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    STRUCTURE AND METHOD OF FORMING ELECTRODEPOSITED CONTACTS
    2.
    发明申请
    STRUCTURE AND METHOD OF FORMING ELECTRODEPOSITED CONTACTS 审中-公开
    形成电沉积联系的结构和方法

    公开(公告)号：WO2007112361A3

    公开(公告)日：2008-04-10

    申请号：PCT/US2007064946

    申请日：2007-03-26

    Applicant: IBM ,  CABRAL CYRIL JR ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  KNARR RANDOLPH F ,  MALHOTRA SANDRA G ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  SHAO XIAOYAN ,  TOPOL ANNA ,  VEREECKEN PHILIPPE M

    Inventor： CABRAL CYRIL JR ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  KNARR RANDOLPH F ,  MALHOTRA SANDRA G ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  SHAO XIAOYAN ,  TOPOL ANNA ,  VEREECKEN PHILIPPE M

    IPC: H01L29/02

    CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A contact metallurgy structure comprising a patterned dielectric layer having cavities on a substrate; a suicide or germanide layer such as of cobalt and/or nickel located at the bottom of cavities; a contact layer comprising Ti or Ti/TiN located on top of the dielectric layer and inside the cavities and making contact to the suicide or germanide layer on the bottom; a diffusion barrier layer located on top of the contact layer and inside the cavities; optionally a seed layer for plating located on top of the barrier layer; a metal fill layer in vias is provided along with a method of fabrication. The metal fill layer is electrodeposited with at least one member selected from the group consisting of copper, rhodium, ruthenium, iridium, molybdenum, gold, silver, nickel, cobalt, silver, gold, cadmium and zinc and alloys thereof. When the metal fill layer is rhodium, ruthenium, or iridium, an effective diffusion barrier layer is not required between the fill metal and the dielectric. When the barrier layer is platable, such as ruthenium, rhodium, platinum, or iridium, the seed layer is not required.

    Abstract translation: 一种接触式冶金结构，包括在基底上具有空腔的图案化电介质层; 位于空腔底部的自杀或锗化物层，例如钴和/或镍; 接触层包括位于介电层顶部并且在空腔内并且与底部上的硅化物或锗化物层接触的Ti或Ti / TiN; 位于所述接触层顶部和所述空腔内的扩散阻挡层; 可选地，位于阻挡层顶部的用于电镀的种子层; 提供通孔中的金属填充层以及制造方法。 金属填充层用选自铜，铑，钌，铱，钼，金，银，镍，钴，银，金，镉和锌中的至少一种电池和其合金电沉积。 当金属填充层是铑，钌或铱时，在填充金属和电介质之间不需要有效的扩散阻挡层。 当阻挡层是可镀的，例如钌，铑，铂或铱时，不需要种子层。

    FEEDBACK CONTROL OF DIMENSIONS IN NANOPORE AND NANOFLUIDIC DEVICES
    3.
    发明申请
    FEEDBACK CONTROL OF DIMENSIONS IN NANOPORE AND NANOFLUIDIC DEVICES 审中-公开
    纳米和纳米级器件尺寸反馈控制

    公开(公告)号：WO2012059251A2

    公开(公告)日：2012-05-10

    申请号：PCT/EP2011064085

    申请日：2011-08-16

    Applicant: IBM ,  WAGGONER PHILIP SUTTON ,  HARRER STEFAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN

    Inventor： WAGGONER PHILIP SUTTON ,  HARRER STEFAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: C25D11/022 ,  B81C1/00071 ,  B81C2201/0114 ,  C25D7/04 ,  C25D11/26 ,  C25D11/34

    Abstract: Nanofluidic passages such as nanochannels and nanopores are closed or opened in a controlled manner through the use of a feedback system. An oxide layer is grown or removed within a passage in the presence of an electrolyte until the passage reaches selected dimensions or is closed. The change in dimensions of the nanofluidic passage is measured during fabrication. The ionic current level through the passage can be used to determine passage dimensions. Fluid flow through an array of fluidic elements can be controlled by selective oxidation of fluidic passages between elements.

