公开(公告)号：JP2002334850A

公开(公告)日：2002-11-22

申请号：JP2002096570

申请日：2002-03-29

Applicant: IBM

Inventor： GIEWONT KENNETH J ,  WANG YUN YU ,  RUSSELL AANTO ,  RANSOM CRAIG ,  COFFIN JUDITH ,  DOMENICUCCI ANTHONY ,  MACDONALD MICHAEL ,  JOHNSON BRIAN E

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-quality silicide layer having a high sheet resistance. SOLUTION: A method of preparing a semiconductor material for forming the silicide layer in selected areas is disclosed. In the representative embodiment, the method includes a step of removing at least one of a nitride film and an oxynitride film from the selected area, a step of removing metallic particles from the selected area, and a step of removing surface particles from the selected area. The method also includes a step of removing organics from the selected areas and a step of removing an oxide film layer from the selected areas.

公开(公告)号：DE102010037675A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：DE102010037675

申请日：2010-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Inventor： CHOI JIN-WOO ,  DOMENICUCCI ANTHONY ,  KWON OH-JUNG ,  KWON O SUNG

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt zum Ausbilden einer Metall-Halbleiter-Legierung, das Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Abscheidungsvorrichtung (100), die eine Platinquelle (10) und eine Nickelquelle (20) enthält, wobei die Platinquelle (10) von der Nickelquelle (20) getrennt ist; Positionieren eines Substrats (50) mit einer Halbleiteroberfläche (45) in der Abscheidungsvorrichtung (100); Ausbilden einer Metalllegierung auf der Halbleiteroberfläche (45), wobei das Ausbilden der Metalllegierung ein Abscheidungsstadium aufweist, bei dem die Platinquelle (10) Platin zu der Halbleiteroberfläche (45) mit einer Anfangsrate in einer Anfangsperiode abscheidet, die größer ist als eine Endrate bei einer Endperiode des Abscheidungsstadiums, und die Nickelquelle (20) Nickel zur Halbleiteroberfläche (45) abscheidet; und Tempern der Metalllegierung, um das Nickel und das Platin mit dem Halbleitersubstrat (50) umzusetzen, um eine Nickel-Platin-Halbleiter-Legierung bereitzustellen.