公开(公告)号：EP2519976A4

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：EP11735025

申请日：2011-01-14

Applicant: IBM

Inventor： ADUSUMILLI PRANEET ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  CHANG JOSEPHINE B ,  CHOI CHANGHWAN ,  FRANK MARTIN MICHAEL ,  GUILLOM MICHAEL ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513

公开(公告)号：WO2011090907A3

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/US2011021326

申请日：2011-01-14

Applicant: IBM

Inventor： ADUSUMILLI PRANEET ,  CALLEGARI ALESSANDRO ,  CHANG JOSEPHINE B ,  CHOI CHANGHWAN ,  FRANK MARTIN MICHAEL ,  GUILLOM MICHAEL ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513

Abstract: A field effect transistor device and method which includes a semiconductor substrate, a dielectric gate layer, preferably a high dielectric constant gate layer, overlaying the semiconductor substrate and an electrically conductive oxygen barrier layer overlaying the gate dielectric layer. Sn one embodiment, there is a conductive layer between the gate dielectric layer and the oxygen barrier layer, In another embodiment, there is a low resistivity metal layer on the oxygen barrier layer.

Abstract translation: 一种场效应晶体管器件和方法，其包括覆盖半导体衬底的半导体衬底，介电栅极层，优选高介电常数栅极层和覆盖栅极电介质层的导电氧阻挡层。 在一个实施例中，在栅介质层和氧阻挡层之间存在导电层。在另一个实施例中，在氧阻隔层上存在低电阻率金属层。

公开(公告)号：DE112018005872T5

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE112018005872

申请日：2018-11-05

Applicant: IBM

Inventor： FRANK MARTIN MICHAEL

IPC: H01L21/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden einer ferroelektrischen/antiferroelektrischen (FE/AFE) dielektrischen Schicht bereitgestellt. Das Verfahren weist ein Bilden einer Metallelektrodenschicht auf einem Substrat, wobei die Metallelektrodenschicht eine freiliegende Oberfläche mit wenigstens 80 % an {111}-Kristallfläche aufweist, und ein Bilden einer FE/AFE dielektrischen Schicht auf der freiliegenden Oberfläche der Metallelektrodenschicht auf, wobei die FE/AFE dielektrische Schicht ein Gruppe-4-Übergangsmetalloxid ist.

公开(公告)号：DE112020002781T5

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE112020002781

申请日：2020-07-10

Applicant: IBM ,  ULVAC INC

Inventor： ROZEN JOHN ,  FRANK MARTIN MICHAEL ,  OGAWA YOHEI

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen die Ausbildung eines substöchiometrischen Metalloxid-Films unter Verwendung eines geänderten Atomlagenabscheidungs(ALD)-Prozesses. In einer nicht einschränkenden Ausführungsform der Erfindung werden ein erster Vorläufer und ein zweiter Vorläufer ausgewählt. Der erste Vorläufer kann ein Metall und einen ersten Liganden beinhalten. Der zweite Vorläufer kann das gleiche Metall und einen zweiten Liganden beinhalten. Das Substrat kann gegenüber dem ersten Vorläufer während eines ersten Impulses eines ALD-Zyklus ausgesetzt werden. Das Substrat kann gegenüber dem zweiten Vorläufer während eines zweiten Impulses des ALD-Zyklus ausgesetzt werden. Der zweite Puls kann direkt nach dem ersten Impuls ohne ein dazwischenliegendes thermisches Oxidationsmittel erfolgen. Das Substrat kann gegenüber dem thermischen Oxidationsmittel während eines dritten Impulses des ALD-Zyklus ausgesetzt werden.