    Abstract translation: 纳米流体通道如纳米通道和纳米孔通过使用反馈系统以受控的方式封闭或打开。 在存在电解液的情况下，在通道内生长或除去氧化物层，直到通道达到选定的尺寸或闭合。 在制造过程中测量纳米流体通道的尺寸变化。 通过通道的离子电流水平可用于确定通道尺寸。 通过流体元件阵列的流体流动可以通过元件之间的流体通道的选择性氧化来控制。

    Leitfähige Struktur für schmale Verbindungsöffnungen
    4.
    发明专利
    Leitfähige Struktur für schmale Verbindungsöffnungen 未知

    公开(公告)号：DE112010003659T5

    公开(公告)日：2012-10-31

    申请号：DE112010003659

    申请日：2010-08-25

    Applicant: IBM

    Inventor： ROSSNAGEL STEPHEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  EDELSTEIN DANIEL ,  NOGAMI TAKESHI

    IPC: H01L21/768

    Abstract: Es werden eine Verbindungsstruktur, die einen verringerten elektrischen Widerstand aufweist, und ein Verfahren zum Bilden einer solchen Verbindungsstruktur bereitgestellt. Die Verbindungsstruktur umfasst ein dielektrisches Material (24), welche mindestens eine darin befindliche Öffnung umfasst. Die mindestens eine Öffnung ist mit einer optionalen Diffusionsbarrierenschicht (30), einer Kornwachstums-Förderungsschicht (32), einer agglomerierten Galvanisierungs-Keimschicht (34'), gegebenenfalls einer zweiten Galvanisierungs-Keimschicht und einer leitfähigen Struktur (38) gefüllt. Die leitfähige Struktur, welche ein metallhaltiges leitfähiges Material, typischerweise Cu, umfasst, weist eine Bambus-Mikrostruktur und eine mittlere Korngröße von mehr als 0,05 Mikrometern auf. In einigen Ausführungsformen umfasst die leitfähige Struktur leitfähige Körner, welche eine (111)-Kristallorientierung aufweisen.

    FEEDBACK CONTROL OF DIMENSIONS IN NANOPORE AND NANOFLUIDIC DEVICES
    5.
    发明专利
    FEEDBACK CONTROL OF DIMENSIONS IN NANOPORE AND NANOFLUIDIC DEVICES 未知

    公开(公告)号：CA2812371A1

    公开(公告)日：2012-05-10

    申请号：CA2812371

    申请日：2011-08-16

    Applicant: IBM

    Inventor： WAGGONER PHILIP SUTTON ,  HARRER STEFAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN

    IPC: B81C1/00

    Abstract: Nanofluidic passages such as nanochannels and nanopores are closed or opened in a controlled manner through the use of a feedback system. An oxide layer is grown or removed within a passage in the presence of an electrolyte until the passage reaches selected dimensions or is closed. The change in dimensions of the nanofluidic passage is measured during fabrication. The ionic current level through the passage can be used to determine passage dimensions. Fluid flow through an array of fluidic elements can be controlled by selective oxidation of fluidic passages between elements.

    Techniken zum Verbessern der Zuverlässigkeit in Cu-Verbindungen unter Verwendung von Cu-Intermetallverbindungen
    6.
    发明专利
    Techniken zum Verbessern der Zuverlässigkeit in Cu-Verbindungen unter Verwendung von Cu-Intermetallverbindungen 未知

    公开(公告)号：DE112017001420B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE112017001420

    申请日：2017-05-10

    Applicant: IBM

    Inventor： HU CHAO-KUN ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  SHAW THOMAS MCCARROLL

