公开(公告)号：WO2013089938A3

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/US2012063508

申请日：2012-11-05

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  DUNBAR THOMAS J ,  GAMBINO JEFFREY P ,  LEITCH MOLLY J

IPC: H01L29/78 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: Manufacturing a semiconductor structure (5) including: forming a seed material (25) on a sidewall of a mandrel (20a, 20b); forming a graphene field effect transistor (FET) (30) on the seed material (25); and removing the seed material (25).

Abstract translation: 制造半导体结构（5），包括：在心轴（20a，20b）的侧壁上形成种子材料（25）; 在种子材料（25）上形成石墨烯场效应晶体管（FET）（30）; 并移除种子材料（25）。

公开(公告)号：WO2013089938A2

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/US2012063508

申请日：2012-11-05

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  DUNBAR THOMAS J ,  GAMBINO JEFFREY P ,  LEITCH MOLLY J

IPC: H01L29/78 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: Manufacturing a semiconductor structure (5) including: forming a seed material (25) on a sidewall of a mandrel (20a, 20b); forming a graphene field effect transistor (FET) (30) on the seed material (25); and removing the seed material (25).

Abstract translation: 制造半导体结构（5），包括：在心轴（20a，20b）的侧壁上形成种子材料（25）; 在种子材料（25）上形成石墨烯场效应晶体管（FET）（30）; 并除去种子材料（25）。