公开(公告)号：KR1020140028624A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020120095236

申请日：2012-08-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  김기욱 ,  손효수 ,  최낙정

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/28 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L21/02554 ,  H01L33/16 ,  H01L2933/0016

Abstract: The present invention relates to a semi-polar or non-polar nitride-based light emitting device. The semi-polar or non-polar nitride-based light emitting device comprises: a substrate which is either a nitride semiconductor having a semi-polar surface or a non-polar surface as a crystal surface, or a sapphire substrate having an R-surface or an M-surface as a crystal surface; a first nitride semiconductor layer which is grown on the substrate; a second nitride semiconductor layer which is grown on the first nitride semiconductor layer; a transparent electrode layer which is formed on the second nitride semiconductor layer and is composed of semi-polar or non-polar zinc oxide. The transparent electrode layer is composed of crystalline semi-polar or non-polar zinc oxide which is formed by atomic layer deposition performed at or below 400°C or crystalline semi-polar or non-polar zinc oxide which is formed by sputtering deposition, chemical vapor deposition, or a chemical wet method.

Abstract translation: 本发明涉及半极性或非极性氮化物基发光器件。 半极性或非极性氮化物基发光器件包括：作为具有半极性表面或非极性表面作为晶体表面的氮化物半导体的衬底或具有R表面的蓝宝石衬底 或M表面作为晶体表面; 在衬底上生长的第一氮化物半导体层; 在第一氮化物半导体层上生长的第二氮化物半导体层; 形成在第二氮化物半导体层上并由半极性或非极性氧化锌构成的透明电极层。 透明电极层由在等于或低于400℃的原子层沉积形成的结晶半极性或非极性氧化锌组成，或通过溅射沉积，化学形成的结晶半极性或非极性氧化锌 气相沉积或化学湿法。

公开(公告)号：KR101389049B1

公开(公告)日：2014-04-28

申请号：KR1020120095236

申请日：2012-08-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  김기욱 ,  손효수 ,  최낙정

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/28 ,  H01L33/16

Abstract: 본 발명은 반극성 또는 비극성 질화물계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 반극성 또는 비극성 질화물계 발광 소자는, 반극성면 또는 비극성면을 결정면으로 하는 질화물계 기판 또는 R-면이나 M-면을 결정면으로 하는 사파이어 기판; 상기 기판위에 성장되어 형성된 제1 질화물 반도체층; 상기 제1 질화물 반도체층위에 성장되어 형성된 제2 질화물 반도체층; 상기 제2 질화물 반도체층 위에 형성되고 반극성 또는 비극성의 산화 아연으로 이루어진 투명 전극층;을 구비한다. 상기 투명 전극층은 400℃ 이하의 저온에서 수행된 원자층 증착(Atomic layer deposition)에 의해 형성된 결정질의 비극성 또는 반극성의 산화 아연으로 이루어지거나, 스퍼터링 증착이나 화학적 기상 증착 또는 화학적 습식법에 의해 형성된 결정질의 비극성 또는 반극성 산화 아연으로 이루어진다.