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    스핀토크형 주입고정 발진기 및 그 설계 방법
    1.
    发明申请
    스핀토크형 주입고정 발진기 및 그 설계 방법 审中-公开
    旋转扭矩型注射锁止振荡器及其设计方法

    公开(公告)号：WO2014073798A1

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：PCT/KR2013/009244

    申请日：2013-10-16

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 박철순 ,  조성준

    IPC: H03B15/00 ,  H01F10/32

    CPC classification number: H03B15/006 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G06F17/5068 ,  H01F10/329 ,  H01L43/12 ,  H03B27/00 ,  H03L7/23 ,  H03L7/24

    Abstract: 본 발명은 주입고정 기법을 이용한 스핀전달토크(spin transfer torque) 발진기에 관한 것으로서, 전력특성과 잡음특성이 각각 다른 스핀전달토크 소자 한 쌍을 사용하여 잡음특성이 우수한 스핀전달토크 소자의 출력 신호를 전력특성이 우수한 스핀전달토크 소자에 주입하여 위상을 고정함으로써 출력특성과 잡음특성 모두를 개선시킨 스핀토크형 주입고정 발진기 및 그 설계 방법에 관한 것이다. 본 발명은 출력파워 특성과 위상잡음특성이 모두 개선된 발진기를 제공하며, 나노 스케일로 집적화할 수 있어 소형화, 고품질 저가화 및 대량 생산의 장점이 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用注入锁定技术的自旋转矩扭矩振荡器，更具体地说，涉及一种使用一对具有不同功率特性的自旋转矩转矩元件来改善输出特性和噪声特性的自旋转矩型注入锁定振荡器， 噪声特性，将具有优异噪声特性的自旋转移转矩元件的输出信号注入到具有优异功率特性的自旋转移扭矩元件中，并固定相位，以及其设计方法。 本发明提供一种振荡器，其提高输出功率特性和相位噪声特性，并且可以以纳米级为基础集成，以便减小尺寸和成本并且具有高质量，并且允许批量生产。

    고집적 필터형 위상 천이기
    2.
    发明申请
    고집적 필터형 위상 천이기 审中-公开
    高度集成的过滤器类型相变器

    公开(公告)号：WO2015037953A1

    公开(公告)日：2015-03-19

    申请号：PCT/KR2014/008549

    申请日：2014-09-15

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 박철순 ,  송인상 ,  오인열 ,  조성준 ,  김홍이 ,  이채준 ,  이해진 ,  이중호 ,  윤종현

    IPC: H03H9/66

    CPC classification number: H03H7/0161 ,  H03H2240/00 ,  H03H2250/00

    Abstract: 본 발명은 고역필터와 저역필터를 모두 하나의 칩에 집적한 위상 천이기에 있어서, 상기 저역필터를 구성하는 직렬 인덕터와 병렬 커패시터의 사이의 내부 공간에 상기 고역필터를 구성하는 직렬 커패시터와 병렬 인덕터를 배치하여 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다. 또한 본 발명은 고역필터와 저역필터를 선택적으로 동작시켜 위상을 천이시키는 위상 천이기에 있어서, 상기 고역필터와 상기 저역필터는 입력 신호를 선택적으로 전달받기 위한 스위칭부를 각 필터마다 적어도 하나씩을 구비하되, 상기 스위칭부는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 드레인단과 소스단 사이에 병렬 연결된 인덕터 및 상기 트랜지스터의 기판에 연결된 고저항을 포함하여 단극쌍투 스위치를 대체하여 전체 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有高通滤波器和低通滤波器的移相器，该低通滤波器和低通滤波器一体地集成到单个芯片中，更具体地，涉及一种高度集成的滤波器型移相器，其中串联电容器和并联电感器 配置高通滤波器，布置在串联电感器和并联电容器之间的内部空间中，其配置低通滤波器，从而减小芯片尺寸。 此外，本发明涉及通过选择性地操作高通滤波​​器和低通滤波器来移相的移相器，其中高通滤波器和低通滤波器中的每一个具有至少一个开关 单元，用于选择性地接收输入信号，并且切换单元通过替换包括晶体管的单极双掷开关来降低整体芯片尺寸，并联连接在晶体管的漏极端和源极端之间的电感器和连接的高电阻器 到晶体管的衬底。

