公开(公告)号：KR102234684B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020190058978A

申请日：2019-05-20

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석

IPC: C01B32/921 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

CPC classification number: C01B32/921 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  C01P2002/54 ,  C01P2006/40

Abstract: 본 발명은 질소를 함유한 단분자의 온도에 따른 상태변화를 이용하여 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물을 제조하는 방법과, 상기의 제조방법에 의해 제조되는 질소가 도핑된 타이타늄 탄화물 및 이를 포함하는 전극 소재에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102224235B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190122739A

申请日：2019-10-04

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  정하균 ,  송우석 ,  장문정

IPC: G01N27/407 ,  C08G77/00 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08

CPC classification number: G01N27/4074 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C08L83/08 ,  G01N27/4075

Abstract: 본 발명에 따른 알코올 가스 센서는 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 일면에 형성되는 금속 산화물층; 금속 산화물층 상에 형성되며, 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극; 및 금속 산화물층, 소스전극 및 드레인전극 상에 형성되는 실리콘계 고분자층;을 포함하되, 실리콘계 고분자층의 고분자가 하기 화학식 1 및 화학식 2의 구조단위를 포함한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

[상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R
1 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
L은 2가의 연결기이고;
R
2 는 시아노이고;
R
3 은 C
1 -C
4 의 알킬이고;
R
4 는 C
6 -C
20 의 아릴이고,
x와 y의 몰비는 1:9 내지 9:1이다.]

公开(公告)号：WO2013168941A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/KR2013/003910

申请日：2013-05-06

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  김효숙 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  임종선

IPC: C01F5/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/403

Abstract: 본 발명은 β-다이케토네이트와 아미노알콕사이드 리간드를 갖는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로, 상기 산화 마그네슘 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有β-二酮酸盐和氨基 - 醇盐配体的氧化镁前体。 氧化镁前体具有良好的热稳定性和挥发性，因此可以获得改善的含氧化镁薄膜。

公开(公告)号：WO2013168968A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/KR2013/003961

申请日：2013-05-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  이영국 ,  안기석 ,  김성준 ,  강성구

IPC: G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C14/185 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0281

Abstract: 기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.

Abstract translation: 通过在基板上形成金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜，形成聚合物支撑层和除去基板而获得的转印片材可用于通过粘附到另一所需的材料上来转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜 并除去聚合物支撑层。 由此转移的金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜可以形成所需的厚度，从而便于使用石墨烯电极等制备各种电子器件。

公开(公告)号：WO2012157894A3

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/KR2012/003687

申请日：2012-05-10

Applicant: 한국화학연구원 ,  이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 고분자 스템프를 이용하는 박리 기법을 이용하여 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 그래핀 패턴을 형성하는데 적합한 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 기법에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 스템프를 이용하여 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있으며, 또한 회전체 스템프를 이용하는 롤투롤 방식 또는 대면적 스템프를 이용하는 방식으로 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 대면적의 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있다.

公开(公告)号：WO2013165212A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/KR2013/003866

申请日：2013-05-03

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  조지쉐비메리 ,  이영국 ,  임종선 ,  정석종 ,  전동주 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: C07F3/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F3/003 ,  C07F3/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525

Abstract: 본 발명은 베타디케톤네이트 화합물을 포함하는 신규의 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及包含β-二酮化合物的新型锶前体，其中由于其热稳定性和高挥发性，锶前体可以形成高品质的锶薄膜。

公开(公告)号：WO2013118937A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/KR2012/002054

申请日：2012-03-22

Applicant: 한국화학연구원 ,  이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

Inventor： 이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

IPC: H01L21/365

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 아연 및 주석 전구체를 사용하여 화학 기상 증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 아연주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 TFT(thin film transistors) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아연주석 산화물 박막의 제조방법은 주석과 아연의 조성제어가 가능하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기재 상에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）形成使用锌和锡前体的氧化锌锡薄膜的方法，以及制造薄膜晶体管（TFT）的方法， 元素使用该方法。 根据本发明的制造锌锡氧化物薄膜的方法能够在低温下控制和加工锡锌组合物。 根据本发明的方法，可以制造具有均匀厚度的薄膜，即使在具有三维结构的基底上。 这样制造的氧化锡具有高的场效应迁移率，并且可以用作TFT通道的材料。

公开(公告)号：WO2019198985A2

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：PCT/KR2019/004056

申请日：2019-04-05

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  윤여흥

IPC: C01B32/198

Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.

公开(公告)号：WO2012148085A9

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/KR2012/002056

申请日：2012-03-22

Applicant: 한국화학연구원 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

IPC: C07F9/90 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：WO2011102584A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/KR2010/006959

申请日：2010-10-12

Applicant: 한국화학연구원 ,  김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  류병환 ,  정인경

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  류병환 ,  정인경

IPC: C07F5/00 ,  C07C229/10 ,  C07C227/18 ,  C23C16/40

CPC classification number: C07C229/10

Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 금속 디알킬글리신 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 수분에서 안정하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 금속 디알킬글리신 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及使用改性甘氨酸的新型二烷基甘氨酸金属及其制备方法，其中二烷基甘氨酸金属在水中稳定，易于储存，并具有热稳定性。