公开(公告)号：JP2006203197A

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：JP2006007419

申请日：2006-01-16

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： BRULEY JOHN ,  CARRUTHERS ROY A ,  LINN MARIE GIGNAC ,  HU CHAO-KUN ,  LINIGER ERIC G ,  MALHOTRA SANDRA G ,  ROSSNAGEL STEPHEN M

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved on-chip Cu interconnection that uses a metal cap having a thickness of 1 to 5 nm.
SOLUTION: There is disclosed a procedure for coating the surface of a Cu Damascene wire with an element, having a thickness of 1 to 5 nm prior to deposition of an interlayer dielectric or dielectric diffusion barrier layer. The coating brings about protection against oxidization, increases the adhesive force between Cu and the dielectric, and makes the boundary surface diffusion of Cu reduced. Further, the thin cap layer increases the electromigration lifetime of Cu and reduces the occurrence of voids induced by stress. The selected element can be directly deposited on Cu embedded in the dielectric in the lower layer, without causing short-circuiting between the Cu wires. These selected elements are selected, based on the negative high reduction potential with respect to oxygen and water, low solubility to Cu, and the compound formation with Cu.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供使用厚度为1至5nm的金属帽的改进的片上Cu互连。 解决方案：公开了在沉积层间电介质或电介质扩散阻挡层之前，用具有1至5nm厚度的元件涂覆Cu镶嵌线的表面的步骤。 该涂层具有防氧化保护作用，增加了Cu与电介质之间的粘合力，使Cu的边界表面扩散减少。 此外，薄盖层增加了Cu的电迁移寿命并且减少了由应力引起的空隙的发生。 所选择的元件可以直接沉积在嵌入下层电介质中的Cu上，而不会导致Cu线之间的短路。 这些选择的元素基于相对于氧和水的负高还原电位，对Cu的低溶解度和与Cu的化合物形成而选择。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：GB2519461A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：GB201501966

申请日：2013-08-08

Applicant: IBM

Inventor： BRULEY JOHN ,  NARAYANAN VIJAY ,  PFEIFER DIRK ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  SONG PEILIN

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/66 ,  H04L9/08

Abstract: The present disclosure relates to a secure device having a physical unclonable function and methods of manufacturing such a secure device. The device includes a substrate and at least one high-k/metal gate device formed on the substrate. The at least one high-k/metal gate device represents the physical unclonable function. In some cases, the at least one high-k/metal gate device may be subjected a variability enhancement. In some cases, the secure device may include a measurement circuit for measuring a property of the at least one high-k/metal gate device.

公开(公告)号：DE112013003530T5

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE112013003530

申请日：2013-08-08

Applicant: IBM

Inventor： BRULEY JOHN ,  NARAYANAN VIJAY ,  PREIFFER DIRK ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  SONG PEILIN

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/66

Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine sichere Einheit mit einer physikalisch nicht klonbaren Funktion sowie auf Verfahren zum Herstellen einer derartigen sicheren Einheit. Die Einheit beinhaltet ein Substrat und wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit, die auf dem Substrat ausgebildet ist. Die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit repräsentiert die physikalisch nicht klonbare Funktion. In einigen Fällen kann die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit einer Variabilitäts-Verbesserung unterworfen werden. In einigen Fällen kann die sichere Einheit einen Messkreis zum Messen einer Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit beinhalten.

公开(公告)号：DE112013003530B4

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE112013003530

申请日：2013-08-08

Applicant: IBM

Inventor： BRULEY JOHN ,  NARAYANAN VIJAY ,  PREIFFER DIRK ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  SONG PEILIN

IPC: H01L23/58 ,  G06F21/73 ,  G09C1/00 ,  H01L21/66 ,  H04L9/08

Abstract: Verfahren (300) zum Herstellen einer sicheren Einheit mit einer physikalisch nicht klonbaren Funktion, wobei das Verfahren (300) aufweist: Bereitstellen eines integrierten Schaltkreises, der wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit aufweist, wobei die die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit die physikalisch nicht klonbare Funktion repräsentiert (310, 320); Variieren eines Zustands der Umgebung, dem die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit (110) während des Bildens ausgesetzt wird, um eine Variation in einer physikalischen Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit zu erzeugen, die messbar spezifisch relativ zu Variationen in physikalischen Eigenschaften von anderen High-k/Metall-Gate-Einheiten ist, die mit der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit in einer gemeinsamen Charge hergestellt wurden, und wobei von der physikalischen Eigenschaft bekannt ist, dass sie sensitiv gegenüber Variationen in dem Zustand der Umgebung ist; und Beinhalten eines Messkreises (120; 200) in dem integrierten Schaltkreis, der so konfiguriert ist, dass er die physikalische Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit für eine Berechtigungsprüfung der sicheren Einheit misst (350, 360), wobei die wenigstens eine Eigenschaft durch die spezifische Variation beeinflusst wird.