    위상 천이기
    4.
    发明授权
    위상 천이기 失效
    相变器

    公开(公告)号：KR100980678B1

    公开(公告)日：2010-09-07

    申请号：KR1020080101228

    申请日：2008-10-15

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 송인상 ,  박철순 ,  정동윤 ,  은기찬 ,  이재진 ,  조성준

    IPC: H03H9/66

    CPC classification number: H01P1/184

    Abstract: 본 발명에 따른 위상 천이기는 기판의 소정 위치에 형성된 신호 라인과, 기판 내에 형성되어 상기 기판의 효과 유전율을 변화시켜 상기 신호 라인에 유기된 신호의 위상을 지연시키는 공기 공극을 포함한다.
    이와 같이, 본 발명은 공기 공극으로 기판의 효과 유전율을 조절하여 신호의 위상을 지연시킴으로써, 기존의 위상 천이기와 비교하여 획기적으로 적은 삽입 손실을 갖고, 기판과 길이 변화가 없기 때문에 소형 제작이 가능한 장점이 있다.
    위상천이기, 공기공극, 저손실

    고집적 필터형 위상 천이기
    5.
    发明授权
    고집적 필터형 위상 천이기 有权
    高积分滤波器型移相器

    公开(公告)号：KR101548980B1

    公开(公告)日：2015-09-02

    申请号：KR1020130111152

    申请日：2013-09-16

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 박철순 ,  송인상 ,  오인열 ,  조성준 ,  김홍이 ,  이채준 ,  이해진 ,  이중호 ,  윤종현

    IPC: H03H9/66

    CPC classification number: H03H7/0161 ,  H03H2240/00 ,  H03H2250/00

    Abstract: 본발명은고역필터와저역필터를모두하나의칩에집적한위상천이기에있어서, 상기저역필터를구성하는직렬인덕터와병렬커패시터의사이의내부공간에상기고역필터를구성하는직렬커패시터와병렬인덕터를배치하여칩크기를감소시킨것을특징으로하는고집적필터형위상천이기에관한것이다. 또한본 발명은고역필터와저역필터를선택적으로동작시켜위상을천이시키는위상천이기에있어서, 상기고역필터와상기저역필터는입력신호를선택적으로전달받기위한스위칭부를각 필터마다적어도하나씩을구비하되, 상기스위칭부는, 트랜지스터, 상기트랜지스터의드레인단과소스단사이에병렬연결된인덕터및 상기트랜지스터의기판에연결된고저항을포함하여단극쌍투스위치를대체하여전체칩크기를감소시킨것을특징으로하는고집적필터형위상천이기에관한것이다.

    고집적 필터형 위상 천이기
    6.
    发明公开
    고집적 필터형 위상 천이기 有权
    高积分滤波器型移相器

    公开(公告)号：KR1020150032370A

    公开(公告)日：2015-03-26

    申请号：KR1020130111152

    申请日：2013-09-16

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 박철순 ,  송인상 ,  오인열 ,  조성준 ,  김홍이 ,  이채준 ,  이해진 ,  이중호 ,  윤종현

    IPC: H03H9/66

    CPC classification number: H03H7/0161 ,  H03H2240/00 ,  H03H2250/00 ,  H03H9/66

    Abstract: 본 발명은 고역필터와 저역필터를 모두 하나의 칩에 집적한 위상 천이기에 있어서, 상기 저역필터를 구성하는 직렬 인덕터와 병렬 커패시터의 사이의 내부 공간에 상기 고역필터를 구성하는 직렬 커패시터와 병렬 인덕터를 배치하여 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.
    또한 본 발명은 고역필터와 저역필터를 선택적으로 동작시켜 위상을 천이시키는 위상 천이기에 있어서, 상기 고역필터와 상기 저역필터는 입력 신호를 선택적으로 전달받기 위한 스위칭부를 각 필터마다 적어도 하나씩을 구비하되, 상기 스위칭부는, 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 드레인단과 소스단 사이에 병렬 연결된 인덕터 및 상기 트랜지스터의 기판에 연결된 고저항을 포함하여 단극쌍투 스위치를 대체하여 전체 칩크기를 감소시킨 것을 특징으로 하는 고집적 필터형 위상 천이기에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种高度集成的滤波型移相器，其集成了一个芯片中的所有高通滤波器和低通滤波器，其具有将构成高通滤波器的串联电容器和并联电感器布置在 串联电感和并联电容之间的内部空间。 构成低通滤波器以减小芯片的尺寸。 另外，本发明涉及一种高度集成的滤波型移相器，其选择性地驱动高通滤波器和低通滤波器来移位相位，其具有使每个高通滤波器和低通滤波器的特性在 用于选择性地接收输入信号的至少一个开关，其中所述开关部分包括晶体管，并联连接在所述晶体管的漏极端和源极端之间的电感器，以及连接到所述晶体管的基板的高电阻，由此降低整体 通过更换单刀双掷开关，芯片尺寸。

