 병렬 연결된 인덕터 및 상기 트랜지스터의 기판에 연결된 고저항을 포함하여 단극쌍투 스위치를 대체하여 전체 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有高通滤波器和低通滤波器的移相器,该低通滤波器和低通滤波器一体地集成到单个芯片中,更具体地,涉及一种高度集成的滤波器型移相器,其中串联电容器和并联电感器 配置高通滤波器,布置在串联电感器和并联电容器之间的内部空间中,其配置低通滤波器,从而减小芯片尺寸。 此外,本发明涉及通过选择性地操作高通滤波​​器和低通滤波器来移相的移相器,其中高通滤波器和低通滤波器中的每一个具有至少一个开关 单元,用于选择性地接收输入信号,并且切换单元通过替换包括晶体管的单极双掷开关来降低整体芯片尺寸,并联连接在晶体管的漏极端和源极端之间的电感器和连接的高电阻器 到晶体管的衬底。

    이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기 및 그 설계방법
    2.
    发明授权
    이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기 및 그 설계방법 有权
    使用双开关放大器的效率改进的包络放大器及其设计方法

    公开(公告)号:KR101350731B1

    公开(公告)日:2014-01-13

    申请号:KR1020120019211

    申请日:2012-02-24

    CPC classification number: H03F3/16 G06F17/5072 H03F1/0227

    Abstract: 본 발명은 포락선 입력 신호 크기에 따른 스위칭 영역의 스위칭 전류를 조절함으로써 전력소모를 줄여 기존 구조의 혼합형 포락선 증폭기보다 효율을 향상시킨 이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기에 관한 것이다.
    즉, 본 발명에 의한 이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기는 선형증폭기와 스위칭증폭기를 포함하는 고효율 혼합형 포락선 증폭기에 있어서, 상기 스위칭증폭기가 입력 신호 크기에 따라 선택적으로 동작하는 두 개 이상의 스위칭스테이지를 구비한 것을 특징으로 한다.

    고집적 필터형 위상 천이기
    3.
    发明授权
    고집적 필터형 위상 천이기 有权
    高积分滤波器型移相器

    公开(公告)号:KR101548980B1

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:KR1020130111152

    申请日:2013-09-16

    CPC classification number: H03H7/0161 H03H2240/00 H03H2250/00

    Abstract: 본발명은고역필터와저역필터를모두하나의칩에집적한위상천이기에있어서, 상기저역필터를구성하는직렬인덕터와병렬커패시터의사이의내부공간에상기고역필터를구성하는직렬커패시터와병렬인덕터를배치하여칩크기를감소시킨것을특징으로하는고집적필터형위상천이기에관한것이다. 또한본 발명은고역필터와저역필터를선택적으로동작시켜위상을천이시키는위상천이기에있어서, 상기고역필터와상기저역필터는입력신호를선택적으로전달받기위한스위칭부를각 필터마다적어도하나씩을구비하되, 상기스위칭부는, 트랜지스터, 상기트랜지스터의드레인단과소스단사이에병렬연결된인덕터및 상기트랜지스터의기판에연결된고저항을포함하여단극쌍투스위치를대체하여전체칩크기를감소시킨것을특징으로하는고집적필터형위상천이기에관한것이다.

    고집적 필터형 위상 천이기
    4.
    发明公开
    고집적 필터형 위상 천이기 有权
    高积分滤波器型移相器

    公开(公告)号:KR1020150032370A

    公开(公告)日:2015-03-26

    申请号:KR1020130111152

    申请日:2013-09-16

    CPC classification number: H03H7/0161 H03H2240/00 H03H2250/00 H03H9/66

    Abstract: 본 발명은 고역필터와 저역필터를 모두 하나의 칩에 집적한 위상 천이기에 있어서, 상기 저역필터를 구성하는 직렬 인덕터와 병렬 커패시터의 사이의 내부 공간에 상기 고역필터를 구성하는 직렬 커패시터와 병렬 인덕터를 배치하여 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.
    또한 본 발명은 고역필터와 저역필터를 선택적으로 동작시켜 위상을 천이시키는 위상 천이기에 있어서, 상기 고역필터와 상기 저역필터는 입력 신호를 선택적으로 전달받기 위한 스위칭부를 각 필터마다 적어도 하나씩을 구비하되, 상기 스위칭부는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 드레인단과 소스단 사이에 병렬 연결된 인덕터 및 상기 트랜지스터의 기판에 연결된 고저항을 포함하여 단극쌍투 스위치를 대체하여 전체 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种高度集成的滤波型移相器,其集成了一个芯片中的所有高通滤波器和低通滤波器,其具有将构成高通滤波器的串联电容器和并联电感器布置在 串联电感和并联电容之间的内部空间。 构成低通滤波器以减小芯片的尺寸。 另外,本发明涉及一种高度集成的滤波型移相器,其选择性地驱动高通滤波器和低通滤波器来移位相位,其具有使每个高通滤波器和低通滤波器的特性在 用于选择性地接收输入信号的至少一个开关,其中所述开关部分包括晶体管,并联连接在所述晶体管的漏极端和源极端之间的电感器,以及连接到所述晶体管的基板的高电阻,由此降低整体 通过更换单刀双掷开关,芯片尺寸。

    이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기 및 그 설계방법
    5.
    发明公开
    이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기 및 그 설계방법 有权
    使用双开关放大器的高效改进的放大器

    公开(公告)号:KR1020130097502A

    公开(公告)日:2013-09-03

    申请号:KR1020120019211

    申请日:2012-02-24

    CPC classification number: H03F3/16 G06F17/5072 H03F1/0227

    Abstract: PURPOSE: An efficiency-improved envelope amplifier using a dual switching amplifier and a designing method thereof are provided to reduce power consumption, thereby improving efficiency compared with an existing envelope amplifier. CONSTITUTION: An efficiency-improved envelope amplifier includes a linear amplifier (1) and a switching amplifier (2). The switching amplifier includes at least two switching stages (21,22) which are selectively actuated by the size of an envelope input signal. The switching stage comprises a p-channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an n-channel metal oxide semiconductor (NMOS). The envelop amplifier has a structure in which the linearity of the linear amplifier and the high efficiency of the switching amplifier. The linear amplifier is actuated by an independent voltage source amplifying the envelope input signal, and the switching amplifier is actuated by a dependent current source feeding most of an electric current required for the output of the switching amplifier. An output voltage is controlled by an input voltage, and an output current is a sum of the current of the linear amplifier and the current of the switching amplifier.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用双开关放大器的效率改进的包络放大器及其设计方法,以减少功耗,从而提高与现有的包络放大器相比的效率。 构成:效率改进的包络放大器包括线性放大器(1)和开关放大器(2)。 开关放大器包括至少两个切换级(21,22),其被包络输入信号的大小选择性地启动。 开关级包括p沟道金属氧化物半导体(PMOS)和n沟道金属氧化物半导体(NMOS)。 包络放大器具有其中线性放大器的线性度和开关放大器的高效率的结构。 线性放大器由放大包络输入信号的独立电压源驱动,并且开关放大器由依赖电流源驱动,馈送开关放大器的输出所需的大部分电流。 输出电压由输入电压控制,输出电流是线性放大器的电流与开关放大器的电流之和。

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