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公开(公告)号：KR20210028385A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109381A
申请日：2019-09-04
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/38 , H01L33/44
Abstract: 라운드형 발광소자를 개시한다. 본 발명은 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 포함하고, 상기 에피 구조체는 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2012064050A2
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/KR2011/008370
申请日：2011-11-04
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L29/045 , H01L33/0079
Abstract: 본 발명의 구체예에서 개시된 무극성 또는 반극성 III족 질화물 층은 각종 전자 소자의 기판 용도로 사용될 수 있는 바, 종래의 극성 III족 질화물 기판의 문제점을 완화 또는 해소할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 리프트 오프 방식에 의하여 제조될 수 있다.
Abstract translation: 在本发明的具体实施例中公开的非极性或半极性III族氮化物层可以用于各种电子器件的基板，其中通过使用氮化物衬底的氮化物衬底来减轻或解决常规极性III族氮化物衬底的问题 本发明，并且可以通过化学剥离工艺制造氮化物衬底。
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公开(公告)号：WO2017164484A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/KR2016/014262
申请日：2016-12-07
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 다른 기판으로 쉽게 전사할 수 있는 LED 구조체와, 반복적인 전사공정에도 LED 구조체와의 접착력이 유지될 수 있는 전사체와, LED 구조체의 선택적인 전사를 수행할 수 있는 LED 구조체와 이를 전사하는 LED 구조체와 전사체 및 이를 이용한 전사방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
Abstract translation:
本发明进行LED结构，和重复前，在转印步骤中，所述发光二极管结构的粘合力也能够维持部件，所述LED结构的选择性转移，可以容易地转移到不同的衬底 本发明提供了一种LED结构，用于传输该LED结构的LED结构，转印体以及使用该结构的转印方法。
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公开(公告)号：KR101876008B1
公开(公告)日：2018-07-09
申请号：KR1020150191022
申请日：2015-12-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L25/16 , H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/48 , F21K99/00 , H01L21/677
Abstract: 본발명은 LED 모듈을지지기판에부착하고자외선흡수층과접착력이약한패시베이션층을이용하여 LED 모듈을다른기판으로쉽게이송할수 있는 LED 구조체및 이의전사방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은 p-n 접합구조를갖는복수의 LED 모듈이메탈본딩층을통해지지기판과접착되고, 일정파장범위의광에의해상기지지기판과의접착력이약해지면, 상기접착된 LED 모듈이상기지지기판에서개별또는어레이형태로분리되도록한다. 따라서본 발명은 LED 모듈을지지기판에부착하고자외선흡수층과접착력이약한패시베이션층을이용하여분리함으로써, LED 모듈을다른기판으로쉽게전사할수 있는장점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170110547A
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020170081716
申请日：2017-06-28
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED 구조체어레이의제조과정에서개별 LED 구조체또는 LED 구조체어레이의반복적인전사공정에도 LED 구조체와의접착력이유지될수 있고, LED 구조체에서성장용으로사용된모기판의제거와다른기판으로의이동이용이한 LED 구조체를제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은임시기판과접합한뒤 에피구조체로부터성장기판을제거하고, 에칭을통해상기에피구조체로부터개별에피구조체를형성한 LED 구조체로서, 상기 LED 구조체는개별에피구조체와임시기판이접착하기위한메탈본딩층이형성되고, 상기메탈본딩층은임시기판으로일정파장범위의광이조사되면, 상기임시기판과의접착력이약해지는자외선흡수층을구비하며, 상기임시기판과의접착력이약해지면, 상기개별에피구조체가전사체와접착하여개별또는어레이형태로분리되도록이루어진것을특징으로한다.
