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公开(公告)号:DE112013003530T5
公开(公告)日:2015-04-23
申请号:DE112013003530
申请日:2013-08-08
Applicant: IBM
Inventor: BRULEY JOHN , NARAYANAN VIJAY , PREIFFER DIRK , PLOUCHART JEAN-OLIVER , SONG PEILIN
Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine sichere Einheit mit einer physikalisch nicht klonbaren Funktion sowie auf Verfahren zum Herstellen einer derartigen sicheren Einheit. Die Einheit beinhaltet ein Substrat und wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit, die auf dem Substrat ausgebildet ist. Die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit repräsentiert die physikalisch nicht klonbare Funktion. In einigen Fällen kann die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit einer Variabilitäts-Verbesserung unterworfen werden. In einigen Fällen kann die sichere Einheit einen Messkreis zum Messen einer Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit beinhalten.
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公开(公告)号:DE112013003530B4
公开(公告)日:2017-03-30
申请号:DE112013003530
申请日:2013-08-08
Applicant: IBM
Inventor: BRULEY JOHN , NARAYANAN VIJAY , PREIFFER DIRK , PLOUCHART JEAN-OLIVER , SONG PEILIN
Abstract: Verfahren (300) zum Herstellen einer sicheren Einheit mit einer physikalisch nicht klonbaren Funktion, wobei das Verfahren (300) aufweist: Bereitstellen eines integrierten Schaltkreises, der wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit aufweist, wobei die die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit die physikalisch nicht klonbare Funktion repräsentiert (310, 320); Variieren eines Zustands der Umgebung, dem die wenigstens eine High-k/Metall-Gate-Einheit (110) während des Bildens ausgesetzt wird, um eine Variation in einer physikalischen Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit zu erzeugen, die messbar spezifisch relativ zu Variationen in physikalischen Eigenschaften von anderen High-k/Metall-Gate-Einheiten ist, die mit der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit in einer gemeinsamen Charge hergestellt wurden, und wobei von der physikalischen Eigenschaft bekannt ist, dass sie sensitiv gegenüber Variationen in dem Zustand der Umgebung ist; und Beinhalten eines Messkreises (120; 200) in dem integrierten Schaltkreis, der so konfiguriert ist, dass er die physikalische Eigenschaft der wenigstens einen High-k/Metall-Gate-Einheit für eine Berechtigungsprüfung der sicheren Einheit misst (350, 360), wobei die wenigstens eine Eigenschaft durch die spezifische Variation beeinflusst wird.
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