    스핀토크형 주입고정 발진기 및 그 설계 방법
    8.
    发明授权
    스핀토크형 주입고정 발진기 및 그 설계 방법 有权
    旋转扭矩型注射锁止振荡器及其设计方法

    公开(公告)号：KR101359399B1

    公开(公告)日：2014-02-10

    申请号：KR1020120126036

    申请日：2012-11-08

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 조성준 ,  박철순

    IPC: H03B15/00 ,  H01F10/32

    CPC classification number: H03B15/006 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G06F17/5068 ,  H01F10/329 ,  H01L43/12 ,  H03B27/00 ,  H03L7/23 ,  H03L7/24

    Abstract: The present invention relates to a spin transfer torque oscillator using an injection locking method and more particularly, to a spin torque type injection locking oscillator and a designing method thereof, capable of improving output and noise properties by locking phase by inserting an output signal of a spin transfer torque element with high noise properties into a spin transfer torque element with high power properties by using a pair of spin torque transfer elements with different power and noise properties. The present invention performs a nanoscale integration, reduces a size thereof, obtains high quality, reduces manufacturing costs, and performs mass production by providing the oscillator with high output power and phase noise properties. [Reference numerals] (301) Spin torque type element for high output power; (302) Spin torque type element for low noise; (303) Second power unit; (304) First power unit; (309) Current control injection oscillator; (310) Current control oscillator; (AA) Second oscillation signal; (BB) First oscillation signal

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用注入锁定方法的自旋转矩转矩振荡器，更具体地说，涉及一种自旋转矩型注入锁定振荡器及其设计方法，其能够通过插入一个输出信号 通过使用具有不同功率和噪声特性的一对自旋转矩传递元件，具有高噪声特性的自旋转移转矩元件转换成具有高功率特性的自旋转矩转矩元件。 本发明通过提供具有高输出功率和相位噪声特性的振荡器来执行纳米尺度集成，减小其尺寸，获得高质量，降低制造成本，并进行批量生产。 （附图标记）（301）高输出功率的自旋转矩型元件; （302）低噪音自转力矩元件; （303）第二电源单元; （304）第一动力单元; （309）电流控制注入振荡器; （310）电流控制振荡器; （AA）第二振荡信号; （BB）第一振荡信号

    위상 천이기
    9.
    发明公开
    위상 천이기 失效
    相变器

    公开(公告)号：KR1020100042091A

    公开(公告)日：2010-04-23

    申请号：KR1020080101228

    申请日：2008-10-15

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 송인상 ,  박철순 ,  정동윤 ,  은기찬 ,  이재진 ,  조성준

    IPC: H03H9/66

    CPC classification number: H01P1/184

    Abstract: PURPOSE: A phase shifter is provided to implement small insertion loss through a phase delay of a signal by controlling an effect dielectric constant of a substrate with an air gap. CONSTITUTION: A GCPW(Ground Co-Planar Wave Guide) phase shifter is composed of a transfer substrate(100), a first metal layer(102), a signal line(104), a second metal layer(106), and an air gap(108). The transfer substrate is formed by using a plurality of ceramic substrates. The first metal layer is grounded in a lower part of the transfer substrate. A signal line is formed in the constant area of the upper part of the transfer substrate. The second metal layer is grounded in an upper part of the transfer substrate. The air gap is formed inside the transfer substrate between the first metal layer and the signal line.

    Abstract translation: 目的：通过控制具有气隙的衬底的效应介电常数，提供移相器以通过信号的相位延迟来实现小的插入损耗。 构成：GCPW（地面共平面波导）移相器由转移基板（100），第一金属层（102），信号线（104），第二金属层（106）和空气 间隙（108）。 通过使用多个陶瓷基板来形成转印基板。 第一金属层在转印衬底的下部接地。 信号线形成在转印基板的上部的恒定区域中。 第二金属层在转印基板的上部接地。 在第一金属层和信号线之间的转移基板的内部形成气隙。

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