公开(公告)号：KR100790761B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060096247

申请日：2006-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구재본 ,  김성현 ,  서경수 ,  구찬회 ,  임상철 ,  이정헌

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L27/281 ,  H01L27/283

Abstract: An inverter is provided to improve a property of turn-on current and depletion by forming a stable D-inverter structure with organic semiconductor transistors. A driver transistor gate electrode(22) is formed on a plastic substrate(10). A first insulating layer(30) is formed to cover the driver transistor gate electrode. A driver transistor source electrode(42) is formed on the first insulating layer. A single layer(44) and a drain electrode of a load transistor (46) are used for forming a driver transistor drain electrode and a source electrode of the load transistor. Two organic semiconductor layers(72,74) are formed on the first insulating layer which is exposed between the source and drain electrodes. A second insulating layer(50) is formed to cover the source and drain electrodes and the organic semiconductor layers. A top gate electrode of the load transistor (62) is formed on the second insulating layer.

Abstract translation: 提供了一种通过用有机半导体晶体管形成稳定的D逆变器结构来提高导通电流和耗尽性能的逆变器。 驱动晶体管栅电极（22）形成在塑料基板（10）上。 形成第一绝缘层（30）以覆盖驱动晶体管栅电极。 驱动晶体管源电极（42）形成在第一绝缘层上。 负载晶体管（46）的单层（44）和漏电极用于形成负载晶体管的驱动晶体管漏电极和源电极。 在暴露在源极和漏极之间的第一绝缘层上形成两个有机半导体层（72,74）。 形成第二绝缘层（50）以覆盖源电极和漏电极以及有机半导体层。 负载晶体管（62）的顶栅电极形成在第二绝缘层上。

公开(公告)号：KR100801961B1

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：KR1020060047388

申请日：2006-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구재본 ,  김성현 ,  서경수 ,  임상철 ,  이정헌 ,  구찬회

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0554

Abstract: 본 발명은 플라스틱 기판에 유기 반도체를 이용하여 인버터 회로를 제작할 때 문턱 전압을 위치별로 용이하게 제어할 수 있는 새로운 구조의 인버터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인버터는 드라이버로 사용되는 트랜지스터를 듀얼 게이트 구조를 가지도록 구성하고 그 상부 게이트에 포지티브 바이어스를 인가하여 유기반도체에 몸체 효과를 형성함으로써 드라이버 트랜지스터가 상부 게이트의 정전위를 이용하여 문턱 전압을 네거티브 영역으로 이동시켜 증가형 트랜지스터로 동작하도록 하는 것을 특징으로 한다. 특히 전술한 구성을 확장시켜 드라이버 트랜지스터 대신에 로드 트랜지스터에 듀얼 게이트 구조를 적용하거나 더 나아가 드라이버 트랜지스터와 로드 트랜지스터 모두에 듀얼 게이트 구조를 적용할 수 있다. 본 발명에 의하면, 수명과 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있으며 유기전자 소자를 제작한 후에도 소자 특성을 설계된 회로에 맞게 쉽게 조절할 수 있는 유기 인버터를 제공할 수 있다.
유기반도체, OTFT, 유기 인버터, 듀얼 게이트 구조, 유기전자소자

公开(公告)号：KR1020070113737A

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：KR1020060047388

申请日：2006-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구재본 ,  김성현 ,  서경수 ,  임상철 ,  이정헌 ,  구찬회

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0554

Abstract: An inverter using a dual gate organic transistor is provided to embody a transistor used as a driver by an enhancement-type transistor by using an organic transistor made of a dual gate. An inverter includes a driver transistor including a dual gate structure and an organic channel wherein the driver transistor is connected to the load transistor. The driver transistor can include a lower gate electrode(11), an upper gate electrode(17) and a source/drain electrode(13,14). The lower gate electrode confronts the organic channel by interposing a first dielectric layer(12). The upper gate electrode confronts the organic channel by interposing a second dielectric layer(16). The source/drain electrode is connected to the organic channel.

Abstract translation: 提供了使用双栅极有机晶体管的反相器，通过使用由双栅极制成的有机晶体管，通过增强型晶体管来体现用作驱动器的晶体管。 逆变器包括驱动晶体管，其包括双栅极结构和有机沟道，其中驱动晶体管连接到负载晶体管。 驱动晶体管可以包括下栅电极（11），上栅电极（17）和源/漏电极（13,14）。 下栅电极通过插入第一介电层（12）来面对有机沟道。 上栅电极通过插入第二电介质层（16）来面对有机沟道。 源极/漏极连接到有机沟道。