公开(公告)号：KR102224235B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190122739A

申请日：2019-10-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  정하균 ,  송우석 ,  장문정

IPC: G01N27/407 ,  C08G77/00 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08

CPC classification number: G01N27/4074 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C08L83/08 ,  G01N27/4075

Abstract: 본 발명에 따른 알코올 가스 센서는 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 일면에 형성되는 금속 산화물층; 금속 산화물층 상에 형성되며, 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극; 및 금속 산화물층, 소스전극 및 드레인전극 상에 형성되는 실리콘계 고분자층;을 포함하되, 실리콘계 고분자층의 고분자가 하기 화학식 1 및 화학식 2의 구조단위를 포함한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

[상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R
1 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
L은 2가의 연결기이고;
R
2 는 시아노이고;
R
3 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
R
4 는 C
6 -C
20 의 아릴이고,
x와 y의 몰비는 1:9 내지 9:1이다.]

公开(公告)号：KR102224235B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190122739

申请日：2019-10-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  정하균 ,  송우석 ,  장문정

IPC: G01N27/407 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00 ,  C08L83/08

Abstract: 본발명에따른알코올가스센서는게이트전극이형성된게이트절연막및 상기게이트절연막일면에형성되는금속산화물층; 금속산화물층상에형성되며, 서로이격배치되는소스전극및 드레인전극; 및금속산화물층, 소스전극및 드레인전극상에형성되는실리콘계고분자층;을포함하되, 실리콘계고분자층의고분자가하기화학식 1 및화학식 2의구조단위를포함한다. [화학식 1] JPEG112019101282187-pat00015.jpg4528 [화학식 2] JPEG112019101282187-pat00016.jpg3430 [상기화학식 1 및화학식 2에서, R1은 C1-C4의알킬이고; L은 2가의연결기이고; R2는시아노이고; R3은 C1-C4의알킬이고; R4는 C6-C20의아릴이고, x와 y의몰비는 1:9 내지 9:1이다.]