公开(公告)号：EP2185958A4

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：EP08799070

申请日：2008-09-02

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  HAMANN HENDRIK F ,  VLASOV YURII A

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02B6/125 ,  B82Y20/00 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12147 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/025

公开(公告)号：DE112013003119B4

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE112013003119

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  VLASOV YURII A ,  ROSENBERG JESSIE C

IPC: H01L21/00 ,  G02B6/12 ,  G02F1/025

Abstract: Optische Modulatoreinheit, aufweisend: einen Körperabschnitt, der wirksam ist, um eine optische Mode entlang einer Längsachse des Körperabschnitts auszubreiten, wobei der Körperabschnitt eine erste Schicht aufweist, die auf einer zweiten Schicht angeordnet ist, wobei die erste Schicht einen ersten p-Typ-dotierten Bereich einschließt, der benachbart zu einem ersten n-Typ-dotierten Bereich entlang der Längsachse des Körperabschnitts ist, und die zweite Schicht einen zweiten n-Typ-dotierten Bereich einschließt, der auf dem ersten p-Typ-dotierten Bereich angeordnet ist, und einen zweiten p-Typ-dotierten Bereich, der benachbart zum zweiten n-Typ-dotierten Bereich entlang der Längsachse des Körperabschnitts angeordnet ist, wobei der zweite p-Typ-dotierte Bereich auf dem ersten n-Typ-dotierten Bereich angeordnet ist.

公开(公告)号：CA2694526A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：CA2694526

申请日：2008-09-02

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  HAMANN HENDRIK F ,  VLASOV YURII A

IPC: G02B6/12

Abstract: A thermally switched Silicon-On-Insulator (SOT) photo electronic device includes a silicon layer including an optical waveguide and a suicide heating element horizontally adjacent to the waveguide. The waveguide has a refractive index that changes with heat applied to the waveguide.

公开(公告)号：DE102015120493A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762

Abstract: Es werden Vorgehensweisen für eine Silicium-Photonik-Integration bereitgestellt. Ein Verfahren beinhaltet: Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum; thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht; und Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials. Die konforme abdichtende Schicht ist so konfiguriert, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet. Der Photodetektor und die zumindest eine Einheit befinden sich auf einem gleichen Substrat. Die zumindest eine Einheit beinhaltet eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit oder eine passive Photonik-Einheit.

公开(公告)号：DE112013003119T5

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE112013003119

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  VLASOV YURII A ,  ROSENBERG JESSIE C

IPC: H01L21/00

Abstract: Ein Verfahren zur Fertigung eines optischen Modulators umfasst ein Bilden einer n-Typ-Schicht, eines ersten Oxidabschnitts auf einem Abschnitt der n-Typ-Schicht, und eines zweiten Oxidabschnitts auf einem zweiten Abschnitt der n-Typ-Schicht, ein Strukturieren einer ersten Maskierungsschicht über dem ersten Oxidabschnitt, Abschnitten einer planen Oberfläche der n-Typ-Schicht und Abschnitten des zweiten Oxidabschnitts, ein Implantieren von p-Typ-Dotanden in die n-Typ-Schicht, um einen ersten p-Typ-Bereich und einen zweiten p-Typ-Bereich zu bilden, ein Entfernen der ersten Maskierungsschicht, ein Strukturieren einer zweiten Maskierungsschicht über dem ersten Oxidabschnitt, einem Abschnitt des ersten p-Typ-Bereichs und einem Abschnitt der n-Typ-Schicht, und ein Implantieren von p-Typ-Dotanden in freiliegende Abschnitte der n-Typ-Schicht, freiliegende Abschnitte des ersten p-Typ-Bereichs und Bereiche der n-Typ-Schicht und des zweiten p-Typ-Bereichs, die zwischen dem Substrat und dem zweiten Oxidabschnitt angeordnet sind.

公开(公告)号：CA2874264A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：CA2874264

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  ROSENBERG JESSIE C ,  VLASOV YURII A

IPC: G02F1/015 ,  H01L21/329

Abstract: A method for fabricating an optical modulator includes forming n-type layer, a first oxide portion on a portion of the n-type layer, and a second oxide portion on a second portion of the n-type layer, patterning a first masking layer over the first oxide portion, portions of a planar surface of the n-type layer, and portions of the second oxide portion, implanting p-type dopants in the n-type layer to form a first p-type region and a second p-type region, removing the first masking layer, patterning a second masking layer over the first oxide portion, a portion of the first p-type region, and a portion of the n-type layer, and implanting p-type dopants in exposed portions of the n-type layer, exposed portions of the first p-type region, and regions of the n-type layer and the second p-type region disposed between the substrate and the second oxide portion.

