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公开(公告)号：KR100404323B1
公开(公告)日：2003-11-03
申请号：KR1020010004338
申请日：2001-01-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: Disclosed is a method for depositing a thin dielectric on a portion in which a decreased growth speed of epitaxy is needed in a bridge fashion, and adjusting the width of bridges made of dielectric material and the distance of the bridges deposited, thereby controlling a growth speed and growth thickness of an epitaxial growth layer, which comprising the processes of growing a bridge-shape thin dielectric on a semiconductor substrate for fabricating a semiconductor integrated circuit device, and growing an epitaxial layer with different epitaxial growth rates on selective areas on top of the semiconductor substrate. Thus, the method controls a distance between bridges and a width of the bridge, thereby adjusting a growth speed and growth thickness of an epitaxial layer to be grown in future. Furthermore, the method allows a change in growth characteristics of the epitaxial layer to be smooth, resulting in a decreased light reflection, and allows the change in growth characteristics to be occurred at an extremely small region, thereby efficiently applying to a high-speed revolution epitaxial growth apparatus.
Abstract translation: 公开了一种用于在需要以桥接方式降低外延生长速度的部分上沉积薄电介质并且调节由电介质材料制成的桥的宽度和所沉积的桥的距离从而控制生长速度的方法 以及外延生长层的生长厚度，其包括在用于制造半导体集成电路器件的半导体衬底上生长桥形薄电介质的工艺，并且在所述外延生长层的顶部上的选择性区域上生长具有不同外延生长速率的外延层 半导体衬底。 因此，该方法控制桥之间的距离和桥的宽度，从而调节将来生长的外延层的生长速度和生长厚度。 此外，该方法允许外延层的生长特性的变化平滑，导致光反射降低，并且允许生长特性的变化发生在极小的区域，从而有效地应用于高速旋转 外延生长装置。
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公开(公告)号：KR1020020063738A
公开(公告)日：2002-08-05
申请号：KR1020010004338
申请日：2001-01-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor epitaxial layer growth method is provided to unequally control a growth speed and a thickness by controlling a width and an interval of a deposited dielectric thin film bridge. CONSTITUTION: The first selective etch layer, a spacer(730'), the second selective etch layer and a dielectric thin film are sequentially formed on InP substrate(710). By etching the dielectric thin film using a photo-lithography, a pair of rectangular-type dielectric thin films(750') and a number of bridge-type dielectric thin films are formed. Then, the resultant structure is performed with an MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition). At this time, an epitaxial layer(780') has a thin thickness due to the dielectric thin films(750') and another epitaxial layer(780) is thick due to no dielectric thin film(750').
Abstract translation: 目的：通过控制沉积的电介质薄膜桥的宽度和间隔来提供半导体外延层生长方法以不均匀地控制生长速度和厚度。 构成：在InP衬底（710）上依次形成第一选择蚀刻层，间隔物（730'），第二选择蚀刻层和电介质薄膜。 通过使用光刻法蚀刻电介质薄膜，形成一对矩形电介质薄膜（750'）和多个桥式电介质薄膜。 然后，用MOCVD（金属有机化学气相沉积）进行所得结构。 此时，外延层（780'）由于电介质薄膜（750'）而具有薄的厚度，另一外延层（780）由于没有电介质薄膜（750'）而变厚。
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公开(公告)号：KR100289038B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019970065098
申请日：1997-12-01
IPC: G02B6/00
Abstract: PURPOSE: A gain-equalized multi-channel optical amplifier is provided to equalize a gain easily and extend a gain bandwidth using a semiconductor optical amplifier and an erbium-doped fiber at the same time. CONSTITUTION: The first optical amplifier part(5) controls gain variation according to input light strength and density-inversion variations using an erbium-doped fiber for the first amplification. The second optical amplifier part(6) secondly amplifies lights amplified through the first optical amplifier part(5) and equalizes a gain, using a semiconductor optical amplifier. The gain of an input signal of the light amplified by the first optical amplifier part(5) has a gain characteristic curve which is lowered as a wavelength is prolonged. The gain of an input signal of the light amplified by the second optical amplifier part(6) has a gain characteristic curve which is increased as a wavelength is prolonged.
