公开(公告)号：KR1020110066370A

公开(公告)日：2011-06-17

申请号：KR1020090122990

申请日：2009-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  정승묵 ,  박준용

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: An oxide thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to improve mobility and resistivity to temperature by applying a channel layer to a semiconductor layer. CONSTITUTION: In an oxide thin film transistor and a method for manufacturing the same, a source-drain electrode(20) is formed on a substrate(10). A channel layer(30) is formed on the source-drain electrode. A channel layer comprises a nitride which contains boron or aluminum in the oxide semiconductor. A gate insulating layer(40) is formed on the channel layer. The gate electrode(50) is formed on the gate insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，以通过向半导体层施加沟道层来提高迁移率和耐温度。 构成：在氧化物薄膜晶体管及其制造方法中，在基板（10）上形成源极 - 漏极（20）。 沟道层（30）形成在源 - 漏电极上。 沟道层包括在氧化物半导体中含有硼或铝的氮化物。 栅极绝缘层（40）形成在沟道层上。 栅电极（50）形成在栅绝缘层上。

公开(公告)号：KR102049049B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020170053195

申请日：2017-04-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김지용 ,  강동오 ,  민옥기 ,  박준용

IPC: H04L12/24 ,  H04L29/08

公开(公告)号：KR101995419B1

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：KR1020160148306

申请日：2016-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박준용 ,  민옥기

IPC: G06F16/00 ,  G06F11/30

公开(公告)号：KR1020170084751A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：KR1020160003817

申请日：2016-01-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정준영 ,  김지용 ,  민옥기 ,  이용주 ,  강동오 ,  박준용 ,  박흰돌 ,  최장호

IPC: H04L12/24 ,  H04L12/66 ,  H04L29/08 ,  G06F17/30 ,  G06F15/16

Abstract: 본발명은빅데이터분석및 제어를위한계층적협업시스템및 방법에관한것으로, 많은사물인터넷장치로부터발생하는빅데이터를실시간으로분석하고제어하기위해사물클라우드(CoT; Cloud of Things)를구성하여계층적으로빅데이터를분석하고, 빠른응답을위한제어를수행하는계층적협업시스템및 방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于分析和控制大数据的分级协作系统和方法，为了实时分析和控制从多个对象互联网设备产生的大数据，将云（CoT） 更具体地说，涉及用于分析大数据和执行快速响应的控制的分级协作系统和方法。