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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101890932B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020170017363
申请日：2017-02-08
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은고효율마이크로 LED 구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는광추출효율을높일수 있는질화물반도체를이용한고효율마이크로 LED 구조체에관한것이다. 상기와같은목적을달성하기위한본 발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는기판부와; 상기기판부의상부에형성되는 n-GaN층과, 상기 n-GaN층의상부에형성되는활성층과, 상기활성층의상부에형성되는 p-GaN층을포함하는 GaN계에피층;을구비하고, 상기 GaN계에피층은상방으로볼록한렌즈형상으로형성되고, 상하두께가하단의반지름과같거나크게형성된것을특징으로한다. 본발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는 GaN LED 소자자체를마이크로미터크기의곡면을가지는렌즈형으로제조함으로써소자의면을통해효과적으로광을추출할수 있는장점이있다.
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3.发明授权
公开(公告)号：KR101806339B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160080749
申请日：2016-06-28
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L21/306 , H05B33/12 , H01L33/10
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/30604 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L2924/12041 , H05B33/12
Abstract: 본발명은투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법및 이를이용한투명디스플레이용마이크로 LED에관한것으로서, 더욱상세하게는발광부에서생성된빛을전면으로방출시킬수 있게함으로써발광소자의광효율및 개구율을높일수 있는투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법및 이를이용한투명디스플레이용마이크로 LED에관한것이다. 본발명에따른투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법은서브기판상에형성되는반도체구조물즉, 발광소자를서브기판으로부터분리함으로써분리된서브기판을재사용할수 있을뿐만아니라, 전원공급을위한 n-전극층및 p-전극층이상하로배치된구조에의해사이즈를축소시킬수 있다또한, 본발명에따른투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법은습식방식으로서브기판으로부터반도체구조물을분리할수 있어대면적의반도체구조물어레이생산이가능하며, 투명및 웨어러블디스플레이및 광전소자에적용이적합한장점이있다.
Abstract translation: 本发明是透明的生产用于显示微LED方法，并且涉及使用相同的，更具体的微型LED为透明显示器，一个透明的，这反过来，益处光效率和光通过允许sikilsu发射从发光部向前方产生的光发射器件的孔径比 一种制造用于显示器的微型LED的方法以及使用该方法的用于透明显示器的微型LED。 制造微根据本发明是形成在子板上的半导体结构，以及能够重复使用子板通过分离从子板用于供电的发光器件中，正电极分开和LED透明显示器的方法 根据本发明的制造用于透明显示器的微型LED的方法可以通过湿法将半导体结构与子基板分离， 适用于透明耐磨显示器和光电器件。
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公开(公告)号：KR101918263B1
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：KR1020170108199
申请日：2017-08-25
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , G09G3/32
Abstract: 본발명은드라이버일체형디스플레이패널에관한것으로서, 더욱상세하게는디스플레이패널을여러개 결합하여대형디스플레이를구현시, 디스플레이사이의시임(seam) 영역을감소시킬수 있는드라이버일체형디스플레이패널에관한것이다. 본발명에따른드라이버일체형디스플레이패널은일 측디스플레이패널의가장자리메인기판영역과이에인접하도록배치되는타 측디스플레이패널의가장자리메인기판영역을 LED의배치간격과대응되는간격만큼으로이격시킬수 있어디스플레이패널들사이의시임을기존에비해현저하게줄일수 있고, 이러한특징을통해시임의대형디스플레이를용이하게구현할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR1020180092057A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：KR1020170017363
申请日：2017-02-08
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L33/02 , H01L33/58 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033
Abstract: 본발명은고효율마이크로 LED 구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는광추출효율을높일수 있는질화물반도체를이용한고효율마이크로 LED 구조체에관한것이다. 상기와같은목적을달성하기위한본 발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는기판부와; 상기기판부의상부에형성되는 n-GaN층과, 상기 n-GaN층의상부에형성되는활성층과, 상기활성층의상부에형성되는 p-GaN층을포함하는 GaN계에피층;을구비하고, 상기 GaN계에피층은상방으로볼록한렌즈형상으로형성되고, 상하두께가하단의반지름과같거나크게형성된것을특징으로한다. 본발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는 GaN LED 소자자체를마이크로미터크기의곡면을가지는렌즈형으로제조함으로써소자의면을통해효과적으로광을추출할수 있는장점이있다.
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