公开(公告)号：KR101736615B1

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020150177987

申请日：2015-12-14

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  최낙정 ,  신민재

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은, 광전소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상의적어도일부분에형성된반도체층; 및상기반도체층상의적어도일부분에형성된요철구조패턴층; 을포함하고, 상기요철구조패턴층은, 요철구조패턴이형성된실리콘수지층; 및상기요철구조패턴상에박막층이형성된, 광전소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 광전소자의광추출효율을향상시키고, 요철구조패턴의형상을제어할수 있다.

Abstract translation: 光电装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种光电装置及其制造方法，尤其涉及一种具有基板的光电装置。 形成在衬底的至少一部分上的半导体层; 以及形成在半导体层的至少一部分上的凹凸结构图案层; 其中凹凸结构图案层包括：硅树脂层，其上形成有凹凸结构图案; 以及在凹凸结构图案上形成的薄膜层及其制造方法。 工业实用性本发明可以提高光电元件的光提取效率并控制凹凸结构图案的形状。

公开(公告)号：KR1020160079214A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：KR1020140190223

申请日：2014-12-26

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  최낙정

IPC: H01B5/00 ,  H01L31/04 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01B5/00 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  H01L31/04

Abstract: 본발명은산화아연계투명전극의구조를변경하여전기적특성을크게향상시킨초격자구조를적용한산화아연계투명전극에관한것으로, 산화아연계투명반도체층과투명절연체층을교대로적층한초격자구조인것을특징으로한다. 본발명은, 산화아연계투명반도체층과투명절연체층을교대로적층한초격자구조를구성함으로써, 종래의산화인듐주석투명전극에비하여재료비용을줄이면서종래의산화아연계투명전극에비하여전기적특성이향상된투명전극을제공할수 있는효과가있다. 또한, 종래의산화인듐주석투명전극에비하여재료비용을줄이면서종래의산화아연계투명전극에비하여전기적특성이향상된초격자구조를적용한산화아연계투명전극을광전소자에적용함으로써, 산화인듐주석투명전극사용하는경우에비하여광전소자의제조비용을낮추면서도종래의산화아연계투명전극을사용한광전소자보다효율이향상되는효과를얻을수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有上层结构的氧化锌系透明电极，其通过改变氧化锌系透明电极的结构而显着地提高了电特性。 本发明的特征在于，通过交替层叠氧化锌系透明半导体层和透明绝缘体层而形成上层建筑物。 根据本发明，由于通过交替层叠氧化锌系透明半导体层和透明绝缘体层而形成上层结构体，所以与以往的氧化铟锡透明性相比，可以提供具有降低成本的透明电极 电极，并且与常规的氧化锌基透明电极相比具有改善的电特性。 此外，与传统的氧化铟锡透明电极相比，由于光电子器件与具有上层结构的氧化锌基透明电极相比材料的成本降低，并且与传统的氧化锌基透明 与使用氧化铟锡透明电极的情况相比，光电子器件的制造成本可以降低，与使用常规的基于氧化锌的光电子器件的光电子器件的效率相比，可以提高光电子器件的效率 透明电极。

公开(公告)号：KR1020140028624A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020120095236

申请日：2012-08-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  김기욱 ,  손효수 ,  최낙정

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/28 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L21/02554 ,  H01L33/16 ,  H01L2933/0016

Abstract: The present invention relates to a semi-polar or non-polar nitride-based light emitting device. The semi-polar or non-polar nitride-based light emitting device comprises: a substrate which is either a nitride semiconductor having a semi-polar surface or a non-polar surface as a crystal surface, or a sapphire substrate having an R-surface or an M-surface as a crystal surface; a first nitride semiconductor layer which is grown on the substrate; a second nitride semiconductor layer which is grown on the first nitride semiconductor layer; a transparent electrode layer which is formed on the second nitride semiconductor layer and is composed of semi-polar or non-polar zinc oxide. The transparent electrode layer is composed of crystalline semi-polar or non-polar zinc oxide which is formed by atomic layer deposition performed at or below 400°C or crystalline semi-polar or non-polar zinc oxide which is formed by sputtering deposition, chemical vapor deposition, or a chemical wet method.

Abstract translation: 本发明涉及半极性或非极性氮化物基发光器件。 半极性或非极性氮化物基发光器件包括：作为具有半极性表面或非极性表面作为晶体表面的氮化物半导体的衬底或具有R表面的蓝宝石衬底 或M表面作为晶体表面; 在衬底上生长的第一氮化物半导体层; 在第一氮化物半导体层上生长的第二氮化物半导体层; 形成在第二氮化物半导体层上并由半极性或非极性氧化锌构成的透明电极层。 透明电极层由在等于或低于400℃的原子层沉积形成的结晶半极性或非极性氧化锌组成，或通过溅射沉积，化学形成的结晶半极性或非极性氧化锌 气相沉积或化学湿法。

公开(公告)号：KR101389049B1

公开(公告)日：2014-04-28

申请号：KR1020120095236

申请日：2012-08-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  김기욱 ,  손효수 ,  최낙정

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/28 ,  H01L33/16

Abstract: 본 발명은 반극성 또는 비극성 질화물계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 반극성 또는 비극성 질화물계 발광 소자는, 반극성면 또는 비극성면을 결정면으로 하는 질화물계 기판 또는 R-면이나 M-면을 결정면으로 하는 사파이어 기판; 상기 기판위에 성장되어 형성된 제1 질화물 반도체층; 상기 제1 질화물 반도체층위에 성장되어 형성된 제2 질화물 반도체층; 상기 제2 질화물 반도체층 위에 형성되고 반극성 또는 비극성의 산화 아연으로 이루어진 투명 전극층;을 구비한다. 상기 투명 전극층은 400℃ 이하의 저온에서 수행된 원자층 증착(Atomic layer deposition)에 의해 형성된 결정질의 비극성 또는 반극성의 산화 아연으로 이루어지거나, 스퍼터링 증착이나 화학적 기상 증착 또는 화학적 습식법에 의해 형성된 결정질의 비극성 또는 반극성 산화 아연으로 이루어진다.