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公开(公告)号：WO2022149788A1
公开(公告)日：2022-07-14
申请号：PCT/KR2021/020037
申请日：2021-12-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/0735
Abstract: 본 발명은, AlGaN/GaN 이종 접합 박막 구조를 갖는 반도체 소자에 있어서, 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 광 여기 전류가 증가 또는 감소하는 광 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 기판; 상기 기판의 상부에 존재하는 AlyGa1-yN 채널층; 및 상기 채널층의 상부에 존재하는 n형 AlxGa1-xN 배리어층을 포함하며, 상기 n형 AlxGa1-xN 배리어층의 상부에는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되어 있고, 상기 x 및 y는 0≤y
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2.发明公开초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극, 이를 구비한 광전소자 및 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극의 형성방법 无效具有超级电极的ZNO基透明电极，具有电极的光电器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020160079214A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020140190223
申请日：2014-12-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은산화아연계투명전극의구조를변경하여전기적특성을크게향상시킨초격자구조를적용한산화아연계투명전극에관한것으로, 산화아연계투명반도체층과투명절연체층을교대로적층한초격자구조인것을특징으로한다. 본발명은, 산화아연계투명반도체층과투명절연체층을교대로적층한초격자구조를구성함으로써, 종래의산화인듐주석투명전극에비하여재료비용을줄이면서종래의산화아연계투명전극에비하여전기적특성이향상된투명전극을제공할수 있는효과가있다. 또한, 종래의산화인듐주석투명전극에비하여재료비용을줄이면서종래의산화아연계투명전극에비하여전기적특성이향상된초격자구조를적용한산화아연계투명전극을광전소자에적용함으로써, 산화인듐주석투명전극사용하는경우에비하여광전소자의제조비용을낮추면서도종래의산화아연계투명전극을사용한광전소자보다효율이향상되는효과를얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有上层结构的氧化锌系透明电极，其通过改变氧化锌系透明电极的结构而显着地提高了电特性。 本发明的特征在于，通过交替层叠氧化锌系透明半导体层和透明绝缘体层而形成上层建筑物。 根据本发明，由于通过交替层叠氧化锌系透明半导体层和透明绝缘体层而形成上层结构体，所以与以往的氧化铟锡透明性相比，可以提供具有降低成本的透明电极 电极，并且与常规的氧化锌基透明电极相比具有改善的电特性。 此外，与传统的氧化铟锡透明电极相比，由于光电子器件与具有上层结构的氧化锌基透明电极相比材料的成本降低，并且与传统的氧化锌基透明 与使用氧化铟锡透明电极的情况相比，光电子器件的制造成本可以降低，与使用常规的基于氧化锌的光电子器件的光电子器件的效率相比，可以提高光电子器件的效率 透明电极。
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公开(公告)号：KR1020140028624A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120095236
申请日：2012-08-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L21/02554 , H01L33/16 , H01L2933/0016
Abstract: The present invention relates to a semi-polar or non-polar nitride-based light emitting device. The semi-polar or non-polar nitride-based light emitting device comprises: a substrate which is either a nitride semiconductor having a semi-polar surface or a non-polar surface as a crystal surface, or a sapphire substrate having an R-surface or an M-surface as a crystal surface; a first nitride semiconductor layer which is grown on the substrate; a second nitride semiconductor layer which is grown on the first nitride semiconductor layer; a transparent electrode layer which is formed on the second nitride semiconductor layer and is composed of semi-polar or non-polar zinc oxide. The transparent electrode layer is composed of crystalline semi-polar or non-polar zinc oxide which is formed by atomic layer deposition performed at or below 400°C or crystalline semi-polar or non-polar zinc oxide which is formed by sputtering deposition, chemical vapor deposition, or a chemical wet method.
