公开(公告)号：DE112010004324T5

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：DE112010004324

申请日：2010-10-19

Applicant: IBM

Inventor： HOLMES STEVEN ,  HUE XUEFENG ,  CHENG KANGGUO ,  ZHANG YING ,  DORIS BRUCE

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung von Merkmalen für eine integrierte Schaltung umfasst das Strukturieren einer Dorn-Schicht um Strukturen mit zwei oder mehr Breiten auf einer Oberfläche eines integrierten Schaltkreises einzuschließen. Freigelegte Seitwände der Strukturen reagieren um eine neue Verbindung in den Seitenwänden integral zu formen, so dass sich die neue Verbindung in die freigelegten Seitenwände in einer kontrollierten Weise erstreckt um rhalb der Säulen werden geätzt, indem die Säulen als Ätzmaske verwendet werden, um Merkmale für einen integrierten Schaltkreis zu bilden.