公开(公告)号：DE102015120493B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762 ,  H01L31/173

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur, das aufweist:Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum;thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht;Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials, wobei das Bilden der konformen abdichtenden Schicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer schnellen thermischen chemischen Gasphasenabscheidung aufweist;Bilden einer Barrierenschicht sowohl auf einem ersten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über dem Photodetektor als auch auf einem zweiten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über einem Laser-Gitter-Koppler, wobei das Bilden der Barrierenschicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung aufweist; undselektives Entfernen eines Teilbereichs der Barrierenschicht von dem Gebiet über dem Laser-Gitter-Koppler,wobei die konforme abdichtende Schicht so konfiguriert ist, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet,sich der Photodetektor und die zumindest eine Einheit auf einem gleichen Substrat befinden; unddie zumindest eine Einheit eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit und dem Laser-Gitter-Koppler aufweist.

公开(公告)号：GB2526960A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：GB201514364

申请日：2014-01-15

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  GREEN WILLIAM M ,  SHANK STEVEN M ,  VKASIV YURLL A

IPC: H01L31/0232

Abstract: A method of forming an integrated photonic semiconductor structure having a photodetector and a CMOS device may include forming the CMOS device on a first silicon-on-insulator region, forming a silicon optical waveguide on a second silicon- on-insulator region, and forming a shallow trench isolation (STI) region surrounding the silicon optical waveguide such that the shallow trench isolation electrically isolating the first and second silicon-on-insulator region. Within a first region of the STI region, a first germanium material is deposited adjacent a first side wall of the semiconductor optical waveguide. Within a second region of the STI region, a second germanium material is deposited adjacent a second side wall of the semiconductor optical waveguide, whereby the second side wall opposes the first side wall. The first and second germanium material form an active region that evanescently receives propagating optical signals from the first and second side wall of the semiconductor optical waveguide.

公开(公告)号：DE112014000444T5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112014000444

申请日：2014-01-15

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  GREEN WILLIAM M ,  SHANK STEVEN M ,  VKASIV YURLL A

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  H01L31/0745

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer integrierten photonischen Halbleiterstruktur mit einem Photodetektor und einem CMOS-Bauteil kann das Ausbilden des CMOS-Bauteils auf einem ersten Silizium-auf-Isolator-Gebiet, das Ausbilden eines Siliziumlichtwellenleiters auf einem zweiten Silizium-auf-Isolator-Gebiet und das Ausbilden eines Flachen-Graben-Isolations(Shallow Trench Isolation, STI)-Gebietes um den Siliziumlichtwellenleiter aufweisen, sodass die Flache-Graben-Isolation das erste und zweite Silizium-auf-Isolator-Gebiet elektrisch isoliert. In einem ersten Gebiet des ersten STI-Gebiets wird ein erstes Germanium-Material angrenzend an eine erste Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters abgeschieden. In einem zweiten Gebiet des STI-Gebiets wird ein zweites Germanium-Material angrenzend an eine zweite Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters abgeschieden, wobei die zweite Seitenwand der ersten Seitenwand gegenüberliegt. Das erste und zweite Germanium-Material bilden ein aktives Gebiet, das in evaneszenter Weise sich ausbreitende optische Signale von der ersten und zweiten Seitenwand des Lichtwellenleiter-Halbleiters empfängt.

公开(公告)号：GB2517855A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：GB201420036

申请日：2013-04-16

Applicant: IBM

Inventor： GREEN WILLIAM M ,  ROSENBERG JESSIE C ,  VLASOV YURII A

IPC: G02F1/025 ,  H01L21/00

Abstract: A method for fabricating an optical modulator includes forming n-type layer, a first oxide portion on a portion of the n-type layer, and a second oxide portion on a second portion of the n-type layer, patterning a first masking layer over the first oxide portion, portions of a planar surface of the n-type layer, and portions of the second oxide portion, implanting p-type dopants in the n-type layer to form a first p-type region and a second p-type region, removing the first masking layer, patterning a second masking layer over the first oxide portion, a portion of the first p-type region, and a portion of the n-type layer, and implanting p-type dopants in exposed portions of the n-type layer, exposed portions of the first p-type region, and regions of the n-type layer and the second p-type region disposed between the substrate and the second oxide portion.