Abstract translation: 本发明涉及半极性或非极性氮化物基发光器件。 半极性或非极性氮化物基发光器件包括：作为具有半极性表面或非极性表面作为晶体表面的氮化物半导体的衬底或具有R表面的蓝宝石衬底 或M表面作为晶体表面; 在衬底上生长的第一氮化物半导体层; 在第一氮化物半导体层上生长的第二氮化物半导体层; 形成在第二氮化物半导体层上并由半极性或非极性氧化锌构成的透明电极层。 透明电极层由在等于或低于400℃的原子层沉积形成的结晶半极性或非极性氧化锌组成，或通过溅射沉积，化学形成的结晶半极性或非极性氧化锌 气相沉积或化学湿法。
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公开(公告)号：KR101333678B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020110118346
申请日：2011-11-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 고품질 질화물 반도체 박막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고품질 질화물 반도체 박막의 제조방법은 (a) 기판 상에 제1 온도로 제1 질화물 반도체층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 질화물 반도체층 상에 제2 온도로 저온 결함감소층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 저온 결함감소층 상에 제3 온도로 제2 질화물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제2 온도는 제1 및 제3 온도보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 고품질 질화물 반도체 박막 및 그의 제조 방법은 고온에서 형성되는 제1 및 제2 질화물 반도체층 사이에 저온 결함감소층을 형성함으로써, 기판과 질화물 반도체 결정 사이의 격자 정수 차, 열팽창 계수 차로 인해 결정의 성장방향으로 전달되는 결함, 즉, 관통전위를 차단하게 되어, 박막의 표면의 결정성, 광학적 특성 및 표면 프로파일 특성도 향상시킬 수 있다는 장점을 갖는다.
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公开(公告)号：KR101861218B1
公开(公告)日：2018-07-02
申请号：KR1020110102684
申请日：2011-10-07
Applicant: 서울바이오시스 주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
Abstract: 고효율발광다이오드가개시된다. 이발광다이오드는, n형질화물반도체층과 p형질화물반도체층사이에위치하는활성영역을포함한다. 이활성영역은복수의우물층과복수의장벽층을포함하는다중양자우물구조를가지며, n형질화물반도체층에가장가까운제1 우물층은서브우물층및 서브장벽층을포함한다. 다중양자우물구조의제1 우물층이서브우물층을포함하기때문에, 다중양자우물구조내에서전자의이동을억제하여오버플로우를완화할수 있으며, 따라서전류밀도증가에따른효율저하를완화할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101736615B1
公开(公告)日：2017-05-29
申请号：KR1020150177987
申请日：2015-12-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은, 광전소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상의적어도일부분에형성된반도체층; 및상기반도체층상의적어도일부분에형성된요철구조패턴층; 을포함하고, 상기요철구조패턴층은, 요철구조패턴이형성된실리콘수지층; 및상기요철구조패턴상에박막층이형성된, 광전소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 광전소자의광추출효율을향상시키고, 요철구조패턴의형상을제어할수 있다.
Abstract translation: 光电装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种光电装置及其制造方法，尤其涉及一种具有基板的光电装置。 形成在衬底的至少一部分上的半导体层; 以及形成在半导体层的至少一部分上的凹凸结构图案层; 其中凹凸结构图案层包括：硅树脂层，其上形成有凹凸结构图案; 以及在凹凸结构图案上形成的薄膜层及其制造方法。 工业实用性本发明可以提高光电元件的光提取效率并控制凹凸结构图案的形状。
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公开(公告)号：KR1020160091109A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011354
申请日：2015-01-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/36
Abstract: 본발명은 p-p 전극형의발광다이오드및 n-n 전극형의발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른 p-p 전극형의발광다이오드는활성층과, 상기활성층을사이에두고양측에각각형성된 n형반도체층 및 p형반도체층을포함하고; 상기 p형반도체층은 p형반도체로동작하는제1 p형영역과, 음의임계바이어스가인가되어브레이크다운(Breakdown)된제2 p형영역으로분리되며; 상기제1 p형영역에 (+) 전원이인가되고, 상기제2 p형영역에 (-) 전원이인가되는경우, 상기제1 p형영역과상기 n형반도체층 사이의상기활성층영역에서발광하는것을특징으로한다. 이에따라, n형반도체층의노출을위한식각공정이제거됨으로써, 공정효율이증가할뿐만아니라식각공정에서야기될수 있는불량문제를원천적으로제거할수 있게된다.
