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公开(公告)号：WO2017164487A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/KR2016/014591
申请日：2016-12-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/11507 , G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/2255 , G11C11/2257 , G11C11/2259 , G11C11/2275 , G11C11/5657 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C13/047 , G11C2213/35 , G11C2213/71 , H01L28/55 , H01L45/00
Abstract: 본 발명에 따른 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 위치하고 전기 전도성을 가지는 결합층, 상기 결합층의 상부 또는 하부에 위치하는 메타원자층, 메타원자층 상부에 위치하는 메모리층 및 메모리층 상에 위치하고 전기 전도성을 가지는 전극층을 포함하며, 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성된다. 이에 의하여, 전기적으로 구동 가능하고, 변조된 광특성을 지속적으로 유지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 소자는 다중 전기적 입력에 의한 광특성 변조가 가능해진다.
Abstract translation: 根据本发明的存储器件包括衬底，位于衬底上的具有导电性的接合层，位于接合层的顶部或底部的间位原子层， 存储层和设置在存储层上并具有导电性的电极层，并且存储层由在预定电压或更高电压下形成自发极化的材料制成。 这使得可以连续地和电地维持调制的光学特性。 此外，根据本发明的存储器件能够通过多个电输入来调制光学特性。
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公开(公告)号：KR1020170131981A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020160062880
申请日：2016-05-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/033 , G03F7/029 , H01L21/027 , H01L21/56 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0337 , G03F7/029 , H01L21/0231 , H01L21/02348 , H01L21/0271 , H01L21/56
Abstract: 본발명의실시형태에따른메타물질을갖는마스크형성방법은, 자외선투과기판상에자외선차단막을형성하는단계; 상기자외선차단막을패터닝하여패터닝된자외선차단막과상기자외선투과기판을포함하는마스크를형성하는단계; 메타물질을미리준비하는단계; 및상기마스크에상기메타물질을전사하는단계;를포함한다. 이러한메타물질을갖는마스크형성방법에의하면, 마스크의표면구조에관계없이메타물질의형태를그대로유지시키면서마스크로전사할수 있어마스크에전사된메타물질의광 특성이변하지않는이점이있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的形成具有超常材料的掩模的方法包括：在紫外透射衬底上形成紫外线屏蔽膜; 形成包括通过图案化所述紫外线屏蔽膜和所述紫外线透射基板而图案化的所述紫外线屏蔽膜的掩模; 提前准备元资料; 并将元材料转移到面具。 根据用于形成具有这样的超材料的掩模，同时保持超材料的形式，而不管该掩模的表面的结构，它可以转移到所述掩模的方法具有这样的光传输到掩模上的超材料的特征是恒定的问题。
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公开(公告)号：KR101350731B1
公开(公告)日：2014-01-13
申请号：KR1020120019211
申请日：2012-02-24
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03F3/16 , G06F17/5072 , H03F1/0227
Abstract: 본 발명은 포락선 입력 신호 크기에 따른 스위칭 영역의 스위칭 전류를 조절함으로써 전력소모를 줄여 기존 구조의 혼합형 포락선 증폭기보다 효율을 향상시킨 이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기에 관한 것이다.
즉, 본 발명에 의한 이중 스위칭증폭기를 이용한 효율 향상된 포락선 증폭기는 선형증폭기와 스위칭증폭기를 포함하는 고효율 혼합형 포락선 증폭기에 있어서, 상기 스위칭증폭기가 입력 신호 크기에 따라 선택적으로 동작하는 두 개 이상의 스위칭스테이지를 구비한 것을 특징으로 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101091706B1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：KR1020100082707
申请日：2010-08-25
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03F3/2176 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F2200/171 , H03F2200/36
Abstract: PURPOSE: A power amplifier multi band class-E with a variable frequency property is provided to supply a multi band class-E power amplifier with high efficiency using the variability of an electrostatic capacity in the state of the turn-on and the turn-off of a transistor. CONSTITUTION: A power amplifier cell includes the transistor of a cascade structure. A band pass filter has a variable property according to a usable frequency band using the parasitic capacitor of a power amplifier cell transistor and an inductor to satisfy a multi band. The power amplifier cell is composed of a plurality of cells which is formed in parallel. A plurality of power amplifier cells satisfies a band pass characteristic in the usable frequency band using a part of an on-state and the rest of an off- state.