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公开(公告)号：KR1020010004403A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025034
申请日：1999-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: A device for detecting optical waveguide of concentrative optical type is provided to optical waveguide detect array LD(laser diode) as a next generation WDM(wavelength division multiplexing). CONSTITUTION: The device for detecting waveguide(504) is formed by a laser diode(501), a plate optical waveguide(505), and a space division multi-channel optical detector(507). The device is assembled on a thermoelement. Optical output of the laser diode is concentrated in an optical fiber(503) by a lens(502). Herein, error in transmitting center wave length of a grating optical filter(506) is attenuated by properly selecting the optical waveguide. By change in temperature to adjust optical wavelength of the laser diode, rear output of the laser diode is concentrated on the plate optical waveguide.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检测集中光学类型的光波导的装置，作为下一代WDM（波分复用）的光波导检测阵列LD（激光二极管）。 构成：用于检测波导（504）的装置由激光二极管（501），平板光波导（505）和空分多通道光检测器（507）形成。 该装置组装在热电偶上。 激光二极管的光输出通过透镜（502）集中在光纤（503）中。 这里，通过适当选择光波导来衰减光栅滤光器（506）的透射中心波长的误差。 通过温度变化来调整激光二极管的光波长，激光二极管的后端输出集中在平板光波导上。
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公开(公告)号：KR1020000020359A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980038955
申请日：1998-09-21
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2068 , H01S5/2081 , H01S5/209
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating semiconductor laser is provided to suppress decrease of beam converting efficiency by light absorption in an ion implantation region and to prevent beam steering phenomena by suppressing oscillation of a high dimensional mode. CONSTITUTION: A fabrication method comprises forming a lower clad layer, an active layer, a first upper clad layer, an etch stopper, a second upper clad layer and an ohmic contact layer. A photoresist pattern is formed on the ohmic contact layer, opening a channel region and covering a ridge region between the adjacent channel regions. A channel is formed by removing the ohmic contact layer and the second upper clad layer by wet etch and at the same time a narrower ridge than the photoresist pattern. An ion implantation region is formed by implanting ions in the first upper clad layer and the active region.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体激光器的方法，以通过离子注入区域中的光吸收来抑制光束转换效率的降低，并且通过抑制高尺寸模式的振荡来防止光束转向现象。 构成：制造方法包括形成下包层，有源层，第一上覆层，蚀刻停止层，第二上覆层和欧姆接触层。 在欧姆接触层上形成光致抗蚀剂图案，打开通道区域并覆盖相邻通道区域之间的脊区域。 通过湿蚀刻去除欧姆接触层和第二上覆层，同时形成比光致抗蚀剂图案更窄的脊，形成通道。 通过在第一上部包层和有源区域中注入离子形成离子注入区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000000664A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020411
申请日：1998-06-02
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser and method thereof are provided to achieve a high performance optical output property by using a planer buried semiconductor laser structure. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: defining an active region(302) using a mesa etching; regrowing current blocking layers(304,305,306) of p-n-p structure in order to inject currents into the active region; regrowing a p-InP cladding layer(306) and a p-InGaAs ohmic contact layer(307) on the active region(302); and regrowing a semi-insulating InP current blocking layer(309) in order to increase a modulation speed at both sides of the p-n-p current blocking layers.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器及其方法，以通过使用平面掩埋半导体激光器结构实现高性能的光输出特性。 构成：该方法包括以下步骤：使用台面蚀刻来限定有源区域（302）; 重新生长p-n-p结构的电流阻挡层（304,305,306），以便将电流注入到有源区域中; 在有源区（302）上重新生长p-InP包覆层（306）和p-InGaAs欧姆接触层（307）; 并重新生长半绝缘InP电流阻挡层（309），以便增加p-n-p电流阻挡层两侧的调制速度。
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公开(公告)号：KR1019980044611A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062713
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게 된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.
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公开(公告)号：KR1019980044007A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061998
申请日：1996-12-05
IPC: H01S3/0947
Abstract: 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작 하므로서 안정된 광출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다.
고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각 할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광력합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력의 형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력의 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 흔정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화 시켜 고출력 동작시에도 고차모드 동작을 억제 시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작 하게 하는 구조의 제작에 있다.-
公开(公告)号：KR1019970054969A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052687
申请日：1995-12-20
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위한 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체기판의 하부 표면과 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공긴기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1 및 제2P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하 밀도와 이득 분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간 홀버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970031123A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042601
申请日：1995-11-21
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제 1 도전형의 제 1 클래드층과, 상기 제 1 클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제 1 광도파로층과, 상기 제 1 광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제 1 광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제 1 광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제 2 클래드층과, 상기 제 2 광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제 2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 게 형성된 제 2 도전형의 제 2 클래드층과, 상기 제 2 클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제 1 및 제 2 도전형 전극을 포함한다. 따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
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