Abstract translation: 个体的本发明运动的LED结构，或LED的结构，即使在重复阵列的转移过程可以保持所述LED结构之间的粘附性，移除期间LED结构阵列的制造过程中使用的LED结构的生长和在另一方的基板的母基板的 本发明的目的是提供可以使用的LED结构。 本发明实现这一点是除去临时衬底和键合了一个从外延结构生长衬底之后，并且为LED结构，形成从外延结构和LED结构个体外延结构的单独的外延结构和临时衬底通过蚀刻键合 形成金属接合层上，并且金属接合层在恒定的波长范围与所述临时衬底照射，具有紫外线吸收层变得周围临时衬底的粘合强度，haejimyeon临时衬底药物之间的粘附力， 并且单独的外延结构被粘附到带电体并被分成单个或阵列形式。
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公开(公告)号：KR101618244B1
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020140193853
申请日：2014-12-30
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50
Abstract: 본발명은 3D 프린팅방법을이용하여형광체의두께및 색좌표의균일성을개선할수 있는백색발광다이오드의제조방법에관한것으로, 형광체와가시광영역에서광투과율이높은레진재료로이루어진필라멘트를이용한 3D 프린팅에의해 LED 칩상부의적어도일부를코팅하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用3D打印方法能够提高荧光体的厚度均匀性和色坐标的白色发光二极管的制造方法。 根据本发明，通过利用由荧光体和可见光区域中的具有高透光率的树脂材料构成的细丝的3D打印方法来涂覆LED芯片的上部的至少一部分。
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公开(公告)号：KR101480537B1
公开(公告)日：2015-01-09
申请号：KR1020130109966
申请日：2013-09-12
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/382
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 복수 개의 발광 다이오드 셀 및 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 서로 인접한 발광 다이오드 셀을 전기적으로 연결하는 도전성 브릿지를 포함하고, 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀의 각각은, 제1 질화물계 반도체층, 상기 제1 질화물계 반도체층의 상부에 배치되는 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 구비하는 구조물, 상기 구조물의 하부로부터 연장되어 상기 제2 질화물계 반도체층과 접촉하고, 상기 제1 질화물계 반도체층 및 활성층과 절연되는 제2 도전성 콘택부 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 접하고, 상기 제2 도전성 콘택부와 이격되도록 형성된 제1 도전성 콘택부를 포함하는 발광 다이오드 장치를 개시한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例包括多个发光二极管单元，以及将发光二极管单元之间相邻的发光二极管单元电连接的导电桥。 每个发光二极管单元包括包括第一氮化物半导体层，布置在第一氮化物半导体层的上部的第二氮化物半导体层和布置在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间的有源层的结构; 第二导电接触部分，其从结构的下部延伸并接触第二氮化物半导体层，并与第一氮化物半导体层和有源层绝缘; 以及与第一氮化物半导体层接触并与第二导电接触部分分离的第一导电接触部。
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公开(公告)号：KR1020140079115A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020120148729
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/04 , H01L33/486 , H01L33/52
Abstract: The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof. The light emitting device comprises: a PCB substrate on which an electrode connection part is formed; an LED chip of which an electrode formation surface is arranged toward the PCB substrate; and a fluorescent body layer formed on a substrate of the LED chip. According to the present invention, a space, needed for mounting the LED chip on the PCB substrate on which the electrode connection part is formed, is small. Therefore, a package can: have a large capacity; be miniaturized; and reduce the power consumption.
Abstract translation: 发明装置及其制造方法技术领域本发明涉及发光装置及其制造方法。 发光器件包括：PCB基板，其上形成有电极连接部分; 将其电极形成面朝向PCB基板配置的LED芯片; 以及形成在所述LED芯片的基板上的荧光体层。 根据本发明，在形成有电极连接部的PCB基板上安装LED芯片所需的空间很小。 因此，包装可以：具有大容量; 小型化; 并降低功耗。
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公开(公告)号：KR1020140034348A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020120096785
申请日：2012-08-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0008
Abstract: The present invention is to disclose a light emitting diode and a method of manufacturing the same, which comprise: a reflection electrode layer; a lamination formed on the reflection electrode layer and having an n-type III-nitride group semiconductor layer, a p-type III-nitride group semiconductor layer, and an activating layer formed between the n-type III-nitride group semiconductor layer and the p-type III-nitride group semiconductor layer; a translucent conductive substrate formed on the lamination and having zinc oxide (ZnO); and a pad portion formed on the opposite side of the surface facing the lamination among the transparent conductive substrate, wherein the angle of adjacent sides among a plurality of sides of the lamination is less than 90 degrees or more than 90 degrees.
Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，它包括：反射电极层; 形成在反射电极层上并具有n型III族氮化物半导体层，p型III族氮化物半导体层和在n型III族氮化物半导体层和 p型III族氮化物半导体层; 形成在层叠上并具有氧化锌（ZnO）的半透明导电基板; 以及形成在所述透明导电性基板的面对所述层叠体的面的相对侧的垫部，所述层叠体的多个侧面中的相邻侧的角度小于90度以上且90度以下。
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