KR102224235B1 - alcohol gas sensor

    公开(公告)号:KR102224235B1

    公开(公告)日:2021-03-08

    申请号:KR1020190122739A

    申请日:2019-10-04

    Abstract: 본 발명에 따른 알코올 가스 센서는 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 일면에 형성되는 금속 산화물층; 금속 산화물층 상에 형성되며, 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극; 및 금속 산화물층, 소스전극 및 드레인전극 상에 형성되는 실리콘계 고분자층;을 포함하되, 실리콘계 고분자층의 고분자가 하기 화학식 1 및 화학식 2의 구조단위를 포함한다.
    [화학식 1]

    [화학식 2]

    [상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    R
    1 은 C
    1 -C
    4 의 알킬이고;
    L은 2가의 연결기이고;
    R
    2 는 시아노이고;
    R
    3 은 C
    1 -C
    4 의 알킬이고;
    R
    4 는 C
    6 -C
    20 의 아릴이고,
    x와 y의 몰비는 1:9 내지 9:1이다.]

    산화그래핀 제조방법
    3.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019198985A2

    公开(公告)日:2019-10-17

    申请号:PCT/KR2019/004056

    申请日:2019-04-05

    Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.

    산화그래핀 제조방법
    6.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019198985A3

    公开(公告)日:2019-10-17

    申请号:PCT/KR2019/004056

    申请日:2019-04-05

    Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.

    박막 트랜지스터와 이의 제조방법
    8.
    发明授权
    박막 트랜지스터와 이의 제조방법 有权
    一种薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101503011B1

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:KR1020130118360

    申请日:2013-10-04

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/1606 H01L29/66742 H01L29/66969

    Abstract: 본 발명은 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능한 박막 트랜지스터와 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 그래핀층과 산화물층의 적층구조를 가지는 채널층을 구비하여 용이하게 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능하다.

    Abstract translation: 本发明涉及能够控制开 - 关比和电荷迁移率的薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明的薄膜晶体管通过包括具有氧化物层和石墨烯层的层叠结构的沟道层来容易地控制开 - 关比和电荷迁移率。

Patent Agency Ranking