公开(公告)号：GB2519461A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：GB201501966

申请日：2013-08-08

Applicant: IBM

Inventor： BRULEY JOHN ,  NARAYANAN VIJAY ,  PFEIFER DIRK ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  SONG PEILIN

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/66 ,  H04L9/08

Abstract: The present disclosure relates to a secure device having a physical unclonable function and methods of manufacturing such a secure device. The device includes a substrate and at least one high-k/metal gate device formed on the substrate. The at least one high-k/metal gate device represents the physical unclonable function. In some cases, the at least one high-k/metal gate device may be subjected a variability enhancement. In some cases, the secure device may include a measurement circuit for measuring a property of the at least one high-k/metal gate device.

公开(公告)号：DE112013003530T5

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE112013003530

申请日：2013-08-08

Applicant: IBM

Inventor： BRULEY JOHN ,  NARAYANAN VIJAY ,  PREIFFER DIRK ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  SONG PEILIN

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/66

Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine sichere Einheit mit einer physikalisch nicht klonbaren Funktion sowie auf Verfahren zum Herstellen einer derartigen sicheren Einheit. Die Einheit beinhaltet ein Substrat und wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit, die auf dem Substrat ausgebildet ist. Die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit repräsentiert die physikalisch nicht klonbare Funktion. In einigen Fällen kann die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit einer Variabilitäts-Verbesserung unterworfen werden. In einigen Fällen kann die sichere Einheit einen Messkreis zum Messen einer Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit beinhalten.

公开(公告)号：DE102012211610A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：DE102012211610

申请日：2012-07-04

Applicant: IBM

Inventor： SADHU BODHISATWA ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  REYNOLDS SCOTT K ,  RYLYAKOV ALEXANDER V ,  TIERNO JOSE A

IPC: H03B1/04

Abstract: Es wird ein schwingkreisgestützter Oszillator bereitgestellt. Der Oszillator enthält ein oder mehrere aktive Bauelemente, ein oder mehrere passive Bauelemente und eine Schwingkreisschaltung, die unter Verwendung wenigstens eines der einen oder mehreren passiven Bauelemente von den aktiven Bauelementen entkoppelt ist. Ein Kopplungsverhältnis zwischen der Schwingkreisschaltung und dem einen oder den mehreren aktiven Bauelementen ist so eingestellt, dass ein Maximalwert einer Schwingungsamplitude der Schwingkreisschaltung auf einer Durchbruchspannung von lediglich dem einen oder den mehreren passiven Bauelementen basiert.

公开(公告)号：DE112013003530B4

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE112013003530

申请日：2013-08-08

Applicant: IBM

Inventor： BRULEY JOHN ,  NARAYANAN VIJAY ,  PREIFFER DIRK ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  SONG PEILIN

IPC: H01L23/58 ,  G06F21/73 ,  G09C1/00 ,  H01L21/66 ,  H04L9/08

Abstract: Verfahren (300) zum Herstellen einer sicheren Einheit mit einer physikalisch nicht klonbaren Funktion, wobei das Verfahren (300) aufweist: Bereitstellen eines integrierten Schaltkreises, der wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit aufweist, wobei die die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit die physikalisch nicht klonbare Funktion repräsentiert (310, 320); Variieren eines Zustands der Umgebung, dem die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit (110) während des Bildens ausgesetzt wird, um eine Variation in einer physikalischen Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit zu erzeugen, die messbar spezifisch relativ zu Variationen in physikalischen Eigenschaften von anderen High-k/Metall-Gate-Einheiten ist, die mit der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit in einer gemeinsamen Charge hergestellt wurden, und wobei von der physikalischen Eigenschaft bekannt ist, dass sie sensitiv gegenüber Variationen in dem Zustand der Umgebung ist; und Beinhalten eines Messkreises (120; 200) in dem integrierten Schaltkreis, der so konfiguriert ist, dass er die physikalische Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit für eine Berechtigungsprüfung der sicheren Einheit misst (350, 360), wobei die wenigstens eine Eigenschaft durch die spezifische Variation beeinflusst wird.

公开(公告)号：DE102012211610B4

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：DE102012211610

申请日：2012-07-04

Applicant: IBM

Inventor： SADHU BODHISATWA ,  PLOUCHART JEAN-OLIVER ,  REYNOLDS SCOTT K ,  RYLYAKOV ALEXANDER V ,  TIERNO JOSE A

IPC: H03B1/04 ,  H03B5/12

Abstract: Schwingkreisgestützter Oszillator (100), der Folgendes umfasst: ein oder mehrere aktive Bauelemente; ein oder mehrere passive Bauelemente; und eine Schwingkreisschaltung, die unter Verwendung wenigstens eines der ein oder mehreren passiven Bauelemente von dem einen oder mehreren aktiven Bauelementen entkoppelt ist, wobei ein Kopplungsverhältnis zwischen der Schwingkreisschaltung und dem einen oder den mehreren aktiven Bauelementen so eingestellt ist, dass ein Maximalwert einer Schwingungsamplitude der Schwingkreisschaltung auf der Grundlage einer Durchbruchspannung lediglich des einen oder der mehreren passiven Bauelemente begrenzt ist, wobei das eine oder die mehreren passiven Bauelemente wenigstens einen ersten (123) und einen zweiten Kondensator (124) umfassen, das eine oder die mehreren aktiven Bauelemente N-Kanal-Metalloxid-Feldeffekttransistoren oder bipolare Transistoren sind, die ein erstes und ein zweites aktives Bauelement umfassen, wovon jedes wenigstens einen Drain oder einen Kollektor und ein Gate oder eine Basis aufweist, und wobei das Gate oder die Basis des ersten aktiven Bauelementes (131) mit einer Seite des ersten Kondensators und dem Drain des zweiten aktiven Bauelementes (132) oder Kollektor des zweiten aktiven Bauelementes verbunden ist, das Gate oder die Basis des zweiten aktiven Bauelementes (132) mit einer Seite des zweiten Kondensators (124) und dem Drain oder dem Kollektor des ersten aktiven Bauelementes verbunden ist und die Schwingkreisschaltung (140) zwischen die andere Seite des ersten Kondensators und die andere Seite des zweiten Kondensators geschaltet ist, um die Schwingkreisschaltung von den ersten und zweiten aktiven Bauelementen zu entkoppeln.