公开(公告)号：GB2526960A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：GB201514364

申请日：2014-01-15

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  GREEN WILLIAM M ,  SHANK STEVEN M ,  VKASIV YURLL A

IPC: H01L31/0232

Abstract: A method of forming an integrated photonic semiconductor structure having a photodetector and a CMOS device may include forming the CMOS device on a first silicon-on-insulator region, forming a silicon optical waveguide on a second silicon- on-insulator region, and forming a shallow trench isolation (STI) region surrounding the silicon optical waveguide such that the shallow trench isolation electrically isolating the first and second silicon-on-insulator region. Within a first region of the STI region, a first germanium material is deposited adjacent a first side wall of the semiconductor optical waveguide. Within a second region of the STI region, a second germanium material is deposited adjacent a second side wall of the semiconductor optical waveguide, whereby the second side wall opposes the first side wall. The first and second germanium material form an active region that evanescently receives propagating optical signals from the first and second side wall of the semiconductor optical waveguide.

公开(公告)号：DE112014000444T5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112014000444

申请日：2014-01-15

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  GREEN WILLIAM M ,  SHANK STEVEN M ,  VKASIV YURLL A

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  H01L31/0745

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer integrierten photonischen Halbleiterstruktur mit einem Photodetektor und einem CMOS-Bauteil kann das Ausbilden des CMOS-Bauteils auf einem ersten Silizium-auf-Isolator-Gebiet, das Ausbilden eines Siliziumlichtwellenleiters auf einem zweiten Silizium-auf-Isolator-Gebiet und das Ausbilden eines Flachen-Graben-Isolations(Shallow Trench Isolation, STI)-Gebietes um den Siliziumlichtwellenleiter aufweisen, sodass die Flache-Graben-Isolation das erste und zweite Silizium-auf-Isolator-Gebiet elektrisch isoliert. In einem ersten Gebiet des ersten STI-Gebiets wird ein erstes Germanium-Material angrenzend an eine erste Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters abgeschieden. In einem zweiten Gebiet des STI-Gebiets wird ein zweites Germanium-Material angrenzend an eine zweite Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters abgeschieden, wobei die zweite Seitenwand der ersten Seitenwand gegenüberliegt. Das erste und zweite Germanium-Material bilden ein aktives Gebiet, das in evaneszenter Weise sich ausbreitende optische Signale von der ersten und zweiten Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters empfängt.