公开(公告)号：KR101890932B1

公开(公告)日：2018-08-22

申请号：KR1020170017363

申请日：2017-02-08

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  김영우 ,  사기동 ,  김정현 ,  조유현 ,  박현선 ,  권민기

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/58 ,  H01L33/02

Abstract: 본발명은고효율마이크로 LED 구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는광추출효율을높일수 있는질화물반도체를이용한고효율마이크로 LED 구조체에관한것이다. 상기와같은목적을달성하기위한본 발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는기판부와; 상기기판부의상부에형성되는 n-GaN층과, 상기 n-GaN층의상부에형성되는활성층과, 상기활성층의상부에형성되는 p-GaN층을포함하는 GaN계에피층;을구비하고, 상기 GaN계에피층은상방으로볼록한렌즈형상으로형성되고, 상하두께가하단의반지름과같거나크게형성된것을특징으로한다. 본발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는 GaN LED 소자자체를마이크로미터크기의곡면을가지는렌즈형으로제조함으로써소자의면을통해효과적으로광을추출할수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR1020170123916A

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：KR1020160053226

申请日：2016-04-29

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  김용환 ,  권민기

IPC: G02B21/00 ,  G01J3/02

CPC classification number: G02B21/0024 ,  G01J3/0216 ,  G02B21/0032

Abstract: 본발명은마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치에관한것으로서, 더욱상세하게는마이크로미터이하의사이즈를가지는발광소자의분광분석에적용할수 있는마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치에관한것이다. 본발명에따른마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치는기존의와이어본딩을통한전류공급방식을대체하여프로브를통한발광소자에전류공급이가능한시스템을적용함으로써수 내지수백마이크로미터사이즈를가지는발광소자의분광분석을수행할수 있고, 기존갈바노스캐너를통한스캔방식을대체하여스테이지를이동시키는스캔방식을적용함으로써기존의방식보다고해상도및 고선명도의이미지를획득할수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR1020150036839A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020130115697

申请日：2013-09-27

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  백종협 ,  주진우 ,  정탁 ,  이상헌 ,  오화섭 ,  권민기 ,  박형조

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/10 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에형성되는반사금속층, 상기반사금속층상에형성되고, p-형 3족-질화물계반도체층, n-형 3족-질화물계반도체층및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층과 n-형 3족-질화물계반도체층사이에형성된활성층을구비하는적층체, 상기적층체상에형성되는투명윈도우부재및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층및 n-형 3족-질화물계반도체층중 하나에전기적으로연결된패드부를포함하는발광다이오드를제공한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种发光二极管，其包括基板; 形成在所述基板上的反射金属层; 形成在反射金属层上的层压体，并且包括p型III族氮化物基半导体层，n型III族氮化物基半导体层和形成在p型基团III族氮化物基半导体层之间的有源层， 氮化物基半导体层和n型III族氮化物基半导体层; 形成在所述层叠体上的透明窗构件; 以及与p型III族氮化物系半导体层和n型III族氮化物类半导体层中的一者电连接的焊盘部。

公开(公告)号：KR1020140103678A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：KR1020130017384

申请日：2013-02-19

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  백종협 ,  권민기

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L2224/24 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: The present invention discloses a light emitting diode which includes a substrate and a cell array comprising a plurality of unit cells, arranged and formed on the substrate. The cell array may have a cross section in the shape of a polygon having at least one internal angle smaller or larger than 90°. Moreover, the cell array comprising a plurality of unit cells has characteristics of high voltage light emitting diodes of which unit cells are connected in series. When the shape of the cell array has the internal angle smaller or larger than 90°, light emitting properties are enhanced; an area of the light emitting diode as the high voltage light emitting diode has an increased efficiency.

Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管，其包括基板和包括多个单元电池的单元阵列，其布置并形成在基板上。 电池阵列可以具有具有小于或大于90°的至少一个内角的多边形形状的横截面。 此外，包括多个单电池的电池阵列具有串联连接单位电池的高电压发光二极管的特性。 当电池阵列的形状具有小于或大于90°的内角时，发光性能增强; 作为高电压发光二极管的发光二极管的面积具有提高的效率。

公开(公告)号：KR101300805B1

公开(公告)日：2013-08-26

申请号：KR1020110054749

申请日：2011-06-07

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  백종협 ,  이승재 ,  주진우 ,  정탁 ,  이상헌 ,  오화섭 ,  김상묵 ,  이광철 ,  권민기

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06

Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 발광 다이오드의 광추출 영역의 상부 접촉층에 발광파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 발광파장보다 작은 주기의 무반사 구조층을 가져 내부반사를 줄이는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, n형 또는 p형 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 하부 접촉층; 상기 하부 접촉층 상단에 형성되고 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 장벽층 및 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 우물층을 적어도 하나 이상 포함하는 단일 또는 다중양자 우물구조를 가지는 활성층; 및 상기 활성층 상단에 형성되고 p형 또는 n형 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 상부 접촉층; 을 포함하고, 상기 상부 접촉층 또는 하부 접촉층의 바깥부에 발광파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 발광파장보다 작은 주기의 무반사 구조층을 가지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101619475B1

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020150002956

申请日：2015-01-08

Applicant: 조선대학교산학협력단 ,  한국광기술원

Inventor： 권민기 ,  오승종 ,  전종현 ,  신선율 ,  김두형 ,  김자연

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50

Abstract: 본발명은표면플라즈몬공명을이용한발광소자구조에관한것으로, 발광다이오드칩과; 상기발광다이오드칩 상에형성되는스페이서와; 상기스페이서상에형성되어상기발광다이오드칩에서방출되는빛에의해여기되어발광하는형광체를포함하는형광층과; 상기스페이서의내부에매몰되어있고, 나노사이즈를가지며, 구형상으로형성된복수의금속나노입자들을포함하는금속나노입자층;을구비하고, 상기스페이서는상기금속나노입자들에의한표면플라즈몬공명이상기형광층에미치도록상기금속나노입자층과상기형광층사이의간격을조절할수 있도록형성된것을특징으로한다. 본발명에따른표면플라즈몬공명을이용한발광소자구조는발광다이오드에금속나노입자와형광체및 스페이서를결합하고, 형광체를플라즈몬공명(국소표면플라즈몬공명(LSPR, Localized Surface Plasmon Resonance))이미루어질수 있는거리에위치하도록스페이서의두께를조절함으로써형광체의발광특성과효율을향상시킴과더불어발광효율이높고, 연색특성이우수한장점을가진다.

