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公开(公告)号：FR2947571A1
公开(公告)日：2011-01-07
申请号：FR0954610
申请日：2009-07-03
Inventor： DI CIOCCIO LEA , GUEGUEN PIERRIC , RIVOIRE MAURICE
Abstract: Procédé de restauration d'un élément en cuivre (II') muni d'une face plane, comportant . a) une étape de réalisation d'un étalon (I') en cuivre présentant des gros grains, ledit étalon comportant une face plane, b) une étape de réduction de la rugosité des faces planes (14 ; 16) à une rugosité inférieure à 1 nm, c) une étape de nettoyage des dites faces planes (14, 16), d) une étape de mise en contact des deux faces planes (14, 16), e) une étape de recuit.
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公开(公告)号：FR3008544A1
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：FR1356719
申请日：2013-07-09
Inventor： MERMOZ SEBASTIEN , DI CIOCCIO LEA , MAGIS THOMAS , SANCHEZ LOIC
IPC: H01L21/98
Abstract: L'invention porte sur un procédé d'auto-assemblage capillaire d'une plaque et d'un support (S), comprenant : - la formation d'un masque de gravure sur une région d'un substrat ; - la gravure ionique réactive du substrat au moyen d'une série de cycles comprenant chacun une étape de gravure isotrope suivie d'une étape de passivation de surface, la durée de l'étape de gravure isotrope de chaque cycle augmentant d'un cycle à l'autre, le ratio entre les durées des étapes de passivation et de gravure de chaque cycle étant inférieur à un ratio permettant de réaliser une gravure anisotrope verticale, de manière à former un support (S) présentant une surface supérieure (1) constituée par ladite région et des parois latérales (2) formant avec la surface supérieure un angle aigu (&bgr;); - le retrait du masque de gravure ; - le placement d'une goutte (G) sur la surface supérieure du support ; - la pose de la plaque sur la goutte (G).
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公开(公告)号：FR2988517A1
公开(公告)日：2013-09-27
申请号：FR1252577
申请日：2012-03-22
Inventor： DI CIOCCIO LEA , MERMOZ SEBASTIEN , SANCHEZ LOIC
IPC: H01L21/98
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un plot d'assemblage (50) sur un support (43) destiné à la mise en oeuvre d'un procédé d'auto-assemblage d'au moins un élément sur le support. Le procédé de fabrication comprend les étapes successives suivantes : (a) former, sur le support, une couche (48) d'au moins un matériau fluoré autour de l'emplacement du plot d'assemblage ; et (b) exposer la couche et l'emplacement à un traitement ultraviolet en présence d'ozone pour former le plot d'assemblage audit emplacement.
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公开(公告)号：FR2980584A1
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：FR1158501
申请日：2011-09-23
Inventor： TAIBI RACHID , CHAPPAZ CEDRICK , DI CIOCCIO LEA , CHAPELON LAURENT-LUC
Abstract: Structure intégrée tridimensionnelle et procédé de fabrication correspondant, ladite structure comprenant deux lignes métalliques (LM1, LM2) enfouies au sein de ladite structure, deux circuits intégrés (CI1, CI2) assemblés contenant respectivement les deux lignes, au moins deux cavités (CV1, CV2) traversant l'un des circuits intégrés et débouchant sur deux endroits respectivement en contact électrique avec les deux lignes métalliques, les dimensions desdites cavités (CV1, CV2) permettant le placement d'un appareil de mesure au fond desdites cavités en contact électrique avec les deux endroits.
