公开(公告)号：DE112017001420B4

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE112017001420

申请日：2017-05-10

Applicant: IBM

Inventor： HU CHAO-KUN ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  SHAW THOMAS MCCARROLL

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren (200; 300; 400) zum Bilden einer Kupfer(Cu)-Verbindung (218) in einem Dielektrikum (114) über einer Cu-Leitung (112), wobei das Verfahren die Schritte umfasst:Bilden (202) mindestens einer Durchkontaktierung (116) in dem Dielektrikum über der Cu-Leitung;Abscheiden (204) einer Metallschicht (212) auf das Dielektrikum undAuskleiden der Durchkontaktierung, derart, dass die Metallschicht am Boden der Durchkontaktierung mit der Cu-Leitung in Kontakt steht, wobei die Metallschicht mindestens ein Metall aufweist, welches mehr als 5 At-% Stickstoff in Lösung enthält und mit Cu reagieren kann, um eine Cu-Intermetallverbindung zu bilden;Tempern (206) der Metallschicht und der Cu-Leitung unter Bedingungen, die ausreichen, um eine Cu-Intermetallverbindungs-Barriere (214) am Boden der Durchkontaktierung und eine Nitrid-Barriere (216) auf der Cu-Intermetallverbindungs-Barriere zu bilden; undPlattieren (208) von Cu in die Durchkontaktierung, um die Cu-Verbindung zu bilden, wobei die Cu-Verbindung durch die Cu-Intermetallverbindungs-Barriere von der Cu-Leitung getrennt wird.

公开(公告)号：DE112017001420T5

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE112017001420

申请日：2017-05-10

Applicant: IBM

Inventor： HU CHAO-KUN ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  SHAW THOMAS MCCARROLL

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Es werden Techniken zum Verbessern der Zuverlässigkeit in Cu-Verbindungen unter Verwendung von Cu-Intermetallverbindungen bereitgestellt. In einer Erscheinungsform umfasst ein Verfahren zum Bilden einer Cu-Verbindung in einem Dielektrikum (114) über einer Cu-Leitung (112) die Schritte: Bilden mindestens einer Durchkontaktierung (116) in dem Dielektrikum (114) über der Cu-Leitung (112); Abscheiden einer Metallschicht (118) auf das Dielektrikum (114) und Auskleiden der Durchkontaktierung (116), derart, dass die Metallschicht (118) am Boden der Durchkontaktierung (116) mit der Cu-Leitung (112) in Kontakt steht, wobei die Metallschicht (118) mindestens ein Metall aufweist, welches mit Cu reagieren kann, um eine Cu-Intermetallverbindung zu bilden; Tempern der Metallschicht (118) und der Cu-Leitung (112) unter Bedingungen, die ausreichen, um eine Cu-Intermetallverbindungs-Barriere (120) am Boden der Durchkontaktierung (116) zu bilden; und Plattieren von Cu (122) in die Durchkontaktierung (116), um die Cu-Verbindung zu bilden, wobei die Cu-Verbindung durch die Cu-Intermetallverbindungs-Barriere (120) von der Cu-Leitung (112) getrennt wird. Außerdem wird eine Einheitenstruktur bereitgestellt.