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公开(公告)号：KR102234684B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020190058978A
申请日：2019-05-20
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/921 , H01G11/30 , H01G11/86
CPC classification number: C01B32/921 , H01G11/30 , H01G11/86 , C01P2002/54 , C01P2006/40
Abstract: 본 발명은 질소를 함유한 단분자의 온도에 따른 상태변화를 이용하여 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물을 제조하는 방법과, 상기의 제조방법에 의해 제조되는 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물 및 이를 포함하는 전극 소재에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR102224235B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020190122739A
申请日：2019-10-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G01N27/407 , C08G77/00 , C08G77/26 , C08L83/08
CPC classification number: G01N27/4074 , C08G77/26 , C08G77/80 , C08L83/08 , G01N27/4075
Abstract: 본 발명에 따른 알코올 가스 센서는 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 일면에 형성되는 금속 산화물층; 금속 산화물층 상에 형성되며, 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극; 및 금속 산화물층, 소스전극 및 드레인전극 상에 형성되는 실리콘계 고분자층;을 포함하되, 실리콘계 고분자층의 고분자가 하기 화학식 1 및 화학식 2의 구조단위를 포함한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R
1 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
L은 2가의 연결기이고;
R
2 는 시아노이고;
R
3 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
R
4 는 C
6 -C
20 의 아릴이고,
x와 y의 몰비는 1:9 내지 9:1이다.]-
公开(公告)号：WO2019198985A2
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：PCT/KR2019/004056
申请日：2019-04-05
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/198
Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.
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公开(公告)号：WO2022092750A1
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：PCT/KR2021/015073
申请日：2021-10-26
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 유연전극용 복합소재 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 고온, 다습 및 수중과 같은 극한 환경에서도 전기적 특성을 유지할 수 있는 유연전극용 복합소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 복합소재는 몰리브덴카바이드(Mo2C)를 함유하는 기재; 기재 표면에 코팅된 그래핀층; 그래핀층으로부터 연장되어 산호(coral) 구조를 가지는 그래핀 구조체;를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2022086065A1
公开(公告)日：2022-04-28
申请号：PCT/KR2021/014342
申请日：2021-10-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/182 , C01B32/184 , C01B32/198 , H01G11/36
Abstract: 본 발명은 그래핀 필름, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전기화학소자에 관한 것으로, 상기 그래핀 필름은 면 방향으로 배열된 그래핀 구조체를 포함하는 제1영역 및 면 방향에 대해 수직방향으로 배열된 그래핀 구조체를 포함하는 제2영역을 포함하는 그래핀 구조체를 포함하는 것으로, 그래핀 필름이 3차원으로 확장됨으로써, 높은 표면적 대 부피비, 열전도, 전기전도, 이온 확산 등의 특성이 더욱 향상되어, 3차원으로 확장됨으로써, 종래에 비하여 현저히 향상된 특성의 그래핀 필름을 제공하는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019198985A3
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：PCT/KR2019/004056
申请日：2019-04-05
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/198 , C01B32/23 , C09D11/52
Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR102260185B1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：KR1020200022895
申请日：2020-02-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/03 , C09D11/033 , C01B32/921 , C01B32/949
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公开(公告)号：KR101503011B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130118360
申请日：2013-10-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 본 발명은 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능한 박막 트랜지스터와 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 그래핀층과 산화물층의 적층구조를 가지는 채널층을 구비하여 용이하게 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及能够控制开 - 关比和电荷迁移率的薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明的薄膜晶体管通过包括具有氧化物层和石墨烯层的层叠结构的沟道层来容易地控制开 - 关比和电荷迁移率。
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