Abstract translation: 本发明涉及P-P电极型发光二极管和N-N电极型发光二极管。 根据本发明的P-P电极型发光二极管分别包括活性层和形成在有源层两侧的N型半导体层和P型半导体层。 P型半导体层被分为作为P型半导体工作的第一P型区域和施加负临界偏压的第二P型区域，使得其中发生击穿。 当对第一P型区域施加正（+）功率并且向第二P型区域施加负（ - ）功率时，从第一P型区域和N型区域之间的有源区域发射光 半导体层。 因此，可以省略用于露出N型半导体层的蚀刻工艺，从而提高了工艺效率，并且从根本上防止了在蚀刻工艺中可能发生的误差。
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公开(公告)号：KR1020130038050A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：KR1020110102684
申请日：2011-10-07
Applicant: 서울바이오시스 주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A high efficiency light emitting diode is provided to improve a multiple quantum well structure, to minimize the overflow of electrons, and to prevent efficiency reduction due to the increase of current density. CONSTITUTION: An active area(31) is positioned between an n-type nitride semiconductor layer(25) and a p-type nitride semiconductor layer(35). The active area includes a multiple quantum well structure having well layers(30,31a) and barriers(31b). A first well adjacent to the n-type nitride semiconductor layer includes a sub well layer(30a) and a sub barrier(30b). The thickness of the sub well layer is thinner than the thickness of the sub barrier. The band gap of the sub well layer is narrower than the bank gap of a final well layer adjacent to the p-type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供高效率的发光二极管，以改善多重量子阱结构，最大限度地减少电子溢出，并防止由于电流密度的增加导致的效率降低。 构成：有源区域（31）位于n型氮化物半导体层（25）和p型氮化物半导体层（35）之间。 有源区域包括具有阱层（30,31a）和势垒（31b）的多量子阱结构。 与n型氮化物半导体层相邻的第一阱包括子阱层（30a）和子势垒（30b）。 子阱层的厚度比子屏障的厚度薄。 子阱层的带隙比与p型半导体层相邻的最终阱层的堤隙窄。
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公开(公告)号：KR101082784B1
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020090080056
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 본발명은비극성/반극성질화물반도체층성장이가능한사파이어결정면위에질화물반도체결정을형성하여극성질화물반도체의활성층에서발생하는압전현상(piezoelectric effect)을제거하고, 템플레이트(template) 층을이중버퍼층으로형성하여반도체소자의결함밀도를줄이고내부양자효율과광추출효율을향상시킨고품질비극성/반극성반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따라비극성또는반극성질화물반도체층의성장을위한결정면을갖는사파이어기판상에템플레이트층과반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법에서, 상기템플레이트층을형성하는과정은, 제1 온도에서제1 질화물반도체버퍼층을형성하는과정, 상기제1 질화물반도체버퍼층위에상기제1 온도보다높은제2 온도에서제2 질화물반도체버퍼층을형성하는과정, 및상기제2 질화물반도체버퍼층위에 GaN층을형성하는과정을포함한다.
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公开(公告)号：KR101389049B1
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120095236
申请日：2012-08-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반극성 또는 비극성 질화물계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 반극성 또는 비극성 질화물계 발광 소자는, 반극성면 또는 비극성면을 결정면으로 하는 질화물계 기판 또는 R-면이나 M-면을 결정면으로 하는 사파이어 기판; 상기 기판위에 성장되어 형성된 제1 질화물 반도체층; 상기 제1 질화물 반도체층위에 성장되어 형성된 제2 질화물 반도체층; 상기 제2 질화물 반도체층 위에 형성되고 반극성 또는 비극성의 산화 아연으로 이루어진 투명 전극층;을 구비한다. 상기 투명 전극층은 400℃ 이하의 저온에서 수행된 원자층 증착(Atomic layer deposition)에 의해 형성된 결정질의 비극성 또는 반극성의 산화 아연으로 이루어지거나, 스퍼터링 증착이나 화학적 기상 증착 또는 화학적 습식법에 의해 형성된 결정질의 비극성 또는 반극성 산화 아연으로 이루어진다.
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