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公开(公告)号：FR3025051A1
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：FR1457942
申请日：2014-08-22
Inventor： DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L21/50 , H01L23/532 , H01L23/538
Abstract: Procédé de réalisation d'un circuit intégré par collage direct d'un premier (201) et d'un second (301) substrats, comprenant les étapes suivantes consistant à a) former un premier et un second substrats munis chacun d'une surface comportant au moins une portion d'un premier matériau (205, 305) et des portions d'au moins un deuxième matériau (203, 303), une région de barrière (209, 309) en un troisième matériau étant disposée en surface entre chaque portion du premier matériau et le deuxième matériau; et b) mettre en contact la surface du premier substrat avec la surface du second substrat avec un désalignement maximum donné, la largeur de la région de barrière formée à l'étape a) étant choisie de sorte qu'elle soit supérieure au désalignement maximum.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3011679A1
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：FR1359591
申请日：2013-10-03
Inventor： DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN
Abstract: Procédé d'assemblage par collage direct d'un premier (I) et deuxième (II) éléments munis chacun d'une surface d'assemblage, l'une au moins des surfaces d'assemblage comprenant des portions métalliques (6, 106) en retrait entourées de matériaux diélectriques (4, 104) comportant : A) une étape de mise en contact des deux surfaces d'assemblage sans application de pression de sorte qu'un collage direct soit obtenu entre les surfaces d'assemblage, lesdits premier et deuxième ensembles (I, II) formant un empilement présentant une épaisseur donnée (e), B) une étape de traitement thermique dudit empilement, pendant lequel, les faces arrière (10, 110) des premier (I) et deuxième (II) éléments sont immobilisées de sorte qu'elles soient maintenues à distance fixe (E) comprise entre l'épaisseur donnée de l'empilement +/- 2 nm.
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公开(公告)号：FR3011679B1
公开(公告)日：2017-01-27
申请号：FR1359591
申请日：2013-10-03
Inventor： DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN
Abstract: Procédé d'assemblage par collage direct d'un premier (I) et deuxième (II) éléments munis chacun d'une surface d'assemblage, l'une au moins des surfaces d'assemblage comprenant des portions métalliques (6, 106) en retrait entourées de matériaux diélectriques (4, 104) comportant : A) une étape de mise en contact des deux surfaces d'assemblage sans application de pression de sorte qu'un collage direct soit obtenu entre les surfaces d'assemblage, lesdits premier et deuxième ensembles (I, II) formant un empilement présentant une épaisseur donnée (e), B) une étape de traitement thermique dudit empilement, pendant lequel, les faces arrière (10, 110) des premier (I) et deuxième (II) éléments sont immobilisées de sorte qu'elles soient maintenues à distance fixe (E) comprise entre l'épaisseur donnée de l'empilement +/- 2 nm.
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公开(公告)号：FR3008544B1
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：FR1356719
申请日：2013-07-09
Inventor： MERMOZ SEBASTIEN , DI CIOCCIO LEA , MAGIS THOMAS , SANCHEZ LOIC
IPC: H01L21/98
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公开(公告)号：FR2980584B1
公开(公告)日：2013-10-25
申请号：FR1158501
申请日：2011-09-23
Inventor： TAIBI RACHID , CHAPPAZ CEDRICK , DI CIOCCIO LEA , CHAPELON LAURENT-LUC
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公开(公告)号：FR2980639A1
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：FR1158500
申请日：2011-09-23
Inventor： TAIBI RACHID , DI CIOCCIO LEA , CHAPELON LAURENT-LUC
Abstract: Procédé de mesure de la résistance d'une liaison métallique entre deux parties de circuits intégrés assemblées formant une structure intégrée tridimensionnelle (STR), et dispositif correspondant, ladite liaison comprenant un ensemble d'au moins deux lignes métalliques (LM1) en contact électrique mutuel, ledit ensemble s'étendant au sein de chaque partie de circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend : - une formation d'au moins deux cavités (CV1) sur une face non assemblée d'une des deux parties de circuit intégré, les deux cavités débouchant respectivement sur deux portions appartenant respectivement aux deux lignes métalliques ou appartenant à une même ligne métallique, - une mesure de la résistance de la liaison métallique au moyen d'un appareil de mesure électriquement en contact avec lesdites deux portions à travers lesdites cavités (CV1).
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