Abstract translation: 本发明涉及使用表面等离子体共振的发光元件结构。 本发明包括：发光二极管芯片; 形成在发光二极管芯片上的间隔物; 荧光层，其形成在所述间隔物上，并且包括发射由所述发光二极管芯片发射的光激发的光的荧光体; 埋在隔离物内的金属纳米颗粒层具有纳米尺寸并且包括形成为环形的多个金属纳米颗粒。 形成间隔物以控制金属纳米颗粒层和荧光层之间的间隙，使得金属纳米颗粒的表面等离子体共振达到荧光层。 使用根据本发明的表面等离子体共振的发光元件结构将发光二极管与金属纳米颗粒，荧光体和间隔物结合，并且控制间隔物的厚度，使得荧光体位于 等离子体共振（局部表面等离子体共振，LSPR）被延迟。 因此，本发明不仅提高发光特性和荧光体的效率，而且具有发光效率高，显色性优异的优点。

公开(公告)号：KR101549138B1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：KR1020130115697

申请日：2013-09-27

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  백종협 ,  주진우 ,  정탁 ,  이상헌 ,  오화섭 ,  권민기 ,  박형조

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/10

Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에형성되는반사금속층, 상기반사금속층상에형성되고, p-형 3족-질화물계반도체층, n-형 3족-질화물계반도체층및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층과 n-형 3족-질화물계반도체층사이에형성된활성층을구비하는적층체, 상기적층체상에형성되는투명윈도우부재및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층및 n-형 3족-질화물계반도체층중 하나에전기적으로연결된패드부를포함하는발광다이오드를제공한다.

公开(公告)号：KR1020130061426A

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：KR1020110127730

申请日：2011-12-01

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  백종협 ,  주진우 ,  정탁 ,  이상헌 ,  오화섭 ,  권민기

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to an electrode in a via hole and to improve heat dissipation. CONSTITUTION: A via hole is formed on an n-type semiconductor layer(110). The via hole is formed on an active layer(120) and a p-type semiconductor layer(130). An electrode is formed in the via hole. A facial angle is formed by two adjacent sides. The facial angle is less than 90 degree or more than 90 degree.

Abstract translation: 目的：在通孔中的电极上设置发光二极管及其制造方法，并提高散热性。 构成：在n型半导体层（110）上形成通孔。 通孔形成在有源层（120）和p型半导体层（130）上。 在通孔中形成电极。 面角由两个相邻边形成。 面角小于90度或90度以上。

公开(公告)号：KR1020180092057A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：KR1020170017363

申请日：2017-02-08

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 김자연 ,  김영우 ,  사기동 ,  김정현 ,  조유현 ,  박현선 ,  권민기

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/58 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0008 ,  H01L33/02 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본발명은고효율마이크로 LED 구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는광추출효율을높일수 있는질화물반도체를이용한고효율마이크로 LED 구조체에관한것이다. 상기와같은목적을달성하기위한본 발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는기판부와; 상기기판부의상부에형성되는 n-GaN층과, 상기 n-GaN층의상부에형성되는활성층과, 상기활성층의상부에형성되는 p-GaN층을포함하는 GaN계에피층;을구비하고, 상기 GaN계에피층은상방으로볼록한렌즈형상으로형성되고, 상하두께가하단의반지름과같거나크게형성된것을특징으로한다. 본발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는 GaN LED 소자자체를마이크로미터크기의곡면을가지는렌즈형으로제조함으로써소자의면을통해효과적으로광을추출할수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR1020170120795A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：KR1020160049120

申请日：2016-04-22

Applicant: 조선대학교산학협력단 ,  한국광기술원

Inventor： 권민기 ,  김두형 ,  김자연

IPC: C30B25/04 ,  C01G39/06 ,  C30B29/46 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/04 ,  C01G39/06 ,  C30B29/46 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/205 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/10722

Abstract: 본발명은단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는단결정이황화몰리브덴박막을기판상에원하는위치및 두께로형성할수 있으며, 이를이용하여박막트랜지스터를제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에의하면성장위치를제어함으로써고품질단결정의이황화몰리브덴을제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의박막트랜지스터의제조방법에의하면단결정이황화몰리브덴박막의성장두께및 위치를제어하여매트릭스정렬위치를조절할수 있어플렉시블디스플레이에적용가능한박막트랜지스터를제조할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明的用于二硫化钼的单晶薄膜的制造方法，并且更具体euroneun和被形成为期望的位置和二硫化钼薄膜的衬底上的单晶的厚度，就可以通过使用此制造薄膜晶体管的方法。 根据本发明它具有能够通过控制生长位置制造的二硫化钼的高品质的单晶的效果的二硫化钼的单晶薄膜的制造方法。 此外，根据本发明的薄膜晶体管的制造过程中，可以通过控制二硫化钼的单晶薄膜的生长厚度和位置调整矩阵的取向具有可以产生能的薄膜晶体管施加到柔性显示器的效果。