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

    Abstract: Verfahren (200; 300; 400) zum Bilden einer Kupfer(Cu)-Verbindung (218) in einem Dielektrikum (114) über einer Cu-Leitung (112), wobei das Verfahren die Schritte umfasst:Bilden (202) mindestens einer Durchkontaktierung (116) in dem Dielektrikum über der Cu-Leitung;Abscheiden (204) einer Metallschicht (212) auf das Dielektrikum undAuskleiden der Durchkontaktierung, derart, dass die Metallschicht am Boden der Durchkontaktierung mit der Cu-Leitung in Kontakt steht, wobei die Metallschicht mindestens ein Metall aufweist, welches mehr als 5 At-% Stickstoff in Lösung enthält und mit Cu reagieren kann, um eine Cu-Intermetallverbindung zu bilden;Tempern (206) der Metallschicht und der Cu-Leitung unter Bedingungen, die ausreichen, um eine Cu-Intermetallverbindungs-Barriere (214) am Boden der Durchkontaktierung und eine Nitrid-Barriere (216) auf der Cu-Intermetallverbindungs-Barriere zu bilden; undPlattieren (208) von Cu in die Durchkontaktierung, um die Cu-Verbindung zu bilden, wobei die Cu-Verbindung durch die Cu-Intermetallverbindungs-Barriere von der Cu-Leitung getrennt wird.

    Techniken zum Verbessern der Zuverlässigkeit in CU-Verbindungen unter Verwendung von CU-Intermetallverbindungen
    7.
    发明专利
    Techniken zum Verbessern der Zuverlässigkeit in CU-Verbindungen unter Verwendung von CU-Intermetallverbindungen 未知

    公开(公告)号：DE112017001420T5

    公开(公告)日：2018-11-29

    申请号：DE112017001420

    申请日：2017-05-10

    Applicant: IBM

    Inventor： HU CHAO-KUN ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  SHAW THOMAS MCCARROLL

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

    Abstract: Es werden Techniken zum Verbessern der Zuverlässigkeit in Cu-Verbindungen unter Verwendung von Cu-Intermetallverbindungen bereitgestellt. In einer Erscheinungsform umfasst ein Verfahren zum Bilden einer Cu-Verbindung in einem Dielektrikum (114) über einer Cu-Leitung (112) die Schritte: Bilden mindestens einer Durchkontaktierung (116) in dem Dielektrikum (114) über der Cu-Leitung (112); Abscheiden einer Metallschicht (118) auf das Dielektrikum (114) und Auskleiden der Durchkontaktierung (116), derart, dass die Metallschicht (118) am Boden der Durchkontaktierung (116) mit der Cu-Leitung (112) in Kontakt steht, wobei die Metallschicht (118) mindestens ein Metall aufweist, welches mit Cu reagieren kann, um eine Cu-Intermetallverbindung zu bilden; Tempern der Metallschicht (118) und der Cu-Leitung (112) unter Bedingungen, die ausreichen, um eine Cu-Intermetallverbindungs-Barriere (120) am Boden der Durchkontaktierung (116) zu bilden; und Plattieren von Cu (122) in die Durchkontaktierung (116), um die Cu-Verbindung zu bilden, wobei die Cu-Verbindung durch die Cu-Intermetallverbindungs-Barriere (120) von der Cu-Leitung (112) getrennt wird. Außerdem wird eine Einheitenstruktur bereitgestellt.

    Feedback control of dimensions in nanopore and nanofluidic devices
    10.
    发明专利
    Feedback control of dimensions in nanopore and nanofluidic devices 未知

    公开(公告)号：GB2499161A

    公开(公告)日：2013-08-07

    申请号：GB201309479

    申请日：2011-08-16

    Applicant: IBM

    Inventor： WAGGONER PHILIP SUTTON ,  HARRER STEFAN ,  ROSSNAGEL STEPHEN

    IPC: B81C1/00

    Abstract: Nanofluidic passages such as nanochannels and nanopores are closed or opened in a controlled manner through the use of a feedback system. An oxide layer is grown or removed within a passage in the presence of an electrolyte until the passage reaches selected dimensions or is closed. The change in dimensions of the nanofluidic passage is measured during fabrication. The ionic current level through the passage can be used to determine passage dimensions. Fluid flow through an array of fluidic elements can be controlled by selective oxidation of fluidic passages between elements.

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