公开(公告)号：KR100887638B1

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020070087949

申请日：2007-08-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  하명현 ,  박현정 ,  황철순

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: 시스템 인 패키지는 반도체 기판, 제1 다이, 고전도층 및 제2 다이를 포함한다. 반도체 기판은 상부면에 접지 패드를 구비한다. 제1 다이는 반도체 기판 위에 위치한다. 고전도층은 제1 다이 위에 위치하고, 와이어본딩에 의해 반도체 기판의 접지 패드에 연결된다. 제2 다이는 고전도층 위에 위치한다. 고전도층은 제1 다이 및 제2 다이 사이의 커플링 현상을 방지한다. 따라서 시스템 인 패키지 내 적층된 다이들 사이에서 발생하는 신호 간섭 및 적층된 다이들 사이의 노이즈 전달을 감소시킬 수 있다.
시스템 인 패키지, 다이, 전기전도율

公开(公告)号：KR1020090022524A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070087949

申请日：2007-08-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  하명현 ,  박현정 ,  황철순

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: A system in package of protecting noise transfer between stacked dies is provided to improve the electrical characteristic while implementing the miniaturization. A system in package(100) comprises a semiconductor substrate(110), the first die(130), the high conductive layer(150), and the second die(170). The semiconductor substrate has the grounding pad(112). The first die is arranged on the semiconductor substrate. The high conductive layer is located on the surface of the first die and is electrically connected with the grounding pad. The second die is arranged on the high conductive layer. The high conductive layer prevents the interference between the first and second dies. The high conductive layer is the same material as the first and second dies.

Abstract translation: 提供了一种在堆叠管芯之间保护噪声传递的封装体系，以在实现小型化的同时提高电气特性。 封装（100）中的系统包括半导体衬底（110），第一裸片（130），高导电层（150）和第二裸片（170）。 半导体衬底具有接地焊盘（112）。 第一管芯设置在半导体衬底上。 高导电层位于第一管芯的表面上并与接地垫电连接。 第二管芯设置在高导电层上。 高导电层防止第一和第二裸片之间的干涉。 高导电层是与第一和第二裸片相同的材料。

公开(公告)号：KR100951552B1

公开(公告)日：2010-04-09

申请号：KR1020070137063

申请日：2007-12-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  황철순 ,  박현정 ,  하명현

IPC: H01P5/18

Abstract: 듀플렉스(Duplex) 송수신 시스템이 구성되는 시스템 인 패키지의 패키지 기판에 내장되는 방향성 결합기는 외부로부터 유입되는 전자기파를 차단하고 신호선의 그라운드를 만들어 주기 위한 제1 그라운드 레이어, 상기 제1 그라운드 레이어 위에 적층되는 유전체층에 형성되는 폴디드 커플드 라인(folded coupled line) 형태의 제1 및 제2 신호라인들 및 상기 유전체층 위에 적층되어 외부로부터 유입되는 전자기파를 차단하고 신호선의 그라운드를 만들어 주기 위한 제2 그라운드 레이어를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090069411A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020070137063

申请日：2007-12-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  황철순 ,  박현정 ,  하명현

IPC: H01P5/18

CPC classification number: H01P5/18 ,  H01P1/36 ,  H01P3/08 ,  H01P5/19

Abstract: A directional coupler and a system-in-package of a duplex transceiver including the same are provided to reduce a size of a directional coupler by designing a first signal line and a second signal line into a folded coupled line shape. A directional coupler includes a first ground layer(20), a second ground layer(40), a first signal line, and a second signal line(70). The first ground layer blocks an external electromagnetic wave. The first signal line and the second signal line are formed on a dielectric layer(30) into a folded coupled shape. The dielectric layer is laminated on the first ground layer. The second ground layer is laminated on the dielectric layer in order to block the external electromagnetic wave. The first ground layer and the second ground layer form a ground for the first signal line and the second signal line. The first signal line and the second signal line are a strip transmission line.

Abstract translation: 提供了包括该双向收发器的定向耦合器和系统级封装，以通过将第一信号线和第二信号线设计成折叠耦合的线形来减小定向耦合器的尺寸。 定向耦合器包括第一接地层（20），第二接地层（40），第一信号线和第二信号线（70）。 第一接地层阻挡外部电磁波。 第一信号线和第二信号线形成在电介质层（30）上，形成折叠形状。 介电层层叠在第一接地层上。 第二接地层被层叠在电介质层上以阻挡外部电磁波。 第一接地层和第二接地层形成第一信号线和第二信号线的接地。 第一信号线和第二信号线是带状传输线。

公开(公告)号：KR101198928B1

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：KR1020100132982

申请日：2010-12-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  황철순

IPC: H01L21/768

Abstract: 전자기 밴드갭 구조물은 반도체 기판, MOS 커패시터, 제1 전력 전달 층 및 제2 전력 전달 층을 포함한다. MOS 커패시터는 반도체 기판의 표면에 형성된다. 제1 전력 전달 층은 반도체 기판의 MOS 커패시터가 형성되는 영역의 상부에 배치되며, 교번적으로 배열되는 복수의 제1 접지 라인들 및 복수의 제1 전원 라인들을 구비한다. 제2 전력 전달 층은 제1 전력 전달 층의 상부에 배치되며, 교번적으로 배열되는 복수의 제2 접지 라인들 및 복수의 제2 전원 라인들을 구비한다. 복수의 제1 접지 라인들과 복수의 제2 접지 라인들은 전기적으로 연결되며, 복수의 제1 전원 라인들과 복수의 제2 전원 라인들은 전기적으로 연결된다.

公开(公告)号：KR1020120071435A

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：KR1020100132982

申请日：2010-12-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정호 ,  황철순

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H05K1/0236 ,  H05K2201/09309

Abstract: PURPOSE: An electromagnetic band gap structure having an active element, a semiconductor chip including the same, and a method of manufacturing an electromagnetic band gap structure are provided to efficiently reduce SSN(Simultaneous Switching Noise) by easily controlling a frequency range of a stop band. CONSTITUTION: An MOS(Metal Oxide Semiconductor) capacitor(120) is formed on a surface of a semiconductor substrate(110). A first power transfer layer(130) is arranged on the top of an area on which the MOS capacitor is formed. The first power transfer layer includes a plurality of first ground lines(132) and a plurality of first power source lines(134). A second power transfer layer(140) is arranged on the top of the first power transfer layer. The second power transfer layer includes a plurality of second ground lines(142) and a plurality of second power lines(144).

Abstract translation: 目的：提供具有有源元件的电磁带隙结构，包括该有源元件的半导体芯片以及制造电磁带隙结构的方法，通过容易地控制阻带的频率范围来有效降低SSN（同时开关噪声） 。 构成：在半导体衬底（110）的表面上形成MOS（金属氧化物半导体）电容器120。 第一电力传输层（130）布置在其上形成有MOS电容器的区域的顶部。 第一功率传输层包括多个第一接地线（132）和多个第一电源线（134）。 第二电力传输层（140）布置在第一电力传输层的顶部。 第二功率传输层包括多个第二接地线（142）和多个第二电源线（144）。