Abstract translation: 目的：提供具有可变频率特性的功率放大器多频段等级E，以便在导通状态和关断状态下使用静电容量的变化提供高效率的多频段E类功率放大器 的晶体管。 构成：功率放大器单元包括级联结构的晶体管。 带通滤波器根据使用功率放大单元晶体管的寄生电容器和电感器的可用频带具有可变特性以满足多频带。 功率放大器单元由并联形成的多个单元组成。 多个功率放大器单元使用一部分导通状态和其余的截止状态来满足可用频带中的带通特性。
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公开(公告)号：KR101042520B1
公开(公告)日：2011-06-20
申请号：KR1020090000324
申请日：2009-01-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명에 따른 멀티 비트 저장 가능한 메모리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 멀티 비트 저장 가능한 메모리 장치는 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부 및 제1 전극과 메모리부 사이의 일부 영역에 형성되고 외부에서 전압이 인가되는 경우에 전하 트랩이 가능하며 트랩된 전하에 의해 제1 전극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전기장이 상쇄되어 메모리부의 일부 영역의 분극 상태를 유지시키는 전하트랩부를 포함하는 셀 커패시터, 워드라인으로 인가되는 신호에 따라 셀 커패시터 및 서로 병렬 연결된 복수개의 메인비트라인을 전기적으로 연결하는 셀 트랜지스터, 복수개의 메인비트라인과 쌍을 이루는 복수개의 서브비트라인, 복수개의 메인비트라인에 각각 연결되어 셀 커패시터에 저장된 전하와 동일한 전하가 충전되� � 복수개의 전하저장부, 하나의 메인비트라인과 하나의 서브비트라인으로 이루어진 비트라인 쌍은 동일한 전압레벨로 프리차지시키되, 각각의 비트라인 쌍마다 서로 다른 전압레벨로 프리차지시키는 복수개의 등화부, 복수개의 전하저장부와 복수개의 메인비트라인 간의 전하분배에 따라, 비트라인 쌍들의 프리차지 전압을 상이한 전압레벨로 조정하는 복수개의 감지증폭부 및 복수개의 메인비트라인 및 복수개의 서브비트라인으로부터 출력되는 출력신호를 비교하고, 디지털신호로 변환하는 신호변환부를 포함한다.
강유전체, 일렉트렛, 전하 트랩(charge trap), 멀티 비트, 센싱 방법-
公开(公告)号：KR101821400B1
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR1020160034376
申请日：2016-03-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/861 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L27/07
Abstract: 본발명의실시형태에따른 2차원물질기반의능동소자는, 상면과상면에서위로돌출된돌출부를포함하는기판; 기판의상면에배치되고, 기판의돌출부의일 측에배치된제1 전극; 기판의상면에배치되고, 기판의돌출부의타 측에배치된제2 전극; 제2 전극의상면에배치된절연체; 및절연체를덮고, 제1 전극의상면과제2 전극의상면에배치된 2차원물질층;을포함한다. 이러한실시형태에따른능동소자는, 절연체위에표면상태가민감한 2차원물질층이형성되기때문에, 제작이용이하고, 공정수율을향상시킬수 있는이점이있다. 또한, 실시형태에따른능동소자는 2차원물질층이외부에노출되기때문에센서로서이용될수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020170111573A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160037326
申请日：2016-03-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의실시형태에따른 2차원물질의전사방법은, 호일에 2차원물질을합성하여호일에 2차원물질층을형성하는단계; 고체상태의고분자막을상기 2차원물질층에전사하는단계; 상기호일을제거하는단계; 상기고분자막과상기 2차원물질층을기판에전사하는단계; 및상기고분자막을상기 2차원물질층으로부터제거하는단계;를포함한다. 이러한실시형태에따른 2차원물질의전사방법은, 고체상태의고분자막을사용하기때문에, 기판에전사된 2차원물질층에고분자잔류물이생기지않고, 대면적의기판에도안정적으로 2차원물질층을전사할수 있으며, 고체상태의고분자막을 2차원물질층에서쉽게제거할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020170110255A
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020160034376
申请日：2016-03-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/861 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L27/07
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L27/07 , H01L29/1606 , H01L29/66136
Abstract: 본발명의실시형태에따른 2차원물질기반의능동소자는, 2차원물질층; 상기 2차원물질층의상면에배치된제1 전극; 상기 2차원물질층의상면에배치된절연체; 및상기 2차원물질층의상면에배치된제1 전극부및 상기제1 전극부와전기적으로연결되고상기절연체의상면에배치된제2 전극부를포함하는제2 전극;를포함한다. 이러한실시형태에따른능동소자는, 제2 전극의제2 전극부와제1 전극사이에연결되는전압에따라전류의양이달라지는다이오드로서이용될수 있는이점이있다. 또한, 이러한실시형태에따른능동소자는, 수직형구조로서낮은직렬저항을가지며, 2차원물질층에별도의패터닝이필요없는제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的基于二维材料的有源器件包括二维材料层; 设置在二维材料层的上表面上的第一电极; 设置在二维材料层的顶表面上的绝缘体; 并且第二电极包括设置在二维材料层的上表面上的第一电极部分和电连接到第一电极部分并设置在绝缘体的上表面上的第二电极部分。 根据本实施例的有源元件可以用作其中电流量根据连接在第二电极的第二电极部分和第一电极之间的电压而变化的二极管。 另外，根据该实施例的有源元件具有作为垂直结构的低串联电阻，并且在不需要在二维材料层中额外形成图案的制造中是有利的。
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